基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究(英文) 被引量：3

1

作者 温殿忠 《电子器件》 EI CAS 2006年第3期609-612,共4页

设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n+-π-n+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时的磁灵敏度。该磁敏晶体管可应用于磁场的测量,实验结果表明在磁场B=0.1T时,这种新型结构给出高的磁灵敏... 设计了一种基于SOI衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n+-π-n+晶体管基区长度大于载流子有效扩散长度Leff时的磁灵敏度。该磁敏晶体管可应用于磁场的测量,实验结果表明在磁场B=0.1T时,这种新型结构给出高的磁灵敏度即△Ic/Ic0≈20%,并且有很好的电控制特性。该磁敏晶体管的槽形复合区采用MEMS技术制造。 展开更多

关键词 双注入 磁敏晶体管 SOI衬底 磁场测量 MEMS

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磁敏晶体管漂移特性测试装置

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作者 赵熙萍 陈丽艳 +1 位作者 多宝庆 李树林 《电测与仪表》 北大核心 1995年第5期23-24,共2页

磁敏三极管由于具有比霍尔器件更高的灵敏度故在电磁测量中有很大的应用前景，但其漂移较大限制了它的应用。本文针对国产４ＣＣＭ系列磁敏晶体管漂移问题，研制了测试及筛选其漂移特性的试验装置。本装置由控温系统和测试二大部分组成... 磁敏三极管由于具有比霍尔器件更高的灵敏度故在电磁测量中有很大的应用前景，但其漂移较大限制了它的应用。本文针对国产４ＣＣＭ系列磁敏晶体管漂移问题，研制了测试及筛选其漂移特性的试验装置。本装置由控温系统和测试二大部分组成，可同时对８只磁敏管的时漂、温漂的特性进行测量。本装置也可对其它磁敏器件的漂移进行测试。 展开更多

关键词 磁敏晶体管 漂移特性 测试

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用p埋层CMOS工艺制造横向磁敏晶体管

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作者 邵传芬 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第4期66-69,共4页

本文介绍了一种用P埋层CMOS工艺制造的横向磁敏晶体管(LMT)。器件结构是双基极、双集电极npn晶体管。它具有抑制侧向注入效应,即将注入集中于发射区的中部,在中性基区的少数载流子受到双重偏转作用,消除了横向无功电流。在CMOS工艺的基... 本文介绍了一种用P埋层CMOS工艺制造的横向磁敏晶体管(LMT)。器件结构是双基极、双集电极npn晶体管。它具有抑制侧向注入效应,即将注入集中于发射区的中部,在中性基区的少数载流子受到双重偏转作用,消除了横向无功电流。在CMOS工艺的基础上加了P埋层,消除了纵向无功电流。器件对磁场有良好的线性响应。 展开更多

关键词 LMT 线性响应 磁敏晶体管 CMOS工艺

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抑制侧壁注入式磁敏晶体管结构的研究

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作者 周正利 沈启舜 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期24-27,共4页

介绍了一种新型的用ＣＭＯＳ标准工艺制作的具有抑制侧壁注入效应的横向磁敏晶体管．理论分析及实验测量结果表明。

关键词 抑制侧壁注入 磁敏晶体管 CMOS工艺

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“磁传感器及其应用技术”讲座 第七讲 磁敏晶体管传感器(一)

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作者 程志奇 《自动化仪表》 CAS 北大核心 1989年第2期39-42,45,共5页

磁敏晶体管分为磁敏二极管和磁敏三极管两类。它们都属于PN结型器件,其电特性随外施磁场的改变有显著的变化。磁敏二极管出现于60年代末期,磁敏三极管出现于70年代,现我国皆有生产与应用。由于它们具有体积小、灵敏度高(比霍尔器件约高... 磁敏晶体管分为磁敏二极管和磁敏三极管两类。它们都属于PN结型器件,其电特性随外施磁场的改变有显著的变化。磁敏二极管出现于60年代末期,磁敏三极管出现于70年代,现我国皆有生产与应用。由于它们具有体积小、灵敏度高(比霍尔器件约高百倍左右)、使用简单等优点,故作为磁传感器可用来检测磁场、电流、位移、液位、加速度、角度等参数,也可以用其构成无刷直流电机和各种非接触开关等。一、磁敏二极管磁敏二极管简称MD,目前可分为磁性整流器(CMD)和磁敏二极管(XMD)等。 展开更多

关键词 磁传感器 晶体管传感器 磁敏晶体管

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新型无触点开关传感器─—硅磁敏晶体管

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作者 周迪文 《大众用电》 1995年第S2期50-50,共1页

新型无触点开关传感器─—硅磁敏晶体管湖南省建筑科学研究所周迪文目前，国内外对无触点开关、磁探场的需要，我国自制半导体３ＣＣＭ型磁敏晶体管，用作各种传感器（含遥讯遥测遥控），如工厂、矿山运送滚轮检测的传感器，汽轮机低速... 新型无触点开关传感器─—硅磁敏晶体管湖南省建筑科学研究所周迪文目前，国内外对无触点开关、磁探场的需要，我国自制半导体３ＣＣＭ型磁敏晶体管，用作各种传感器（含遥讯遥测遥控），如工厂、矿山运送滚轮检测的传感器，汽轮机低速盘车系统的关键就是低速测量的传感器... 展开更多

关键词 无触点开关 磁敏晶体管 感器 建筑科学研究 计量误差 湖南省 遥测遥控 低速盘车 低速测量 我国现代化建设

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磁敏晶体管射极跟随电路介绍

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作者 于新 《家电检修技术》 2009年第9期46-46,共1页

由于磁敏晶体管的β值小于1，而且输出阻抗比较高，所以在实际应用时，首先考虑的问题就是采用什么样的电路，以便使磁敏晶体管产生的信号得以放大。

关键词 磁敏晶体管 电路介绍 阻抗比 信号

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扇形分裂漏CMOS磁敏传感器集成电路 被引量：1

8

作者 郭清 朱大中 姚韵若 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期91-95,共5页

介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0．6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测... 介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0．6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测量磁场的功能,并实现了在屏蔽磁场的工作模式下对噪声信号进行校正的功能,有效地消除了磁敏传感器及其信号处理电路的噪声影响。在工作频率为10 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2．62 V/T。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体 磁敏传感器 分裂漏磁敏晶体管 相关二次取样

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基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路 被引量：1

9

作者 郭清 朱大中 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期2391-2394,2398,共5页

研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁... 研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62V/T. 展开更多

关键词 扇形分裂漏磁敏晶体管 同步取样 互补金属氧化物半导体 磁敏传感器

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半导体磁场传感器过去和未来 被引量：16

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作者 涂有瑞 《传感器世界》 2003年第7期1-10,共10页

经过半个多世纪的发展,半导体磁场传感器在科研、开发、生产和应用的各个方面都得到了巨大的发展。每年,全世界有数以十亿计的半导体磁场传感器投入使用,在人类社会生活的各个方面发挥着越来越来重要的作用。我们希望透过发展过程中出... 经过半个多世纪的发展,半导体磁场传感器在科研、开发、生产和应用的各个方面都得到了巨大的发展。每年,全世界有数以十亿计的半导体磁场传感器投入使用,在人类社会生活的各个方面发挥着越来越来重要的作用。我们希望透过发展过程中出现的某些曲折,引发一些新的思考;从现实的进展中看到未来可能发展的趋势,受到更多的鼓舞。 展开更多

关键词 半导体磁场传感器 霍尔效应传感器 半导体磁致电阻 磁敏二极管 磁敏晶体管 磁敏集成电路 磁敏场效应管

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晶体管、MOS器件

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《电子科技文摘》 1999年第12期34-35,共2页

介绍了抽取 FET 非本征电容的新方法,它只需要在有源偏压区域测量。此方法利用了非本征 FET 在正、反向偏压工作区域的对称性。该抽取只需分析即可实现,无需任何最优化。

关键词 磁敏晶体管 器件设计 新方法 本征电容 非本征 最优化 分布式 反向偏压 对称性 工作区域

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