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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究
1
作者 何苗 周易 +7 位作者 应翔霄 梁钊铭 黄敏 王志芳 朱艺红 廖科才 王楠 陈建新 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期15-22,共8页
Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种... Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术,研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入,外延材料由P型变为N型,超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变,晶格常数变大,且失配度随着注入能量的增大而增大,注入前失配度为-0.012%,当注入能量到200 keV时,失配度达到0.072%,超晶格部分弛豫,弛豫程度为14%,而在300℃ 60 s退火后,超晶格恢复完全应变状态,且晶格常数变小,这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。 展开更多
关键词 InAs/GaSbⅡ类超晶格 离子注入 平面结 退火 HRXRD
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离子注入对聚合物表面改性的研究与应用
2
作者 丁宁 王强 +2 位作者 韩璐 王冬阳 庞田田 《当代化工研究》 CAS 2024年第5期134-136,共3页
通过离子注入技术,可以对聚合物材料进行表面改性的处理,有效地改善其表面性能。本文介绍了不同离子注入聚合物所引起的聚合物性能的改变,并分析了引起聚合物性质变化的原因。
关键词 聚合物 离子注入 表面改性
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不同离子注入工艺对45CrMoVE结构钢性能影响研究
3
作者 李奎 彭文雅 +2 位作者 李钢 赵宇 王影 《装备环境工程》 CAS 2024年第2期73-80,共8页
目的通过分析不同元素离子注入对结构钢耐腐蚀能力及力学性能的影响,筛选出最佳注入元素,以改善45CrMoVE结构钢的表面组成,提高其耐腐蚀性能。方法基于前期研究工艺,开展Mo、Co、Ta、Ti等离子注入技术研究。将注入离子后的结构钢试样放... 目的通过分析不同元素离子注入对结构钢耐腐蚀能力及力学性能的影响,筛选出最佳注入元素,以改善45CrMoVE结构钢的表面组成,提高其耐腐蚀性能。方法基于前期研究工艺,开展Mo、Co、Ta、Ti等离子注入技术研究。将注入离子后的结构钢试样放入Na Cl溶液中,分析不同元素离子注入对结构钢腐蚀电位的影响,结合盐雾腐蚀试验,研究不同离子注入对结构钢耐腐蚀性能的影响,同时结合X射线衍射技术和力学性能测试,对结构钢试样表面层的物相进行分析,研究离子注入对结构钢力学性能的影响。结果氯化钠溶液在注入Mo离子后的自然腐蚀电位最高、最正,当基体材料中注入的Mo剂量为3×10^(17)atoms/cm^(2)时,腐蚀电位接近0.5 V,腐蚀电流最小。注入Mo离子后,试片的耐盐雾腐蚀性能最好。Mo离子与结构钢中的C原子相结合,在结构钢表面层形成较多的MoC和Mo_(2)C等碳化物,提高了结构钢的耐腐蚀性能。离子注入层厚度尺寸小,注入离子后基本不改变基体材料的表面形貌和宏观力学性能。结论离子注入能够有效改善结构钢的耐腐蚀性能,对于45CrMoVE结构钢试样,当注入3×10^(17)atoms/cm^(2)剂量的Mo离子、注入能量为130 keV时,离子注入对45CrMoVE结构钢耐腐蚀能力的改善效果最佳。 展开更多
关键词 45CrMoVE结构钢 离子注入 腐蚀电位 耐腐蚀性 界面组织 力学性能
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基于DBN的离子注入机故障诊断方法研究
4
作者 颜秀文 曹丽婷 +1 位作者 宋莹洁 高梓文 《湖南工业职业技术学院学报》 2024年第1期33-37,44,共6页
国产半导体制造工艺的发展越来越受到重视,但是设备的故障常常会对工业生产造成阻碍。在这种背景下,通过学习大量的故障数据并自动提供准确的诊断结果的人工智能技术,已经得到了广泛的应用。本研究提出了一种基于深度置信网络(DBN)的故... 国产半导体制造工艺的发展越来越受到重视,但是设备的故障常常会对工业生产造成阻碍。在这种背景下,通过学习大量的故障数据并自动提供准确的诊断结果的人工智能技术,已经得到了广泛的应用。本研究提出了一种基于深度置信网络(DBN)的故障诊断方法,旨在识别离子注入机的故障类型,以便操作人员定位具体故障位置并实施维修。然后,用六种故障和正常情况总共七种健康状态来评估模型性能。通过实验,深度置信网络模型在离子注入机上的识别正确率为98.66%,准确率及收敛速度均优于传统的机器学习算法。该方法对于复杂结构数据的建模具有强大的能力,在半导体设备故障诊断领域具有应用潜力,有望在国产半导体制造工艺中提高设备可靠性和生产效率。 展开更多
关键词 智能故障诊断 深度学习 半导体设备 离子注入机
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国产碳化硅离子注入机的设计开发
5
作者 袁卫华 李进 +1 位作者 罗才旺 许波涛 《电子工业专用设备》 2024年第1期38-42,共5页
为进一步增加SiC离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品... 为进一步增加SiC离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品率、性能等指标与国外进口机台的水平相当,能够满足SiC器件的生产要求。 展开更多
关键词 碳化硅 高能离子注入机 金属离子源 高温注入
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利用Batch Implant机台离子注入dose梯度分布调控注入均匀性的技术分析
6
作者 庞宏庄 国子明 《集成电路应用》 2024年第2期44-47,共4页
阐述发现batch implant机台所作业的wafer状况,在wafer面内存在规律性梯度差异的dose分布。基于wafer processing过程中的形变现象,通过fine tune beam line及优化diskangle条件,可以定量设计dose梯度分布情况。通过优化离子注入在wafe... 阐述发现batch implant机台所作业的wafer状况,在wafer面内存在规律性梯度差异的dose分布。基于wafer processing过程中的形变现象,通过fine tune beam line及优化diskangle条件,可以定量设计dose梯度分布情况。通过优化离子注入在wafer面内分布的dose对称性,可以有效改善离子注入均匀性。 展开更多
关键词 集成电路制造 dose梯度 Dose对称性 离子注入均匀性
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42CrMo袜机行针盘离子注入改性研究
7
作者 张法光 向恒 韩洪雄 《现代机械》 2024年第2期32-34,共3页
针对采用42CrMo材料制造的袜机行针盘在使用过程中磨损严重的问题,采用氮离子注入方法对其进行表面改性强化,结果表明:氮离子注入可以提高行针盘表面硬度,对维氏硬度HV与载荷F进行了非线性拟合,拟合函数为HV=-61.31ln(F)+443.71(F≤9.80... 针对采用42CrMo材料制造的袜机行针盘在使用过程中磨损严重的问题,采用氮离子注入方法对其进行表面改性强化,结果表明:氮离子注入可以提高行针盘表面硬度,对维氏硬度HV与载荷F进行了非线性拟合,拟合函数为HV=-61.31ln(F)+443.71(F≤9.807 N);离子注入过程中产生的热量会导致行针盘温度升高,增加行针盘的变形量;行针盘表面沟壑得到改善,呈现较好的一致性。 展开更多
关键词 离子注入 42CrMo 行针盘
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氮离子注入对金莲花种子发芽率及幼苗生理特性的影响 被引量：1
8
作者 曹天光 张新旭 +2 位作者 秦垒 王慧 耿金鹏 《核农学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1912-1920,共9页
为探究氮离子注入对药用植物金莲花(Trollius chinensis)生理特性的影响,本研究以金莲花种子为试验材料,利用离子注入诱变技术把不同剂量的氮离子注入金莲花种子,测定了金莲花的发芽率、可溶性蛋白含量、叶绿素含量、丙二醛(MDA)含量、... 为探究氮离子注入对药用植物金莲花(Trollius chinensis)生理特性的影响,本研究以金莲花种子为试验材料,利用离子注入诱变技术把不同剂量的氮离子注入金莲花种子,测定了金莲花的发芽率、可溶性蛋白含量、叶绿素含量、丙二醛(MDA)含量、过氧化氢(H_(2)O_(2))含量、抗氧化酶活性和抗氧化酶相关基因表达量。结果表明,随着注入剂量的增加,金莲花种子的发芽率、叶绿素含量、超氧化物歧化酶(SOD)和过氧化氢酶(CAT)的活性均呈现“升-降-升-降”的“马鞍型”变化趋势,过氧化物酶(POD)活性呈现“升-降-升”的变化趋势。较低剂量氮离子注入时,金莲花MDA含量和H_(2)O_(2)含量低于较高剂量组。3.0×10^(15)ions·cm^(-2)的氮离子注入可上调金莲花幼苗抗氧化相关基因的表达。综合多项指标认为,较低剂量氮离子注入可提高金莲花种子的活力,促进幼苗的生长发育,增加幼苗抗氧化酶的活性,增强幼苗的抗逆性,其诱变的优选剂量为3.0×1015ions·cm^(-2)。本研究结果为进一步研究金莲花氮离子注入诱变育种提供了理论依据。 展开更多
关键词 氮离子注入 金莲花 发芽率 生理特性 马鞍型曲线
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锆等离子体浸没离子注入增强聚醚醚酮材料的细胞相容性 被引量：1
9
作者 许朗 黄忠卫 石锐 《局解手术学杂志》 2023年第9期760-763,共4页
目的使用等离子体浸没离子注入技术(PIII)将锆离子注入到聚醚醚酮(PEEK)材料中,并初步评价该材料与人牙龈成纤维细胞(HGFs)的生物相容性。方法将经过PIII改性的PEEK试件作为改性组,未经改性的试件作为对照组,然后与HGFs在体外共培养,扫... 目的使用等离子体浸没离子注入技术(PIII)将锆离子注入到聚醚醚酮(PEEK)材料中,并初步评价该材料与人牙龈成纤维细胞(HGFs)的生物相容性。方法将经过PIII改性的PEEK试件作为改性组,未经改性的试件作为对照组,然后与HGFs在体外共培养,扫描电镜观察试件表面形貌,显微镜下对HGFs的细胞形态进行分析,CCK-8检测细胞增殖率以评价材料的生物相容性。结果PIII注入锆离子可在PEEK材料表面成功构建改性层。在培养4 h后,2组试件表面上均有HGFs铺展,且改性组试件表面细胞铺展更开,细胞形态更长,出现的伪足更多。在培养3 d、5 d、7 d后,改性组表面细胞吸光度值较对照组增高,差异有统计学差异(P<0.05)。结论锆等离子体浸没离子注入可在PEEK材料表面成功改性,材料表面的氧化锆纳米结构能够促进HGFs的黏附、增殖,有利于软组织黏附。 展开更多
关键词 人牙龈成纤维细胞 聚醚醚酮 黏附 增殖 等离子体浸没离子注入技术 锆离子
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特殊离子注入工艺对集成电路漏电流的影响及优化
10
作者 姚兆辉 李德建 +3 位作者 关媛 李博夫 李大猛 杨宝斌 《半导体技术》 北大核心 2023年第12期1097-1102,共6页
集成电路(IC)芯片的漏电流是制约芯片功耗、性能和寿命的主要因素之一。由于芯片制造工艺的复杂性,经常出现晶圆边缘与中心区域芯片漏电流分布不均,不同晶圆之间芯片漏电流差异较大的现象。为了解决这些问题,通过对芯片漏电流与电性参... 集成电路(IC)芯片的漏电流是制约芯片功耗、性能和寿命的主要因素之一。由于芯片制造工艺的复杂性,经常出现晶圆边缘与中心区域芯片漏电流分布不均,不同晶圆之间芯片漏电流差异较大的现象。为了解决这些问题,通过对芯片漏电流与电性参数和栅极尺寸相关性的分析发现,刻蚀机台机械结构的特殊性会造成晶圆边缘与中心区域芯片栅极尺寸差异现象,导致区域漏电流差异。使用分区域离子注入法解决晶圆内区域芯片漏电流分布不均的问题,从而提高成品率;同时,通过工艺-电性联合控制法减小不同晶圆间较大的芯片漏电流差异。通过实际案例验证,采用分区域离子注入法可将成品率提升约30%;通过工艺-电性联合控制法可以将晶圆间芯片饱和电流差异缩小61%。 展开更多
关键词 漏电流 成品率 集成电路(IC) 栅极刻蚀 离子注入
原文传递
一种新型复合加速离子注入动力学研究
11
作者 朱宗涛 巩春志 +3 位作者 汪志健 田修波 杨士勤 Ricky Fu 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期493-498,共6页
提出了一种基于靶台(工件)二次加速的束线离子注入的新方法,基本原理是将传统束线离子注入和等离子体离子注入有效复合。采用二维Particle-in-cell(PIC)模型对这种注入方法进行了数值仿真研究。考察了靶台加负偏压情况下靶台表面空间电... 提出了一种基于靶台(工件)二次加速的束线离子注入的新方法,基本原理是将传统束线离子注入和等离子体离子注入有效复合。采用二维Particle-in-cell(PIC)模型对这种注入方法进行了数值仿真研究。考察了靶台加负偏压情况下靶台表面空间电势、离子密度变化以及离子的运动状态的时空演化。统计分析了不同时刻离子注入剂量、注入能量和注入角度的分布规律。结果表明:靶台施加偏压对束流离子起到了很好的二次加速效果,束线离子复合加速离子注入这种新方法理论上是切实可行的。同时发现在靶台附近空间电场的作用下,离子束会发生小角度偏转,由柱状形逐渐变成"喇叭口"形,靶台表面有效注入范围扩大。靶台表面注入剂量分布呈中心区域高边缘区域低的趋势。这种新方法有助于减缓电源硬件加工的难度,增加了工艺的灵活性。 展开更多
关键词 离子注入 粒子模拟 复合加速 束线离子注入 等离子体离子注入
原文传递
集成电路离子注入机发展现状与趋势 被引量：2
12
作者 张丛 曾安生 +1 位作者 李士会 张喻召 《中国集成电路》 2021年第8期10-13,共4页
离子注入机是集成电路制造的核心装备之一,本文重点介绍了当前集成电路领域离子注入机的分类和基本性能参数,描述了其系统组成以及相关的关键技术;同时,基于集成电路发展趋势,分析了集成电路离子注入机的发展趋势。
关键词 离子注入机 集成电路 大束流离子注入机 中束流离子注入机 高能离子注入机
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离子注入微生物诱变育种研究进展 被引量：30
13
作者 宫春波 刘鹭 +1 位作者 谢丽源 贺稚非 《生物技术》 CAS CSCD 2003年第2期47-48,F003,共3页
论述了离子注入微生物育种的三大特征 ,介绍了微生物接受注入离子的方法、离子注入机的简单结构和工作情况。概述了近几年来离子注入微生物 ,改良、选育优良工业微生物菌株的应用研究情况 ,分析了今后离子注入微生物育种的发展趋势。
关键词 工业微生物 菌株选育 离子注入 诱变育种 离子注入机
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2Cr13钢的全方位离子注入与离子束增强沉积复合表面强化处理 被引量：8
14
作者 刘洪喜 汤宝寅 +3 位作者 王浪平 王小峰 王宇航 于永澔 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2005年第2期32-37,共6页
对2Cr13不锈钢表面进行了等离子体浸没离子注入(PIII)与离子束增强沉积(IBED)复合强化处理.对强化后的试样进行了俄歇电子能谱(AES)、X光电子能谱(XPS)分析及显微硬度、摩擦磨损和耐腐蚀性能测试.结果表明,处理后的试样表面层中含有强化... 对2Cr13不锈钢表面进行了等离子体浸没离子注入(PIII)与离子束增强沉积(IBED)复合强化处理.对强化后的试样进行了俄歇电子能谱(AES)、X光电子能谱(XPS)分析及显微硬度、摩擦磨损和耐腐蚀性能测试.结果表明,处理后的试样表面层中含有强化相TiN和CrN;与基体相比,被处理试样的显微硬度显著增大,最大增幅达80.4%;摩擦系数降至0.2～0.3,磨痕宽度最大减少了近4倍;腐蚀电位最大提高了5倍,腐蚀电流密度减少了26倍.磨损中粘着现象大大减轻,耐磨耐蚀性能得到了显著改善. 展开更多
关键词 全方位离子注入 表面强化 显微硬度 等离子体浸没离子注入 耐磨耐蚀性 强化相 试样 耐腐蚀性能 基体 X光电子能谱
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离子注入剂量对镁合金表面钛膜的性能影响
15
作者 简国军 张法光 +1 位作者 李粉 窦忠宇 《河南科技》 2023年第4期77-80,共4页
【目的】进一步提高AC91表面钛层的综合性能。【方法】采用离子注入技术研究了N离子注入剂量对镁合金表面Ti膜的力学和摩擦磨损性能的影响。【结果】随着N离子注入剂量的提高,镁合金表面Ti膜的显微硬度随之增大,这是由于表面Ti膜形成Ti/... 【目的】进一步提高AC91表面钛层的综合性能。【方法】采用离子注入技术研究了N离子注入剂量对镁合金表面Ti膜的力学和摩擦磨损性能的影响。【结果】随着N离子注入剂量的提高,镁合金表面Ti膜的显微硬度随之增大,这是由于表面Ti膜形成Ti/TiN复合涂层结构,摩擦磨损试验结果表明,N离子注入后摩擦系数降低,高剂量的N离子注入下摩擦系数进一步降低至0.299,摩擦试验前后磨损量失重最少,膜层的耐磨损性能得到提高。【结论】N离子注入可以有效提高镁合金表面钛层的综合性能,从而提高其防护效果。 展开更多
关键词 镁合金 离子注入 显微硬度 摩擦磨损
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碲镉汞离子注入温度研究
16
作者 何斌 张桓 +2 位作者 韩岗 王旭升 刘晨 《红外》 CAS 2023年第2期13-17,23,共6页
作为pn结成型的重要参数,离子注入温度对晶格缺陷和材料扩散的影响较大。在碲镉汞的离子注入过程中,注入温度很大程度上影响着注入区的尺寸与光刻掩膜的形貌。从离子注入工艺的温度控制出发,研究了该工艺中的束流、注入能量、接触面粗... 作为pn结成型的重要参数,离子注入温度对晶格缺陷和材料扩散的影响较大。在碲镉汞的离子注入过程中,注入温度很大程度上影响着注入区的尺寸与光刻掩膜的形貌。从离子注入工艺的温度控制出发,研究了该工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素;结合器件的I-V曲线,探究了注入温度对碲镉汞红外探测器性能的影响。结果表明,较低的注入束流、冷却温度以及良好的导热面,可以保证实际注入温度低于光刻胶的耐受温度,从而提高工艺过程的成品率。同时,较低的注入温度对于减小暗电流及注入区扩散面积起到了一定的作用,提高了碲镉汞红外探测器光敏元的性能。 展开更多
关键词 离子注入 碲镉汞 注入温度 I-V曲线
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拟南芥(Arabidopsis thaliana)氮、碳离子注入诱变效应分析 被引量：23
17
作者 梁前进 胡玉连 张根发 《生物物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期251-255,共5页
采用N +、C +离子注入拟南芥 (Arabidopsisthaliana)种子 ,统计了种子的发芽指数 (发芽率和发芽势 ) ;用改良的RAPD技术对N+离子注入种子植株的DNA进行11个引物的随机片段多态性扩增。结果表明 ,合适剂量的N+、C+离子注入可使种子发芽... 采用N +、C +离子注入拟南芥 (Arabidopsisthaliana)种子 ,统计了种子的发芽指数 (发芽率和发芽势 ) ;用改良的RAPD技术对N+离子注入种子植株的DNA进行11个引物的随机片段多态性扩增。结果表明 ,合适剂量的N+、C+离子注入可使种子发芽率提高 ,两种离子注入种子的发芽率峰值 (分别为92.3 %和74.4 % )都在5×1014ions/cm2;分析N +离子注入材料发现 ,在1×1013 -1×1016ions/cm2剂量范围内 ,基因组DNA的变异率与发芽指数的变化趋势基本一致 ,变异率峰值 (9.0 % )在1×1015 ions/cm2。结果提示 ,分析低能N+离子诱变效应的最佳注入剂量在1×1014-5×1015 ions/cm2。对N+、C+离子注入的比较发现 ,一定范围内同等剂量C+离子注入的诱变率高于N 展开更多
关键词 拟南芥 碳离子注入 诱变效应 低能了子汪入 离子诱变 氮离子注入
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氮、氧及金属离子注入铝合金表面改性层摩擦磨损性能研究 被引量：9
18
作者 汤宝寅 张更伟 +4 位作者 王小峰 王浪平 李焕然 王松雁 彭湃 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期287-291,共5页
在不同温度下对6061铝合金分别进行了氮、氧等离子体浸没离子注入处理,氮与氢混合气体等离子体浸没离子注入处理,以及在氮气氛中的钛或铝等离子体浸没离子注入与沉积处理;采用X射线光电子能谱仪分析了注入改性层的相组成、高温下氧离子... 在不同温度下对6061铝合金分别进行了氮、氧等离子体浸没离子注入处理,氮与氢混合气体等离子体浸没离子注入处理,以及在氮气氛中的钛或铝等离子体浸没离子注入与沉积处理;采用X射线光电子能谱仪分析了注入改性层的相组成、高温下氧离子注入层的成分及注入离子浓度的深度分布;同时测定了注入改性层的显微硬度及摩擦磨损性能.结果表明:经300℃下氧离子注入处理后铝合金表面形成了较厚的硬质Al2O3层,从而使铝合金表面的耐磨寿命显著延长;经氮/氢混合注入以及氮气氛中金属离子注入和沉积处理后的铝合金表面的抗磨性能显著改善;同单一氮离子注入相比,氮/氢混合注入能更有效地改善铝合金的性能. 展开更多
关键词 铝合金 等离子体浸没离子注入 金属等离子体浸没离子注入和沉积 摩擦磨损性能
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利用氮离子注入技术转化抗寒基因(afp)初步研究 被引量：7
19
作者 冯殿齐 刘静 +3 位作者 孙仲序 王玉山 赵进红 张玲 《山东农业大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 2005年第1期86-92,共7页
利用氮离子注入技术将抗寒基因(afp)导入杏树,对杏树变异进行了初步研究。结果表明,杏树导入抗寒基因后,嫁接成活率最高为33.3%,最佳处理方法是美特杏+2500个氮离子+DNA浸沾60min;变异率最大为100%,最佳组合是金太阳杏+2000个氮离子+DN... 利用氮离子注入技术将抗寒基因(afp)导入杏树,对杏树变异进行了初步研究。结果表明,杏树导入抗寒基因后,嫁接成活率最高为33.3%,最佳处理方法是美特杏+2500个氮离子+DNA浸沾60min;变异率最大为100%,最佳组合是金太阳杏+2000个氮离子+DNA浸沾40min;枝条生长量最长为32.14cm,最佳组合是凯特杏+2000个氮离子+DNA浸沾20min;叶片较对照最大增厚为50%,最佳组合是凯特杏+1500个氮离子～2000个氮离子+DNA浸沾20min;随着氮离子浓度的提高叶色由浅变暗;经高浓度氮离子处理的叶片形状变异比较大,叶片多呈中裂、双脉,叶脉两侧严重不对称。 展开更多
关键词 抗寒基因 氮离子注入 技术转化 离子注入技术 最佳组合 嫁接成活率 处理方法 金太阳杏 离子浓度 叶片形状 凯特杏 杏树 变异率 生长量 不对称 导入 枝条 叶色
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等离子体浸没离子注入及表面强化工艺的进展 被引量：7
20
作者 汤宝寅 王松雁 +5 位作者 刘爱国 曾照明 田修波 王小峰 王浪平 PaulKChu 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1999年第S1期181-185,192,共6页
等离子体浸没离子注入 (PIII)消除了传统束线离子注入 (IBII)固有的视线限制 ,是一种更适合于处理复杂形状工件的手段 .近十年来 ,PIII及其工业应用在国内外得到了迅速发展 .然而 ,随着PIII的研究与开发的深入 ,发现仍有若干重要的物理... 等离子体浸没离子注入 (PIII)消除了传统束线离子注入 (IBII)固有的视线限制 ,是一种更适合于处理复杂形状工件的手段 .近十年来 ,PIII及其工业应用在国内外得到了迅速发展 .然而 ,随着PIII的研究与开发的深入 ,发现仍有若干重要的物理与技术问题 ,诸如浅的注入层、离子注入不均匀性、气体 (氮 )等离子体的有限应用范围等等 ,阻碍了PIII工业应用的发展 .目前 ,这些问题已成为国内外学者关注的焦点 .我实验室近年来在注入过程鞘层动力学的计算机理论模拟、离子注入剂量不均匀性改善、圆筒内表面注入研究、新型长射程阴极弧金属等离子体源研制、气体及金属等离子体的综合性表面改性工艺研究、以及低能高温PIII新工艺研究等方面进行了研究工作 . 展开更多
关键词 离子注入 等离子体浸没离子注入 表面改性
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