我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2 覆盖的样品经 80 0℃ ,30 s快速退火后 ,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了 7nm,退火时有 Si O2 覆盖的...我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2 覆盖的样品经 80 0℃ ,30 s快速退火后 ,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了 7nm,退火时有 Si O2 覆盖的样品经过同样的快速退火后 ,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了 56nm.即在同一片子上实现了在需要量子阱混合的区域带隙的“蓝移”足够大的同时 ,不希望量子阱混合的区域能带结构的变化创记录的小 .本文认为增大量子阱的宽度、采用无应力的量子阱结构以及引入足够厚的缓冲层可以改善量子阱材料的晶格质量 ,有利于提高量子阱混合技术的可靠性与重复性 ,改善量子阱材料的热稳定性 .展开更多
用辉光放电质谱 ( GDMS)测量了原生液封直拉 ( L EC)磷化铟 ( In P)的杂质含量 .利用霍尔效应测到的非掺L EC- In P的自由电子浓度明显高于净施主杂质的浓度 .在非掺和掺铁 In P中都可以用红外吸收谱测到浓度很高的一个氢 -铟空位复合...用辉光放电质谱 ( GDMS)测量了原生液封直拉 ( L EC)磷化铟 ( In P)的杂质含量 .利用霍尔效应测到的非掺L EC- In P的自由电子浓度明显高于净施主杂质的浓度 .在非掺和掺铁 In P中都可以用红外吸收谱测到浓度很高的一个氢 -铟空位复合体施主缺陷 .这个施主的浓度随着电离的铁受主 Fe2 + 浓度的增加而增加 .这些结果表明半绝缘体中氢展开更多
文摘我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2 覆盖的样品经 80 0℃ ,30 s快速退火后 ,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了 7nm,退火时有 Si O2 覆盖的样品经过同样的快速退火后 ,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了 56nm.即在同一片子上实现了在需要量子阱混合的区域带隙的“蓝移”足够大的同时 ,不希望量子阱混合的区域能带结构的变化创记录的小 .本文认为增大量子阱的宽度、采用无应力的量子阱结构以及引入足够厚的缓冲层可以改善量子阱材料的晶格质量 ,有利于提高量子阱混合技术的可靠性与重复性 ,改善量子阱材料的热稳定性 .
