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低能离子注入诱变法选育新硫肽类抗生素166A高产菌株
1
作者 戴剑漉 李艳青 +3 位作者 李欣 蒋忠科 赫卫清 孙承航 《中国抗生素杂志》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期995-1003,共9页
目的为进一步提高产量,以小单孢菌Micromonospora sp.TMD166-MU1为出发菌株,采用低能离子注入技术,研究不同离子注入参数对菌株存活率、正负突变率的影响,通过突变株抑菌活性变势参数分析,初步探讨N+离子注入对166A生产菌所产生的诱变效... 目的为进一步提高产量,以小单孢菌Micromonospora sp.TMD166-MU1为出发菌株,采用低能离子注入技术,研究不同离子注入参数对菌株存活率、正负突变率的影响,通过突变株抑菌活性变势参数分析,初步探讨N+离子注入对166A生产菌所产生的诱变效果,并结合卡那霉素抗性筛选及牛津杯固体发酵高通量筛选,获得高产菌株。方法利用低能N+离子注入技术对出发菌株TMD166-MU1的孢子进行辐照诱变,以卡那霉素耐受性为选择压力,不同诱变条件处理的菌悬液涂布在含有卡那霉素培养基平板上培养后获得单菌落,并以牛津杯固体发酵高通量筛选方法进行高产菌株初筛,之后对高产菌株进行摇瓶复筛,利用高效液相法检测突变株摇瓶发酵的化学效价。结果通过研究30和60 keV能量下不同注入剂量与小单孢菌正突变率的生物学效应关系,确定了在注入能量为30 keV、注入剂量4×10^(13)ions/cm^(2)、卡那霉素抗性筛选浓度为6 mg/L条件下,可获得最高达36.33%的正突变率。复筛效价是出发菌株1.5倍以上的有4株,其中突变株IK-3的166A产量是菌株TMD166-MU1的1.8倍。结论采用低能N+离子注入诱变方式,再结合抗生素抗性筛选及牛津杯固体发酵高通量筛选的集成方法能简单、高效地获得166A高产突变菌株。 展开更多
关键词 新硫肽类抗生素166A 低能离子注入 诱变 抗生素抗性筛选 高通量筛选 高产菌株
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氢离子注入钽酸锂的翘曲变化及颗粒研究
2
作者 龙勇 肖梦涵 +5 位作者 陈哲明 邹少红 刘善琼 石自彬 丁雨憧 马晋毅 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第4期591-595,共5页
声表面波(SAW)滤波器急需使用高质量的钽酸锂压电单晶复合薄膜衬底材料来提升性能。离子注入后,晶圆翘曲增大,颗粒增加,键合工艺易产生不规则条纹和键合空洞等缺陷,严重阻碍高质量钽酸锂压电单晶复合薄膜材料的制备。通过X线衍射(XRD)... 声表面波(SAW)滤波器急需使用高质量的钽酸锂压电单晶复合薄膜衬底材料来提升性能。离子注入后,晶圆翘曲增大,颗粒增加,键合工艺易产生不规则条纹和键合空洞等缺陷,严重阻碍高质量钽酸锂压电单晶复合薄膜材料的制备。通过X线衍射(XRD)、聚焦离子束透射电镜(FIB-TEM)及颗粒测试仪等设备对注入内部应力、损伤和颗粒变化进行分析表征,解释了翘曲增大和颗粒增多的原因,并提出了相应的解决方法,最后成功制备了翘曲低、颗粒少的注入晶圆。通过键合工艺进一步验证,获得了无条纹和空洞等缺陷的高质量键合晶圆,为钽酸锂压电单晶复合薄膜的高效制备奠定了基础。 展开更多
关键词 离子注入 钽酸锂压电晶圆 翘曲 颗粒 键合
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第二十三讲 离子注入与离子辅助沉积技术
3
作者 张以忱 《真空》 CAS 2024年第6期85-88,共4页
(接2024年第5期112页)图3给出了气体离子注入设备的基本结构。它包括:离子源、聚焦系统、加速系统、分析磁铁、扫描装置和靶室等。离子源的基本作用是产生正离子,其电离室由不锈钢制成,电离室外套有一个电磁线圈。
关键词 离子辅助沉积 电磁线圈 电离室 聚焦系统 扫描装置 离子注入 分析磁铁 离子源
原文传递
第二十三讲 离子注入与离子辅助沉积技术
4
作者 张以忱 《真空》 CAS 2024年第5期110-112,共3页
本讲主要内容:了解离子注入技术的基础理论、设备和工艺必备条件;了解各种离子源的结构及工作原理;了解半导体离子掺杂工艺与热扩散的差异;了解真空离子辅助沉积技术的原理和应用特点;了解离子辅助沉积技术与真空离子镀膜技术的各自特... 本讲主要内容:了解离子注入技术的基础理论、设备和工艺必备条件;了解各种离子源的结构及工作原理;了解半导体离子掺杂工艺与热扩散的差异;了解真空离子辅助沉积技术的原理和应用特点;了解离子辅助沉积技术与真空离子镀膜技术的各自特点和异同;了解不同离子辅助沉积工艺的原理、工艺过程及应用特点;了解真空离子辅助沉积镀膜技术的发展态势。 展开更多
关键词 离子辅助沉积 离子注入技术 镀膜技术 热扩散 工艺过程 离子掺杂 真空离子镀膜 基础理论
原文传递
离子注入过程中的颗粒污染来源及管控措施
5
作者 申强 刘鼎铭 赵伟涵 《电子工业专用设备》 2024年第5期32-36,68,共6页
离子注入作为半导体制造中的关键工艺之一,其工艺过程中产生的颗粒污染已经成为影响器件性能和成品率的重要因素。通过分析离子注入工艺过程中颗粒污染的种类和来源,阐述了工艺过程中预防和管控颗粒污染的措施,并通过对比试验,分析了注... 离子注入作为半导体制造中的关键工艺之一,其工艺过程中产生的颗粒污染已经成为影响器件性能和成品率的重要因素。通过分析离子注入工艺过程中颗粒污染的种类和来源,阐述了工艺过程中预防和管控颗粒污染的措施,并通过对比试验,分析了注入过程中扫描次数、定向台定向、机械手传片、片库抽泄真空和靶台压盖升降对圆片表面颗粒的影响程度,为离子注入过程中的颗粒污染控制提供依据和建议。 展开更多
关键词 离子注入 颗粒污染 控制措施
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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究
6
作者 何苗 周易 +7 位作者 应翔霄 梁钊铭 黄敏 王志芳 朱艺红 廖科才 王楠 陈建新 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期15-22,共8页
Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种... Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术,研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入,外延材料由P型变为N型,超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变,晶格常数变大,且失配度随着注入能量的增大而增大,注入前失配度为-0.012%,当注入能量到200 keV时,失配度达到0.072%,超晶格部分弛豫,弛豫程度为14%,而在300℃ 60 s退火后,超晶格恢复完全应变状态,且晶格常数变小,这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。 展开更多
关键词 InAs/GaSbⅡ类超晶格 离子注入 平面结 退火 HRXRD
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离子注入诱导成核外延高质量AlN
7
作者 余森 许晟瑞 +6 位作者 †陶鸿昌 王海涛 安瑕 杨赫 许钪 张进成 郝跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第19期244-250,共7页
超宽禁带AlN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、直接带隙等优势,被广泛应用于光电子器件和电力电子器件等领域.AlN材料的质量影响着AlN基器件的性能,为此研究人员提出了多种方法来提高异质外延AlN晶体的质量,但是这些方法工艺... 超宽禁带AlN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、直接带隙等优势,被广泛应用于光电子器件和电力电子器件等领域.AlN材料的质量影响着AlN基器件的性能,为此研究人员提出了多种方法来提高异质外延AlN晶体的质量,但是这些方法工艺复杂且成本高昂.因此,本文提出了诱导成核的新方法来获得高质量的AlN材料.首先,对纳米图案化的蓝宝石衬底注入不同剂量的N离子进行预处理,随后基于该衬底用金属有机化学气相沉积法外延AlN基板,并在其上生长多量子阱结构,最后基于此多量子阱结构制备紫外发光二极管.研究结果表明,在注入N离子剂量为1×10^(13) cm^(-2)的衬底上外延获得的AlN基板,其表面粗糙度最小且位错密度最低.由此可见,适当剂量的N离子注入促进了AlN异质外延过程中的横向生长与合并过程;这可能是因为N离子的注入,抑制了初期成核过程中形成的扭曲的镶嵌结构,有效地降低了AlN的螺位错以及刃位错密度.此外,基于该基板制备的多量子阱结构,其残余应力最小,光致发光强度提高到无注入样品的152%.此外,紫外发光二极管的光电性能大幅提高,当注入电流为100 mA时,光输出功率和电光转换效率分别提高了63.8%和61.7%. 展开更多
关键词 氮化铝 离子注入 金属有机化学气相淀积 发光二极管
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Al_(2)O_(3)对Ti膜离子注入表面损伤及D滞留量的影响研究
8
作者 胡江钰 范宇 +3 位作者 梁参军 郝丽娟 刘朝伟 宋勇 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1664-1668,共5页
为提高中子管Ti膜的储氢及抗溅射损伤性能,该研究通过在Ti膜表面沉积一层Al_(2)O_(3)保护层,研究了该保护层对Ti膜在D离子注入过程中表面损伤及D滞留量的影响。采用射频磁控溅射技术完成了Ti膜和表面有Al_(2)O_(3)保护层的Ti膜(Al_(2)O_... 为提高中子管Ti膜的储氢及抗溅射损伤性能,该研究通过在Ti膜表面沉积一层Al_(2)O_(3)保护层,研究了该保护层对Ti膜在D离子注入过程中表面损伤及D滞留量的影响。采用射频磁控溅射技术完成了Ti膜和表面有Al_(2)O_(3)保护层的Ti膜(Al_(2)O_(3)/Ti膜)样品的制备,开展了D离子注入实验,利用扫描电子显微镜(SEM)对D离子注入前后的表面形貌进行分析,并通过热脱附谱(TDS)实验研究保护层对Ti膜中D滞留量的影响。SEM结果表明,注入5×10^(17)个D离子后,Ti膜表面出现开裂和剥离现象,而Al_(2)O_(3)/Ti膜表面无开裂和剥离现象,Al_(2)O_(3)保护层抑制了Ti膜的开裂和剥离,可提高Ti膜使用寿命。TDS实验结果表明,增加Al_(2)O_(3)保护层后,D脱附峰值温度提升4.9%,膜内D滞留量提升10.3%,在D离子注入过程中Al_(2)O_(3)保护层可阻止膜内D原子的释放进而提升Ti膜内D滞留量。该文初步验证了Al_(2)O_(3)有作为中子管Ti膜保护层材料的潜力。 展开更多
关键词 中子管靶 Ti膜 Al_(2)O_(3)保护层 离子注入 D滞留量
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离子注入对聚合物表面改性的研究与应用
9
作者 丁宁 王强 +2 位作者 韩璐 王冬阳 庞田田 《当代化工研究》 CAS 2024年第5期134-136,共3页
通过离子注入技术,可以对聚合物材料进行表面改性的处理,有效地改善其表面性能。本文介绍了不同离子注入聚合物所引起的聚合物性能的改变,并分析了引起聚合物性质变化的原因。
关键词 聚合物 离子注入 表面改性
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喷丸和离子注入对镁合金摩擦腐蚀性能的影响
10
作者 罗书鹏 窦忠宇 李粉 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第9期34-39,92,共7页
针对镁合金摩擦耐蚀性能差的问题,对镁合金AZ31进行喷丸和离子注入工艺处理,研究不同强化工艺对镁合金摩擦和耐蚀性能的影响,使用X射线衍射仪、显微硬度计、摩擦磨损试验机、电化学工作站等对强化处理后的镁合金试样进行了测试与表征。... 针对镁合金摩擦耐蚀性能差的问题,对镁合金AZ31进行喷丸和离子注入工艺处理,研究不同强化工艺对镁合金摩擦和耐蚀性能的影响,使用X射线衍射仪、显微硬度计、摩擦磨损试验机、电化学工作站等对强化处理后的镁合金试样进行了测试与表征。结果表明:喷丸和离子注入强化后镁合金AZ31,相较于抛光处理以及喷丸处理的镁合金的显微硬度更高,这是由于N离子注入后有新相Mg_(3)N_(2)出现。摩擦磨损实验表明,离子注入和喷丸复合处理的镁合金摩擦系数更低,且磨损量相较于抛光处理试样降低近一倍。电化学结果显示复合处理的镁合金试样,自腐蚀电位提高至-1.13,自腐蚀电流密度大幅减小,这是由于合金表面形成的Mg_(3)N_(2)新相以及过饱和氮的扩散保护作用,说明表明离子注入和喷丸的复合工艺是进一步提高镁合金摩擦耐蚀性能的有效手段。 展开更多
关键词 镁合金 喷丸 离子注入 摩擦磨损 腐蚀性能
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磁过滤电弧离子镀TiN与N离子注入性能研究
11
作者 付天佐 赵红 +2 位作者 田振刚 李晓其 谢宛鋆 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期139-145,共7页
目的研究磁过滤电弧离子镀TiN与N离子注入对金属基体的保护效果。方法采用磁过滤电弧离子镀和离子注入在不锈钢表面分别制备了TiN薄膜与N注入改性层,以及二者的复合膜层。对薄膜的相结构、微观形貌进行了表征,对薄膜进行了极化曲线测试... 目的研究磁过滤电弧离子镀TiN与N离子注入对金属基体的保护效果。方法采用磁过滤电弧离子镀和离子注入在不锈钢表面分别制备了TiN薄膜与N注入改性层,以及二者的复合膜层。对薄膜的相结构、微观形貌进行了表征,对薄膜进行了极化曲线测试,同时在半球样品表面制备涂层并进行盐雾测试。结果所制备的TiN涂层为(111)晶面择优取向,离子注N预处理后沉积的TiN薄膜,仍保持(111)面的择优取向;电化学测试结果显示,TiN和N离子注入能够使不锈钢基体自腐蚀电位分别提高0.64、0.25 V,TiN薄膜具有最低的维钝电流密度4.9×10^(-6) A/cm^(2),N离子注入+TiN复合薄膜的维钝电流密度与N离子注入样品接近;盐雾试验结果表明,TiN以及N离子注入+TiN复合薄膜样品能够保证铜半球在12h的中性盐雾试验中无明显腐蚀痕迹。结论N离子注入预处理对MFAIPTiN涂层耐蚀性能的提升效果有限,单一的MFAIP TiN涂层便可应用于复杂形状的工程材料表面镀膜,可以增强其抗腐蚀能力,延长使用寿命。 展开更多
关键词 TIN 磁过滤电弧离子镀 N离子注入 腐蚀防护
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不同离子注入工艺对45CrMoVE结构钢性能影响研究
12
作者 李奎 彭文雅 +2 位作者 李钢 赵宇 王影 《装备环境工程》 CAS 2024年第2期73-80,共8页
目的通过分析不同元素离子注入对结构钢耐腐蚀能力及力学性能的影响,筛选出最佳注入元素,以改善45CrMoVE结构钢的表面组成,提高其耐腐蚀性能。方法基于前期研究工艺,开展Mo、Co、Ta、Ti等离子注入技术研究。将注入离子后的结构钢试样放... 目的通过分析不同元素离子注入对结构钢耐腐蚀能力及力学性能的影响,筛选出最佳注入元素,以改善45CrMoVE结构钢的表面组成,提高其耐腐蚀性能。方法基于前期研究工艺,开展Mo、Co、Ta、Ti等离子注入技术研究。将注入离子后的结构钢试样放入Na Cl溶液中,分析不同元素离子注入对结构钢腐蚀电位的影响,结合盐雾腐蚀试验,研究不同离子注入对结构钢耐腐蚀性能的影响,同时结合X射线衍射技术和力学性能测试,对结构钢试样表面层的物相进行分析,研究离子注入对结构钢力学性能的影响。结果氯化钠溶液在注入Mo离子后的自然腐蚀电位最高、最正,当基体材料中注入的Mo剂量为3×10^(17)atoms/cm^(2)时,腐蚀电位接近0.5 V,腐蚀电流最小。注入Mo离子后,试片的耐盐雾腐蚀性能最好。Mo离子与结构钢中的C原子相结合,在结构钢表面层形成较多的MoC和Mo_(2)C等碳化物,提高了结构钢的耐腐蚀性能。离子注入层厚度尺寸小,注入离子后基本不改变基体材料的表面形貌和宏观力学性能。结论离子注入能够有效改善结构钢的耐腐蚀性能,对于45CrMoVE结构钢试样,当注入3×10^(17)atoms/cm^(2)剂量的Mo离子、注入能量为130 keV时,离子注入对45CrMoVE结构钢耐腐蚀能力的改善效果最佳。 展开更多
关键词 45CrMoVE结构钢 离子注入 腐蚀电位 耐腐蚀性 界面组织 力学性能
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基于DBN的离子注入机故障诊断方法研究
13
作者 颜秀文 曹丽婷 +1 位作者 宋莹洁 高梓文 《湖南工业职业技术学院学报》 2024年第1期33-37,44,共6页
国产半导体制造工艺的发展越来越受到重视,但是设备的故障常常会对工业生产造成阻碍。在这种背景下,通过学习大量的故障数据并自动提供准确的诊断结果的人工智能技术,已经得到了广泛的应用。本研究提出了一种基于深度置信网络(DBN)的故... 国产半导体制造工艺的发展越来越受到重视,但是设备的故障常常会对工业生产造成阻碍。在这种背景下,通过学习大量的故障数据并自动提供准确的诊断结果的人工智能技术,已经得到了广泛的应用。本研究提出了一种基于深度置信网络(DBN)的故障诊断方法,旨在识别离子注入机的故障类型,以便操作人员定位具体故障位置并实施维修。然后,用六种故障和正常情况总共七种健康状态来评估模型性能。通过实验,深度置信网络模型在离子注入机上的识别正确率为98.66%,准确率及收敛速度均优于传统的机器学习算法。该方法对于复杂结构数据的建模具有强大的能力,在半导体设备故障诊断领域具有应用潜力,有望在国产半导体制造工艺中提高设备可靠性和生产效率。 展开更多
关键词 智能故障诊断 深度学习 半导体设备 离子注入机
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从“差三代”到“全覆盖”——国产离子注入机自主研发攻关纪实
14
作者 付毅飞 《中国科技财富》 2024年第4期36-37,共2页
提起离子注入机,熟悉集成电路的人都知道,该设备与光刻机、刻蚀机、镀膜机并称为芯片制造的“四大核心装备”,其高端市场长期被国外垄断。20多年前,为突破集成电路装备自主创新的堵点卡点,中国电科所属中电科电子装备集团(以下简称“电... 提起离子注入机,熟悉集成电路的人都知道,该设备与光刻机、刻蚀机、镀膜机并称为芯片制造的“四大核心装备”,其高端市场长期被国外垄断。20多年前,为突破集成电路装备自主创新的堵点卡点,中国电科所属中电科电子装备集团(以下简称“电科装备”)第四十八研究所组建研发团队,走上离子注入机科研攻关之路。 展开更多
关键词 离子注入机 芯片制造 光刻机 集成电路 电子装备 高端市场 镀膜机 核心装备
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一种有效提升离子注入机离子源寿命的方法
15
作者 魏宏杰 周升 +1 位作者 陈海军 杨旺杰 《今日制造与升级》 2024年第5期173-176,共4页
文章主要介绍了半导体离子注入设备中的关键部件离子源在硼注入过程中存在寿命偏低的问题。并对这个问题的形成机理进行研究,从而提出了解决这一问题的一种有效办法。通过在离子注入机使用的杂质源BF3中增加H2,形成混合气体。实验证明,... 文章主要介绍了半导体离子注入设备中的关键部件离子源在硼注入过程中存在寿命偏低的问题。并对这个问题的形成机理进行研究,从而提出了解决这一问题的一种有效办法。通过在离子注入机使用的杂质源BF3中增加H2,形成混合气体。实验证明,在离子源的电离过程中使用BF3和H2混合气体时,可以有效减少卤素循环对离子源造成的负面影响,从而提高离子源寿命,同时也提升了离子源产生束流的稳定性。 展开更多
关键词 离子注入 离子源 卤素循环 束流
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金刚石离子注入射程及损伤的模拟研究
16
作者 袁野 赵瓛 +3 位作者 姬常晓 黄华山 倪安民 杨金石 《电子与封装》 2024年第11期73-80,共8页
离子注入法作为改善半导体材料表层电学性能的有效方法,被应用于金刚石基半导体器件的制造过程中。使用SRIM软件模拟并研究了Ar^(+)、N^(+)、B^(+)、P^(+)、As^(+)等离子在不同能量(20~300 keV)和不同入射角度(0°~40°)下注入... 离子注入法作为改善半导体材料表层电学性能的有效方法,被应用于金刚石基半导体器件的制造过程中。使用SRIM软件模拟并研究了Ar^(+)、N^(+)、B^(+)、P^(+)、As^(+)等离子在不同能量(20~300 keV)和不同入射角度(0°~40°)下注入金刚石时的射程,及其对金刚石造成的损伤,结果表明,离子的种类、能量和注入角度均是影响离子射程和造成靶材损伤的重要因素,且各有其影响规律。通过改变这些参数,能够精准控制注入离子在金刚石中的射程和靶材损伤程度,为相关科研生产工作提供指导。 展开更多
关键词 金刚石 离子注入 射程 靶材损伤
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国产碳化硅离子注入机的设计开发
17
作者 袁卫华 李进 +1 位作者 罗才旺 许波涛 《电子工业专用设备》 2024年第1期38-42,共5页
为进一步增加SiC离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品... 为进一步增加SiC离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品率、性能等指标与国外进口机台的水平相当,能够满足SiC器件的生产要求。 展开更多
关键词 碳化硅 高能离子注入机 金属离子源 高温注入
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源极跟随器离子注入工艺对RTS噪声影响分析
18
作者 王玮 《光电子》 2024年第2期19-24,共6页
随机电报信号(Random Telegraph Signal, RTS)噪声是影响CMOS图像传感器图像质量的主要因素之一。伴随着集成电路制造工艺技术的高速发展,源极跟随器(Source Follower, SF)晶体管栅极尺寸不断缩小,使得对RTS噪声影响也愈发增大。文章研... 随机电报信号(Random Telegraph Signal, RTS)噪声是影响CMOS图像传感器图像质量的主要因素之一。伴随着集成电路制造工艺技术的高速发展,源极跟随器(Source Follower, SF)晶体管栅极尺寸不断缩小,使得对RTS噪声影响也愈发增大。文章研究了不同源极跟随器离子注入工艺对RTS噪声的影响,通过工艺优化后,可获得最佳的RTS噪声改善效果。 展开更多
关键词 随机电报信号噪声 源极跟随器 离子注入工艺 工艺优化
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利用Batch Implant机台离子注入dose梯度分布调控注入均匀性的技术分析
19
作者 庞宏庄 国子明 《集成电路应用》 2024年第2期44-47,共4页
阐述发现batch implant机台所作业的wafer状况,在wafer面内存在规律性梯度差异的dose分布。基于wafer processing过程中的形变现象,通过fine tune beam line及优化diskangle条件,可以定量设计dose梯度分布情况。通过优化离子注入在wafe... 阐述发现batch implant机台所作业的wafer状况,在wafer面内存在规律性梯度差异的dose分布。基于wafer processing过程中的形变现象,通过fine tune beam line及优化diskangle条件,可以定量设计dose梯度分布情况。通过优化离子注入在wafer面内分布的dose对称性,可以有效改善离子注入均匀性。 展开更多
关键词 集成电路制造 dose梯度 Dose对称性 离子注入均匀性
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42CrMo袜机行针盘离子注入改性研究
20
作者 张法光 向恒 韩洪雄 《现代机械》 2024年第2期32-34,共3页
针对采用42CrMo材料制造的袜机行针盘在使用过程中磨损严重的问题,采用氮离子注入方法对其进行表面改性强化,结果表明:氮离子注入可以提高行针盘表面硬度,对维氏硬度HV与载荷F进行了非线性拟合,拟合函数为HV=-61.31ln(F)+443.71(F≤9.80... 针对采用42CrMo材料制造的袜机行针盘在使用过程中磨损严重的问题,采用氮离子注入方法对其进行表面改性强化,结果表明:氮离子注入可以提高行针盘表面硬度,对维氏硬度HV与载荷F进行了非线性拟合,拟合函数为HV=-61.31ln(F)+443.71(F≤9.807 N);离子注入过程中产生的热量会导致行针盘温度升高,增加行针盘的变形量;行针盘表面沟壑得到改善,呈现较好的一致性。 展开更多
关键词 离子注入 42CrMo 行针盘
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