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光电神经形态器件及其应用 被引量:4
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作者 沈柳枫 胡令祥 +2 位作者 康逢文 叶羽敏 诸葛飞 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第14期365-387,共23页
传统冯·诺依曼计算机在并行性计算和自适应学习方面效率较低,无法满足当前飞速发展的信息技术对高效、高速计算的迫切需求.受脑启发的神经形态计算具有高度并行性、超低功耗等优势,被认为是打破传统计算机局限性,实现新一代人工智... 传统冯·诺依曼计算机在并行性计算和自适应学习方面效率较低,无法满足当前飞速发展的信息技术对高效、高速计算的迫切需求.受脑启发的神经形态计算具有高度并行性、超低功耗等优势,被认为是打破传统计算机局限性,实现新一代人工智能的理想途径.神经形态器件是实施神经形态计算的硬件载体,是构建神经形态芯片的关键.与此同时,人类视觉系统与光遗传学的发展为神经形态器件的研究提供了新的思路.新兴的光电神经形态器件结合了光子学与电子学各自的优势,在神经形态计算领域展露出巨大潜力,受到了国内外研究人员广泛关注.本文对光电神经形态器件及其应用的最新研究进行了总结.首先综述了人工光电突触与人工光电神经元,内容包括器件结构、工作机制以及神经形态功能模拟等方面.然后,对光电神经形态器件在人工视觉系统、人工感知系统、神经形态计算等领域中的潜在应用作了阐述.最后,总结了当前光电神经形态器件所面临的挑战,并对其未来的发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 光电神经形态器件 光电突触 光电神经 神经形态计算
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神经形态器件的特性与发展 被引量:2
2
作者 曹震 张浴轩 +5 位作者 李灵蕾 郭璋 孙琦 曹荣荣 侯彪 焦李成 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期3619-3642,共24页
随着大数据时代的到来和人类对人脑系统研究的日渐深入,类脑计算领域的研究取得突破性进展,有希望在根源上打破传统计算机的性能瓶颈.神经突触是对人体脑部进行记忆能力训练和处理数据的重要基础单元,因此开发新材料、新结构,研究基于... 随着大数据时代的到来和人类对人脑系统研究的日渐深入,类脑计算领域的研究取得突破性进展,有希望在根源上打破传统计算机的性能瓶颈.神经突触是对人体脑部进行记忆能力训练和处理数据的重要基础单元,因此开发新材料、新结构,研究基于新型人造材料与光电子器件的神经突触可塑性,对神经形态器件研究和类脑硬件设计的实现都有着重要意义.本文首先指出目前“冯·诺依曼架构”的主要性能瓶颈,引出类脑计算的概念,提出神经形态器件的主要性能优势,并梳理神经形态器件发展历史;然后在忆阻器领域,阐述与分析忆阻类型、忆阻结构与忆阻机理,比较出几种忆阻器的特性,举例说明忆阻器在不同领域的应用;接着以神经形态器件为基础,选取磁性隧道结、新型浮栅管和铁电晶体管,介绍其结构、工作原理与应用;最后总结目前神经形态器件发展的成果和方向,并对行业发展前景进行预测. 展开更多
关键词 类脑计算 神经形态器件 忆阻器 磁性隧道结 人造突触
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脉冲神经网络中的神经形态器件
3
作者 裴志军 《天津职业技术师范大学学报》 2023年第1期31-37,共7页
随着摩尔定律延续放慢,数据强度任务使得基于冯诺依曼结构的传统计算架构面临挑战,需要激发能够模仿大脑的材料、器件以及系统开发,如神经形态计算。对于直接受大脑启发的脉冲神经网络SNN,实现高密度、高能效的脉冲信息处理,需要高扩展... 随着摩尔定律延续放慢,数据强度任务使得基于冯诺依曼结构的传统计算架构面临挑战,需要激发能够模仿大脑的材料、器件以及系统开发,如神经形态计算。对于直接受大脑启发的脉冲神经网络SNN,实现高密度、高能效的脉冲信息处理,需要高扩展性、低功耗的神经形态器件。文章在生物神经元结构、非监督学习规则以及脉冲神经网络分析基础上,探讨SNN中的突触器件、神经元电路以及与环境接口电路。研究表明:CMOS浮栅存储器件、忆阻器件可作为潜力神经形态器件,充分利用器件的物理特性有助于构建高密度、高能效的神经形态电路。 展开更多
关键词 神经形态器件 脉冲神经网络 突触 神经 浮栅存储器件 忆阻器
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类脑神经网络与神经形态器件及其电路综述 被引量:4
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作者 邓亚彬 王志伟 +5 位作者 赵晨晖 李琳 贺珊 李秋红 帅建伟 郭东辉 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2021年第8期2241-2250,共10页
为了系统地了解类脑神经网络电路,在对类脑神经网络进行简要介绍的基础之上,重点阐述两种类别的神经形态器件及功能,包括不同类型的浮栅管和不同工艺材料的忆阻器来模拟单个神经元和突触可塑性功能;然后,以神经形态器件为基础,分别介绍... 为了系统地了解类脑神经网络电路,在对类脑神经网络进行简要介绍的基础之上,重点阐述两种类别的神经形态器件及功能,包括不同类型的浮栅管和不同工艺材料的忆阻器来模拟单个神经元和突触可塑性功能;然后,以神经形态器件为基础,分别介绍了基于浮栅管和忆阻器实现神经网络电路;最后总结当前神经形态器件及类脑神经网络芯片存在的问题,并对有关类脑计算研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 类脑计算 类脑神经网络 神经形态器件 神经网络电路
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基于二维层状材料的神经形态器件研究进展 被引量:4
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作者 李策 杨栋梁 孙林锋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第21期377-402,共26页
近年来,人工智能的发展对计算和存储的需求不断提升.但是,摩尔定律的放缓以及传统冯·诺依曼架构中计算与存储单元的分离,导致了大量数据在搬运过程中功耗增加和时间延迟,致使集成电路以及芯片设计面临越来越多的挑战.这迫切需要开... 近年来,人工智能的发展对计算和存储的需求不断提升.但是,摩尔定律的放缓以及传统冯·诺依曼架构中计算与存储单元的分离,导致了大量数据在搬运过程中功耗增加和时间延迟,致使集成电路以及芯片设计面临越来越多的挑战.这迫切需要开发新型计算范式来应对这种挑战.而基于存算一体架构的神经形态器件,可利用欧姆定律和基尔霍夫定律实现原位计算,从而有望克服传统冯·诺依曼架构瓶颈.通过调节具有“记忆”功能的忆阻器阻值,实现类似生物大脑的人工神经网络,并对复杂网络信号进行处理,例如图像识别、模式分类和决策执行等.二维材料由于其层状超薄特性和新奇的物理效应,为进一步缩小器件尺寸并实现感存算一体提供了方案.本文综述了基于二维材料的神经形态器件中的物理效应和忆阻特性,并详细阐述了神经形态器件对LIF(leaky integrate and fire)模型、Hodgkin-Huxley模型等神经元模型以及长期可塑性、短期可塑性、放电时间依赖可塑性和尖峰频率依赖可塑性的模拟.在此基础上,进一步介绍了基于二维材料的神经形态器件在视觉、听觉以及触觉等领域的探索性应用.最后本文总结了当前研究领域面临的问题以及对未来应用前景的展望. 展开更多
关键词 神经形态器件 人工神经网络 忆阻器 二维材料
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能信耦合的类神经形态器件技术展望
6
作者 张晓琨 陶治颖 +2 位作者 宫勇吉 贾若男 向勇 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第10期1151-1160,共10页
随着智能化时代的到来,云计算、人工智能、物联网等领域的兴起,全球电子终端设备数量剧增,电子终端设备的性能和功耗矛盾日益凸显。类神经形态器件相较于传统CMOS器件在算力、能效方面优势显著。为了更好地了解类神经形态器件的发展现状... 随着智能化时代的到来,云计算、人工智能、物联网等领域的兴起,全球电子终端设备数量剧增,电子终端设备的性能和功耗矛盾日益凸显。类神经形态器件相较于传统CMOS器件在算力、能效方面优势显著。为了更好地了解类神经形态器件的发展现状,明确其未来发展方向,首先综合评述了典型的类神经形态器件研究进展,而后分析了现有类神经形态器件技术的瓶颈问题,进而提出了通过能量与信息耦合,推动类神经形态器件进一步提高性能、降低功耗的策略,并讨论了能信耦合类神经形态器件的物理可行性和应用潜力,最后展望了智能化时代对于电子信息器件的发展需求,以及未来能信耦合器件的发展思路和研究重点。 展开更多
关键词 类脑计算 神经形态器件 综述 能信耦合 低功耗
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一种新型信息处理器件:神经形态器件
7
作者 刘逸龙 李晖 +2 位作者 苏琳琳 李欣蔚 杨成东 《光电子.激光》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期761-784,共24页
人工智能时代呈现指数增长的待处理数据量对计算机能效提出了更高的要求。因此,在后摩尔时代显然迫切需要开发新型的计算机技术来应对这种挑战。受人脑并行运算架构的启发,模拟突触器件基于“存算一体”架构被认为是突破传统冯·诺... 人工智能时代呈现指数增长的待处理数据量对计算机能效提出了更高的要求。因此,在后摩尔时代显然迫切需要开发新型的计算机技术来应对这种挑战。受人脑并行运算架构的启发,模拟突触器件基于“存算一体”架构被认为是突破传统冯·诺依曼瓶颈的有效技术。本文着重梳理了神经形态器件的忆阻机制,按照编程方式对近期突触器件的相关工作开展了分类解读,并结合器件特性介绍了它们在感知模拟等方面的潜在应用。最后,总结了当前神经形态器件所面临的关键技术挑战,并对其未来的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 神经形态器件 人工突触 忆阻器 晶体管
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一种可用于智能监测的量子点神经形态显示器件
8
作者 连敏锐 《电视技术》 2024年第6期69-74,共6页
制备了基于量子点的神经形态显示器件。通过新一代显示技术量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)与人工神经突触的有机结合,将处理模块和显示像素集成到一个器件上。进行任务决策和智能显示时,由于其存算一体的特... 制备了基于量子点的神经形态显示器件。通过新一代显示技术量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)与人工神经突触的有机结合,将处理模块和显示像素集成到一个器件上。进行任务决策和智能显示时,由于其存算一体的特性,不用频繁调动数据,降低了功耗并提高了计算效率。神经形态显示器件的发射光强度直接显示了器件对不同频率的脉冲刺激的处理结果。在对水果的智能监测中,该器件可以实现对变质水果的有效识别和可视化警报。 展开更多
关键词 智能显示 神经形态器件 量子点
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神经形态器件研究进展与未来趋势 被引量:7
9
作者 王洋昊 刘昌 +1 位作者 黄如 杨玉超 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期904-915,共12页
大数据时代的信息爆炸、摩尔定律的逐渐减缓和"万物互联"的最终愿景使得发展高性能的非传统计算迫在眉睫. 21世纪以来,神经形态计算以高度的并行、极低的功耗和存算一体的特征受到了广泛的关注.其中,具有独特物理机制的神经... 大数据时代的信息爆炸、摩尔定律的逐渐减缓和"万物互联"的最终愿景使得发展高性能的非传统计算迫在眉睫. 21世纪以来,神经形态计算以高度的并行、极低的功耗和存算一体的特征受到了广泛的关注.其中,具有独特物理机制的神经形态器件是神经形态计算硬件的基本组成单元,对新型非冯·诺依曼架构芯片的研发乃至类脑智能的最终实现都具有重要意义.本文重点介绍了神经形态器件的研究进展和未来研发的趋势.研究低功耗的神经形态器件与集成方法,提高突触器件的线性度、对称性和开关比以及从动力学角度模拟生物启发的神经系统是该领域的研究热点. 展开更多
关键词 神经形态器件 类脑计算 人工智能 人工突触 人工神经 忆阻器
原文传递
神经形态阻变器件在图像处理中的应用
10
作者 江碧怡 周菲迟 柴扬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第14期344-364,共21页
随着搭载于边缘终端上的图像与视频等数据密集型应用的日益增长,基于传统冯·诺依曼架构的互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)硬件系统正面临着能耗、速度和尺寸等多方面的挑战.神经形态器件包括... 随着搭载于边缘终端上的图像与视频等数据密集型应用的日益增长,基于传统冯·诺依曼架构的互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)硬件系统正面临着能耗、速度和尺寸等多方面的挑战.神经形态器件包括具有存算一体特性的电学阻变器件和具有感存算一体特性的光电阻变器件,因其具有与生物神经系统的高相似度,及其高能效、高集成度、宽带宽等优势,在图像处理应用方面展现出巨大发展潜力.这类器件不仅能够用于加速传统图像低阶预处理和高阶处理中的大量运算,且能用于实现仿生物视觉系统的高效图像处理算法.本文介绍了最近的电学及光电神经形态阻变器件,并结合图像处理算法综述了神经形态阻变器件在图像处理方面的硬件实施和挑战,并对其发展前景提出了思考. 展开更多
关键词 神经形态阻变器件 图像预处理 图像识别
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基于Al_(2)O_(3)/Chitosan叠层栅介质的双栅IGZO神经形态晶体管
11
作者 王靖瑜 万昌锦 万青 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期445-451,共7页
基于铟镓锌氧(IGZO)的双电层(EDL)晶体管以低加工温度、良好的一致性以及丰富的离子动力学等优势,在神经形态感知和计算系统中具有极大的潜在应用前景。然而,双电层IGZO晶体管的高漏电(>10 nA)导致的高能耗以及异常电流尖峰/毛刺一... 基于铟镓锌氧(IGZO)的双电层(EDL)晶体管以低加工温度、良好的一致性以及丰富的离子动力学等优势,在神经形态感知和计算系统中具有极大的潜在应用前景。然而,双电层IGZO晶体管的高漏电(>10 nA)导致的高能耗以及异常电流尖峰/毛刺一直是相关神经形态计算发展的主要障碍之一。本研究提出了一种具有Al_(2)O_(3)/壳聚糖(Chitosan)叠层栅介质的新型IGZO神经形态晶体管。与单层壳聚糖栅介质晶体管相比,引入Al_(2)O_(3)叠层的器件具有78.3 mV/decade的低亚阈值摆幅,在1.8 V电压下1.3 nA的低漏电流(降低约98%),3.73 V的大滞回窗口(提升3.4倍)以及0.86 nA的低兴奋性突触后电流(降低约97%),单脉冲(0.5 V,20 ms)功耗仅为1.7 pJ(降低约96%)。此外,研究还基于双栅EDL协同调控实现了尖峰突触功能的模拟和沟道电流的有效调制,并有效规避突触塑性模拟中高漏电导致的非正常电流尖峰/毛刺。上述结果表明,堆叠高k栅介质可以有效改善神经形态器件的漏电、功耗和性能,为进一步开发超低功耗神经形态感知和计算系统提供了新的思路。 展开更多
关键词 神经形态器件 IGZO晶体管 人造突触 叠层栅介质 高K栅介质 突触可塑性
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柔性神经形态晶体管研究进展
12
作者 杨洋 崔航源 +2 位作者 祝影 万昌锦 万青 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期367-377,共11页
近年来,受人脑独特工作模式的启发,利用人工神经形态器件模拟突触和神经元的感知与计算功能吸引了广泛关注。到目前为止,已经有很多关于神经形态晶体管的报道,但绝大多数器件是在刚性衬底上加工的。柔性神经形态晶体管不仅可以同时实现... 近年来,受人脑独特工作模式的启发,利用人工神经形态器件模拟突触和神经元的感知与计算功能吸引了广泛关注。到目前为止,已经有很多关于神经形态晶体管的报道,但绝大多数器件是在刚性衬底上加工的。柔性神经形态晶体管不仅可以同时实现信号传输和训练学习,对多路信号进行非线性的时空整合与协同调控,而且能密切贴合柔软的人体皮肤,承受器官和组织的高生理应变。更重要的是,柔性神经形态晶体管具有可设计的灵活性和优异的生物兼容性,在检测生物环境中生理相关时间尺度的低幅信号方面具备独特的优势和应用潜力。柔性神经形态晶体管已经广泛应用于电子皮肤、人工视觉系统、智能可穿戴系统等领域。目前,研制低功耗、高密度集成的柔性神经形态晶体管是研究的首要任务之一。本文综述了基于不同柔性衬底的神经形态晶体管的研究进展,并展望了柔性神经形态晶体管的未来应用前景,这将为未来柔性神经晶体管的研制以及智能计算和感知应用提供比较详实的参考。 展开更多
关键词 神经形态器件 柔性电子学 神经形态晶体管 类脑感知与计算 综述
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质子调控型电化学离子突触研究进展
13
作者 范晓波 祖梅 +5 位作者 杨向飞 宋策 陈晨 王子 罗文华 程海峰 《无机材料学报》 北大核心 2025年第3期256-270,共15页
作为神经网络中数量最庞大的组成部分,新型人工突触器件的研发成为硬件实现神经形态计算的关键挑战。基于电化学晶体管的三端突触器件能够有效利用电解质层中的离子来调节通道电导,也被称为电化学离子突触,该器件通过离子在具有氧化还... 作为神经网络中数量最庞大的组成部分,新型人工突触器件的研发成为硬件实现神经形态计算的关键挑战。基于电化学晶体管的三端突触器件能够有效利用电解质层中的离子来调节通道电导,也被称为电化学离子突触,该器件通过离子在具有氧化还原活性的沟道材料中的电化学掺杂和恢复过程来模拟生物突触特性。在调制沟道材料电导的离子中,采用质子(H+)作为掺杂粒子的电化学离子突触具有能耗更低、运行速度更快和循环寿命更长等优势。本文综述了近年来质子调控型电化学离子突触的研究进展,归纳了用于质子调控型电化学离子突触沟道层和电解质层的材料体系,分析了质子调控型电化学离子突触面临的挑战,并展望了其未来的发展。 展开更多
关键词 神经形态器件 人工突触 电化学晶体管 质子 综述
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面向神经形态显示的有机电子材料与器件
14
作者 刘帅 张翔鸿 +2 位作者 刘狄 吴炳坤 陈惠鹏 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期510-520,共11页
数字化时代,高度信息化已成为日常生活的常态.显示技术在人机交互中扮演着至关重要的角色.然而,传统的智能显示技术逐渐难以适应日益复杂的人机交互环境.在这一背景下,神经形态技术作为一种新兴的前沿技术,弥补了现有显示技术的不足之处... 数字化时代,高度信息化已成为日常生活的常态.显示技术在人机交互中扮演着至关重要的角色.然而,传统的智能显示技术逐渐难以适应日益复杂的人机交互环境.在这一背景下,神经形态技术作为一种新兴的前沿技术,弥补了现有显示技术的不足之处.通过将神经形态技术与传统显示技术有机结合,可以充分发挥其在传感、驱动和显示方面的巨大优势.有机电子器件具有低制备成本、材料多样性等优势,能赋予基于其构建的神经形态器件丰富的功能性.因此,神经形态显示有望成为有机电子学未来在显示技术发展的重要方向之一,可以为日益复杂的人机交互环境提供更出色的解决方案.本综述全面总结了有机神经形态技术在显示技术中的最新进展,归纳了其在神经形态显示中的3个重要发展方向,并探讨了其最先进的设计和未来可能的发展. 展开更多
关键词 神经形态器件 神经形态显示 显示技术 有机发光突触 人工神经
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铪基氧化物材料及其器件应用 被引量:1
15
作者 康晋锋 《微纳电子与智能制造》 2019年第4期4-9,共6页
随着信息与集成电路技术和产业的快速发展,目前已经进入到大数据与后摩尔技术时代,如何快速有效地处理海量复杂信息,成为传统的微电子集成电路技术面临的巨大的挑战与发展瓶颈,探索研究并提出变革性技术,突破传统技术路线与发展途径的... 随着信息与集成电路技术和产业的快速发展,目前已经进入到大数据与后摩尔技术时代,如何快速有效地处理海量复杂信息,成为传统的微电子集成电路技术面临的巨大的挑战与发展瓶颈,探索研究并提出变革性技术,突破传统技术路线与发展途径的发展瓶颈,成为当前国际微电子集成电路技术领域研究的必然趋势。其中,采用类脑型神经形态计算方式,拟通过模拟人类大脑处理信息的方式,有望解决传统技术的瓶颈问题,成为变革性技术发展路线之一。类脑型神经形态计算方式与系统实现的基础是能够满足新系统需求的新型功能器件的发明与构建,而新型功能器件的构建,必须依赖新效应材料研究与应用作为支撑。针对新型铪基氧化物中所展现的丰富物理效应、独特优异特性及其在神经形态忆阻器件研究方面的现状与前景进行概述与展望,力图从材料发展的基础方面,为变革性技术发展探索可能的发展途径。 展开更多
关键词 铪基氧化物 阻变效应 铁电效应 忆阻与神经形态器件
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基于二维层状硒氧化铋电子器件的进展
16
作者 刘博 周丽星 冯士维 《微纳电子与智能制造》 2021年第4期59-65,共7页
在现今这个大数据及后摩尔时代,集成电路制造领域同时面临着机遇与挑战。由于器件的尺寸微缩逐步到了其物理极限,国际半导体技术蓝图ITRS/国际器件系统路线图IDRS预测需要新的器件与材料来应对目前集成电路制造领域面临的困难与挑战。... 在现今这个大数据及后摩尔时代,集成电路制造领域同时面临着机遇与挑战。由于器件的尺寸微缩逐步到了其物理极限,国际半导体技术蓝图ITRS/国际器件系统路线图IDRS预测需要新的器件与材料来应对目前集成电路制造领域面临的困难与挑战。二维材料的发现与提出,给电子器件领域提供了新的思路。经过石墨烯,二硫化钼等二维材料电子器件的开发与测试,硒氧化铋,作为新一代二维层状半导体材料成为了电子器件领域新的热点方向。本文从硒氧化铋的晶格结构、材料生长、晶体管、忆阻器、神经形态器件等5个方面进行简要介绍,也对基于二维层状硒氧化铋电子器件的发展进行展望。 展开更多
关键词 硒氧化铋 晶体管 存储器 神经形态器件
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面向神经形态计算的智能芯片与器件技术 被引量:3
17
作者 王宗巍 杨玉超 +4 位作者 蔡一茂 朱涛 丛杨 王志衡 黄如 《中国科学基金》 CSCD 北大核心 2019年第6期656-662,共7页
基于第216期"双清论坛"关于人工智能芯片发展的主题报告和分组讨论,本文着重介绍了面向神经形态计算的智能芯片与器件技术的国内外主要研究进展及存在的挑战,包括人工神经网络加速器、基于传统CMOS的神经形态智能芯片、新型... 基于第216期"双清论坛"关于人工智能芯片发展的主题报告和分组讨论,本文着重介绍了面向神经形态计算的智能芯片与器件技术的国内外主要研究进展及存在的挑战,包括人工神经网络加速器、基于传统CMOS的神经形态智能芯片、新型神经形态器件技术及基于新器件的神经形态芯片等内容,探讨了神经形态智能芯片面临的关键问题和未来发展趋势。 展开更多
关键词 人工智能 类脑计算 神经形态芯片 神经形态器件
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一种在空气中运行稳定的界面保护型光学神经突触器件
18
作者 李欣蔚 杨成东 +1 位作者 苏琳琳 刘逸龙 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期250-257,共8页
提出了利用在二氧化硅表面覆盖一层超薄(7 nm)致密的氮化硅来隔离空气中氧气的方法,氮化硅低的隧穿势垒能够保证电子通过并到达二氧化硅界面,形成电子捕获态。这样的器件设计极大地提高了器件在空气中的运行稳定性。此外,还模拟了突触... 提出了利用在二氧化硅表面覆盖一层超薄(7 nm)致密的氮化硅来隔离空气中氧气的方法,氮化硅低的隧穿势垒能够保证电子通过并到达二氧化硅界面,形成电子捕获态。这样的器件设计极大地提高了器件在空气中的运行稳定性。此外,还模拟了突触可塑性行为。该设计不仅能够确保基于二氧化硅界面捕获的突触器件在空气中稳定地运行,而且能够为解决器件运行稳定性问题提供一种可行思路。 展开更多
关键词 神经形态器件 肖特基二极管 界面捕获 界面保护
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聚咔唑对SWCNTs-TFT的电化学功能化及其应用
19
作者 周易 王盛凯 +2 位作者 黄奇 赵杰 梁学磊 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期44-49,共6页
在SWCNTs-TFT器件中沟道电流随栅极电压变化而发生的滞回可以达到320 V,且其滞回特性受栅压调控并具有随时间变化的特性。经研究,聚咔唑中的高电化学活性基团是造成器件中滞回现象和其时变特性的主要原因。利用聚咔唑筛选出半导体特性的... 在SWCNTs-TFT器件中沟道电流随栅极电压变化而发生的滞回可以达到320 V,且其滞回特性受栅压调控并具有随时间变化的特性。经研究,聚咔唑中的高电化学活性基团是造成器件中滞回现象和其时变特性的主要原因。利用聚咔唑筛选出半导体特性的SWCNTs薄膜制备TFT,可以在器件特性随时间变化的过程中动态地处理信息。通过研究阈值电压漂移与栅级电压的调控,找到了器件与生物突触间的相似性,模拟了突触可塑性功能,并利用压电薄膜作为外界输入,演示了更多可能的低功耗应用。这种具有时变特性的电子元件在新型逻辑电路和神经形态计算领域拥有广阔前景。 展开更多
关键词 聚咔唑 单壁碳纳米管 薄膜晶体管 滞回 神经形态器件
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有机电化学类脑仿生电子器件研究进展 被引量:1
20
作者 徐运超 靳晨星 +1 位作者 孙佳 阳军亮 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期425-445,共21页
类脑计算被普遍认为是一种可以实现高算力、低功耗的全新计算范式,有望突破传统“冯·诺伊曼”架构瓶颈.近年来,受人脑独特工作模式的启发,利用新型器件构建具备存算一体功能的类脑器件获得了广泛关注.从底层出发研制具有生物突触... 类脑计算被普遍认为是一种可以实现高算力、低功耗的全新计算范式,有望突破传统“冯·诺伊曼”架构瓶颈.近年来,受人脑独特工作模式的启发,利用新型器件构建具备存算一体功能的类脑器件获得了广泛关注.从底层出发研制具有生物突触行为的神经突触器件对于研制超低功耗“类脑芯片”和实现神经形态感知系统意义十分重大.其中,有机电化学晶体管(OECTs)作为人工突触研究中的一个新分支,因其具有更高的跨导、低驱动电压、良好的机械柔韧性和生物相容性而得到了广泛研究.在结构上,OECTs沟道与电解质直接接触,通过离子掺杂/脱掺杂的方式调节沟道电导,工作原理类似于生物系统的离子驱动过程和动力学.因此,利用OECTs开发多感知和生物兼容的类脑仿生系统是一种可行的方案.本文综述了有机电化学类脑仿生电子器件的研究进展,并且探讨了该领域目前存在的挑战和发展趋势. 展开更多
关键词 有机电化学晶体管 类脑仿生器件 神经形态器件 类脑感知与计算
原文传递
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