医用金属表面溶胶-凝胶法和离子束合成TiO_2薄膜的结构、性能比较 被引量：7

1

作者 刘敬肖 杨大智 +1 位作者 史非 蔡英骥 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期797-804,共8页

采用溶胶-凝胶法和离子束增强沉积法在医用NiTi合金表面制备TiO2薄膜以提高其生物相容性.利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和X光电子能谱（XPS）对薄膜的结构、表面形貌及组成进行了比较研究;电化学腐蚀实验表明,两种方法制备... 采用溶胶-凝胶法和离子束增强沉积法在医用NiTi合金表面制备TiO2薄膜以提高其生物相容性.利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和X光电子能谱（XPS）对薄膜的结构、表面形貌及组成进行了比较研究;电化学腐蚀实验表明,两种方法制备的TiO2薄膜对金属基体均起到一种保护膜的作用,能够提高医用金属材料在模拟体液中的抗腐蚀性;对薄膜表面固定肝素抗凝血分子进行研究发现,溶胶-凝胶法制备的TiO2薄膜表面能够获得较好的肝素固定效果. 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 离子束合成 TIO2薄膜 肝素 固定 结构 性能 药物载体 医用金属材料 生物陶瓷膜

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CeSi_2薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性 被引量：3

2

作者 程国安 徐松兰 +3 位作者 叶敦茹 朱景环 肖志松 曾庆城 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期36-41,共6页

将能量为45keV的Ce离子注入到Si单晶片中，研究硅化铈薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性．透射电镜观察表明在单晶硅的表面形成厚100nm的Ce离子注入层，选区电子衍射和X射线衍射分析表明注入层内形成了CeSi2．CeSi2的结晶程度随注... 将能量为45keV的Ce离子注入到Si单晶片中，研究硅化铈薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性．透射电镜观察表明在单晶硅的表面形成厚100nm的Ce离子注入层，选区电子衍射和X射线衍射分析表明注入层内形成了CeSi2．CeSi2的结晶程度随注入剂量的增加而逐渐完整．用远紫外光激发得到了室温蓝紫色PL谱．以红光（650～700nm）激发，则上转换蓝光和紫光发射的效率较高，其发光特性比较稳定．蓝光和紫光受激发射峰的强度随注入剂量的增加而迅速增加． 展开更多

关键词 CeSi2 离子束合成 光致蓝紫光谱 薄膜 室温

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C-N多晶的离子束合成及分析

3

作者 姚淑德 陈守元 +5 位作者 马军 张亚伟 丰伟静 王雪梅 吴名枋 唐超群 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期354-356,共3页

介绍了用离子束合成法研制新型材料β－C3N4的条件及过程，用RBS、XRD等手段分析研究该方法生成物的配比、结构和物相，观察到CN化合物多晶。

关键词 氮化碳 离子束注入 多晶 离子束合成 CN薄膜

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离子束合成SIMOX技术的进展

4

作者 林成鲁 周祖尧 +2 位作者 竺士炀 林梓鑫 倪如山 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第3期137-142,共6页

综述了离子束科学技术领域新的重要进展──从作为半导体掺杂手段的低剂量（１０１１～１０１６／ｃｍ２）离子注入到高剂量（１０１７～１０１８／ｃｍ２）离子注入合成新材料的离子束合成技术。讨论了高剂量注入的物理效应，介绍了利... 综述了离子束科学技术领域新的重要进展──从作为半导体掺杂手段的低剂量（１０１１～１０１６／ｃｍ２）离子注入到高剂量（１０１７～１０１８／ｃｍ２）离子注入合成新材料的离子束合成技术。讨论了高剂量注入的物理效应，介绍了利用高剂量氧注入硅合成ＳＩＭＯＸ材料的物理过程以及ＳＩＭＯＸ技术的多种应用。提出了提高ＳＩＭＯＸ材料性能的各种途径。 展开更多

关键词 半导体材料 SOI 离子注入 离子束合成 SIMOX

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用新型核技术——沟道离子束合成法研制稀土硅化物

5

作者 姚淑德 吴名枋 《青岛大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第A00期286-289,共4页

新型核技术－沟道离子束合法，在研制稀土金属硅化物的过程中被发展和采用，沟道离子合成法比传统的注入方法有很多优点，背散射沟道分析，电镜分析和Ｘ射线衍射测试结果表明，生成的稀土硅化物具有很好的结晶品质和很高的相稳定性。

关键词 沟道离子束合成 稀土硅化物 相稳定性 结晶

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离子束合成SOI多层结构的研究

6

作者 林成鲁 张顺开 +3 位作者 朱文化 邹世昌 李金华 P.L.F.Hemment 《微细加工技术》 1991年第3期43-49,共7页

本文报道了借助高剂量离子注入、高温退火等技术获得不同类型SOI(Silicon on Insulator)材料的形成过程及其多层结构。以离子背散射和沟道技术、Auger能谱、透射电子显微镜、扩展电阻测试以及红外透射和反射等分析方法对这些SOI结构进... 本文报道了借助高剂量离子注入、高温退火等技术获得不同类型SOI(Silicon on Insulator)材料的形成过程及其多层结构。以离子背散射和沟道技术、Auger能谱、透射电子显微镜、扩展电阻测试以及红外透射和反射等分析方法对这些SOI结构进行表征。比较了注O^+和注N^+两种SOI材料的优缺点。研究表明,高质量的SOI材料能够通过离子束合成技术获得。 展开更多

关键词 SOI 离子束合成 多层结构 薄膜

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在950℃Si基体上用离子束合成β—SiC

7

作者 李民 《等离子体应用技术快报》 1998年第2期17-18,共2页

关键词 碳化硅 硅基体 离子束合成 Β-SIC

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通过对6H—SiC的W＋植入实现离子束合成

8

作者 普丁 《等离子体应用技术快报》 1997年第9期16-17,共2页

关键词 钨离子 离子注入 离子束合成 碳化硅

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平面光电子器件的离子束合成

9

作者 Polma.,A 蒋永鹂 《国外核聚变与等离子体应用》 1997年第4期70-75,共6页

关键词 离子束合成 光电子器件 掺铒光波导

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离子束合成的FeSi2的电学,光学和材料性质

10

作者 甘德昌 《等离子体应用技术快报》 1997年第1期17-18,共2页

关键词 材料性质 离子束合成 半导体复合物层

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Ti-O/Ti-N复合薄膜的离子束合成及人工心脏瓣膜材料表面改性研究 被引量：2

11

作者 黄楠 杨萍 +10 位作者 曾小兰 蔡光军 陈元儒 柳襄怀 张峰 郑志宏 周祖尧 奚廷斐 王春仁 田文华 雷学会 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1997年第1期40-46,共7页

采用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）等方法在热解碳、钛及钴合金等人工心脏瓣膜材料表面制备Ｔｉ－Ｏ、Ｔｉ－Ｎ及其复合薄膜。对薄膜的成分、结构进行了研究，测定了材料的电阻率，对薄膜材料的血液相容性和力学性能进行了系统的研究。结... 采用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）等方法在热解碳、钛及钴合金等人工心脏瓣膜材料表面制备Ｔｉ－Ｏ、Ｔｉ－Ｎ及其复合薄膜。对薄膜的成分、结构进行了研究，测定了材料的电阻率，对薄膜材料的血液相容性和力学性能进行了系统的研究。结果表明：合成薄膜具有优于热解碳的血液相容性和力学性能，提出了材料的血液相容性机理模型。 展开更多

关键词 人工心脏 瓣膜材料 氧化钛 氮化钛 离子束合成

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从离子注入到离子束合成──离子束领域的重大进展

12

作者 邹世昌 林成鲁 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1995年第1X期39-48,共10页

本文综述了离子束科学技术领域新的重大进展─从作为半导体掺杂手段的低剂量（１０￣（１１）～１０￣（１６）／ｃｍ￣２）离子注入到高剂量（１０￣（１７）～１０￣（１８）／ｃｍ￣２）离子注入以合成（ＩＢＳ）新材料。文中讨论了... 本文综述了离子束科学技术领域新的重大进展─从作为半导体掺杂手段的低剂量（１０￣（１１）～１０￣（１６）／ｃｍ￣２）离子注入到高剂量（１０￣（１７）～１０￣（１８）／ｃｍ￣２）离子注入以合成（ＩＢＳ）新材料。文中讨论了高剂量注入的物理效应，利用高剂量氧注入硅合成ＳＩＭＯＸ材料的物理过程以及离子束合成的多种应用。 展开更多

关键词 离子注入 离子束合成 SIMOX 离子束

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离子束合成钇硅化物的结构及红外谱特征

13

作者 王文武 谢二庆 贺德衍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期233-236,共4页

将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层 .利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式 .结果表明 ,Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2 结构相 .... 将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层 .利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式 .结果表明 ,Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2 结构相 .真空下的红外光辐照处理促使YSi2 择优取向生长 ,埋层中Si与Y的平均原子浓度比由2 4下降为 2 0 ,与六方YSi2 的化学计量比一致 .还给出了钇硅化物的特征红外吸收谱 . 展开更多

关键词 离子束合成 钇硅化物 离子注入 红外光辐照处理 特征红外光谱 大规模集成电路

原文传递

新型超硬材料氮化碳CN_x的离子束合成的研究

14

作者 辛火平 林成鲁 +5 位作者 许华平 邹世昌 石晓红 吴兴龙 朱宏 P.L.F.Hemment 《中国科学（E辑）》 CSCD 1996年第3期210-215,共6页

报道了利用100Kev高剂量N^+在不同的温度条件下注入C膜合成新型超硬材料β-C_3N_4的新结果.对这种新材料进行了X射线光电子能谱,Fourier变换红外光谱、Raman光谱、剖面透射电子显微镜、Rutherford背散射谱、X射线衍射及Vickers显微硬度... 报道了利用100Kev高剂量N^+在不同的温度条件下注入C膜合成新型超硬材料β-C_3N_4的新结果.对这种新材料进行了X射线光电子能谱,Fourier变换红外光谱、Raman光谱、剖面透射电子显微镜、Rutherford背散射谱、X射线衍射及Vickers显微硬度等测量.结果表明利用100Kev高剂量N^+注入C膜成功地合成了埋层氮化碳CN_(?)膜中C≡N共价键的形成导致膜的硬度明显提高.最后利用Implantation of Reactive Ions into Silicon (IRIS)计算程序模拟了相同条件的N^+注入C膜合成埋层β-C_3N_4的形成过程,结果与实验符合较好. 展开更多

关键词 离子束合成 C≡N共价键 超硬材料 氮化碳

原文传递

固相反应和离子注入制备硅化镍薄膜

15

作者 张兴旺 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期131-135,共5页

采用固相反应和镍离子注入硅方法分别制备了硅化镍薄膜,利用卢瑟福背散射谱(RBS),X射线衍射(XRD)和喇曼光谱对它们的成分和结构进行了表征.结果表明固相反应方法中,硅化镍薄膜的相结构取决于不同的热退火条件,纯相的NiSi2薄膜需要在高温... 采用固相反应和镍离子注入硅方法分别制备了硅化镍薄膜,利用卢瑟福背散射谱(RBS),X射线衍射(XRD)和喇曼光谱对它们的成分和结构进行了表征.结果表明固相反应方法中,硅化镍薄膜的相结构取决于不同的热退火条件,纯相的NiSi2薄膜需要在高温(1123K)下两步热退火才能获得.而利用离子注入方法,则可以在较低温度(523K)下直接得到单相的NiSi2薄膜.在30～400 K范围内测量了它们的电阻率和霍尔迁移率随温度的变化关系,结果表明固相反应制备的NiSi和NiSi2薄膜都表现出典型的金属性电导行为,而离子注入制备的NiSi2薄膜则表现出完全不同的电学性质. 展开更多

关键词 固相反应 离子束合成 硅化镍薄膜 电学性质

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SiC及其离子束技术在SiC研究中的应用

16

作者 阳生红 《中山大学研究生学刊（自然科学与医学版）》 2000年第1期8-12,共5页

本文阐述了宽禁带半导体材料SiC的晶体结构、材料特性及制备方法。同时综述了离子束技术在SiC研究中的应用。其中包括SiC的离子束合成、掺杂、器件隔离与钝化。

关键词 SIC 晶体结构 离子束技术 宽禁带导体材料 碳化硅 离子束合成 掺杂

全文增补中

萨里大学使用离子束的新进展

17

作者 Seal.,BJ 巴兵 《国外核聚变与等离子体应用》 1996年第5期76-78,共3页

关键词 离子束 半导体材料 离子束合成 离子植入

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C^+注入Si中形成SiC的初步研究 被引量：2

18

作者 吴春瑜 王颖 +1 位作者 刘兴辉 黄和鸾 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2000年第1期46-48,共3页

将C+离子注入硅衬底,衬底温度约为400℃,C+离子引出电压为45keV注入剂量为5×1017cm-2.经高温退火形成碳化硅沉淀,利用X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及傅立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层作了初步的分析.

关键词 碳化硅 离子束合成 能量损失谱 半导体材料

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SiC埋层结构与C^+注入剂量关系

19

作者 严辉 陈光华 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期299-302,共4页

采用MetalVaporVacuumArc（MEVVA）离子源的离子束合成法，往Si衬底注入剂量为3．0×1017～1.6×1018cm-2的C+制成SiC埋层，C+离子束的引出能量为50keV．光电子能谱和红外吸收谱表明SiC埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用ME... 采用MetalVaporVacuumArc（MEVVA）离子源的离子束合成法，往Si衬底注入剂量为3．0×1017～1.6×1018cm-2的C+制成SiC埋层，C+离子束的引出能量为50keV．光电子能谱和红外吸收谱表明SiC埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用MEVVA离子源可以在平均衬底温度低于400℃时得到含有立方结构的SiC埋层. 展开更多

关键词 MEVVA离子源 离子束合成 注入剂量 碳化硅埋层

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高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究

20

作者 邢玉梅 俞跃辉 +2 位作者 林梓鑫 宋朝瑞 杨文伟 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第3期323-326,共4页

采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透... 采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。 展开更多

关键词 碳化硅 埋层 离子束合成 结构 退火 结晶性能

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