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有效提高磁耦合无线电能传输距离的仿真实现
被引量:
1
1
作者
张金
刘飞
张鹏展
《金陵科技学院学报》
2018年第3期19-22,共4页
基于前期课题组研究的基础上,对四线圈无线电能传输函数和临界耦合系数进行电路理论和物理模型的仿真,提出减小模型中环与线圈的耦合系数(提高环与线圈的耦合距离),能够提高能量稳定高效传输的距离。使用这种方法,系统负载阻抗固定为50...
基于前期课题组研究的基础上,对四线圈无线电能传输函数和临界耦合系数进行电路理论和物理模型的仿真,提出减小模型中环与线圈的耦合系数(提高环与线圈的耦合距离),能够提高能量稳定高效传输的距离。使用这种方法,系统负载阻抗固定为50Ω,模型中环与线圈距离为22cm,稳定有效传输距离达1.48m,传输距离为0.1~1.8m,输能效率为76.1%~46.8%。
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关键词
无线能量传输
磁耦合谐振器
等效电路
频率分离
临界
耦合
点
下载PDF
职称材料
一种基于65nm CMOS工艺的33.5~37.5GHz有源矢量合成型移相器
被引量:
1
2
作者
李印
吴锐
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第2期123-131,共9页
基于65 nm CMOS工艺设计了一款33.5~37.5 GHz的6 bit有源矢量合成型移相器(VSPS)。该移相器采用Lange类型的90°耦合器作为I/Q信号发生器,其中的电感采用8字形电感实现;此外,矢量合成部分采用电流合成结构,使芯片面积更加紧凑。后...
基于65 nm CMOS工艺设计了一款33.5~37.5 GHz的6 bit有源矢量合成型移相器(VSPS)。该移相器采用Lange类型的90°耦合器作为I/Q信号发生器,其中的电感采用8字形电感实现;此外,矢量合成部分采用电流合成结构,使芯片面积更加紧凑。后仿真结果显示,该移相器覆盖360°移相范围,对于64种移相角度状态,其整个工作频带下的相位均方根(RMS)误差约为0.33°~3.20°,移相附加增益幅度约为-8.38~-4.89 dB,其RMS误差小于0.59 dB,噪声系数约为12.55~15.55 dB,输入反射系数小于-15 dB,输出反射系数小于-7.9 dB,在33.5、35.5和37.5 GHz频率下,其1 dB压缩点输入功率分别为-1.38~0.96、-1.13~0.75和-0.30~1.40 dBm。该移相器核心电路面积仅约为0.11 mm^(2),在1.2 V的电源电压下,消耗14.6 mW的直流功率,具有面积紧凑、功耗较低、插入损耗适中且精度较高的优势,有利于相控阵系统大规模集成和应用。
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关键词
矢量合成型移相器(VSPS)
90°
耦合
器
磁耦合谐振器
(MCR)
跨导单元
电流合成
原文传递
题名
有效提高磁耦合无线电能传输距离的仿真实现
被引量:
1
1
作者
张金
刘飞
张鹏展
机构
金陵科技学院电子信息工程学院
出处
《金陵科技学院学报》
2018年第3期19-22,共4页
基金
金陵科技学院高层次人才科研启动项目(jit-b-201719)
文摘
基于前期课题组研究的基础上,对四线圈无线电能传输函数和临界耦合系数进行电路理论和物理模型的仿真,提出减小模型中环与线圈的耦合系数(提高环与线圈的耦合距离),能够提高能量稳定高效传输的距离。使用这种方法,系统负载阻抗固定为50Ω,模型中环与线圈距离为22cm,稳定有效传输距离达1.48m,传输距离为0.1~1.8m,输能效率为76.1%~46.8%。
关键词
无线能量传输
磁耦合谐振器
等效电路
频率分离
临界
耦合
点
Keywords
wireless power transfer
magnetic coupled resonator
equivalent circuit
frequency splitting
critical coupled coefficient
分类号
TM154 [电气工程—电工理论与新技术]
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
一种基于65nm CMOS工艺的33.5~37.5GHz有源矢量合成型移相器
被引量:
1
2
作者
李印
吴锐
机构
中国科学院空天信息创新研究院微波成像技术国家级重点实验室
中国科学院大学电子电气与通信工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第2期123-131,共9页
基金
中国科学院百人计划基金资助项目(2020000612)
国家重点研发计划项目(2019YFA0210204)。
文摘
基于65 nm CMOS工艺设计了一款33.5~37.5 GHz的6 bit有源矢量合成型移相器(VSPS)。该移相器采用Lange类型的90°耦合器作为I/Q信号发生器,其中的电感采用8字形电感实现;此外,矢量合成部分采用电流合成结构,使芯片面积更加紧凑。后仿真结果显示,该移相器覆盖360°移相范围,对于64种移相角度状态,其整个工作频带下的相位均方根(RMS)误差约为0.33°~3.20°,移相附加增益幅度约为-8.38~-4.89 dB,其RMS误差小于0.59 dB,噪声系数约为12.55~15.55 dB,输入反射系数小于-15 dB,输出反射系数小于-7.9 dB,在33.5、35.5和37.5 GHz频率下,其1 dB压缩点输入功率分别为-1.38~0.96、-1.13~0.75和-0.30~1.40 dBm。该移相器核心电路面积仅约为0.11 mm^(2),在1.2 V的电源电压下,消耗14.6 mW的直流功率,具有面积紧凑、功耗较低、插入损耗适中且精度较高的优势,有利于相控阵系统大规模集成和应用。
关键词
矢量合成型移相器(VSPS)
90°
耦合
器
磁耦合谐振器
(MCR)
跨导单元
电流合成
Keywords
vector-sum phase shifter(VSPS)
90°coupler
magnetically coupled resonator(MCR)
transconductance unit
current combining
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN623 [电子电信—电路与系统]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
有效提高磁耦合无线电能传输距离的仿真实现
张金
刘飞
张鹏展
《金陵科技学院学报》
2018
1
下载PDF
职称材料
2
一种基于65nm CMOS工艺的33.5~37.5GHz有源矢量合成型移相器
李印
吴锐
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
1
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
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