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利用氮离子注入技术转化抗寒基因(afp)初步研究 被引量：8
1
作者 冯殿齐 刘静 +3 位作者 孙仲序 王玉山 赵进红 张玲 《山东农业大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 2005年第1期86-92,共7页
利用氮离子注入技术将抗寒基因(afp)导入杏树,对杏树变异进行了初步研究。结果表明,杏树导入抗寒基因后,嫁接成活率最高为33.3%,最佳处理方法是美特杏+2500个氮离子+DNA浸沾60min;变异率最大为100%,最佳组合是金太阳杏+2000个氮离子+DN... 利用氮离子注入技术将抗寒基因(afp)导入杏树,对杏树变异进行了初步研究。结果表明,杏树导入抗寒基因后,嫁接成活率最高为33.3%,最佳处理方法是美特杏+2500个氮离子+DNA浸沾60min;变异率最大为100%,最佳组合是金太阳杏+2000个氮离子+DNA浸沾40min;枝条生长量最长为32.14cm,最佳组合是凯特杏+2000个氮离子+DNA浸沾20min;叶片较对照最大增厚为50%,最佳组合是凯特杏+1500个氮离子～2000个氮离子+DNA浸沾20min;随着氮离子浓度的提高叶色由浅变暗;经高浓度氮离子处理的叶片形状变异比较大,叶片多呈中裂、双脉,叶脉两侧严重不对称。 展开更多
关键词 抗寒基因 氮离子注入 技术转化 离子注入技术 最佳组合 嫁接成活率 处理方法 金太阳杏 离子浓度 叶片形状 凯特杏 杏树 变异率 生长量 不对称 导入 枝条 叶色
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离子注入技术在模具表面强化上的应用 被引量：2
2
作者 张蓉 伍利群 《轻工机械》 CAS 北大核心 2003年第4期62-64,共3页
阐述了离子注入技术改善模具表面性能的几个方面 ,分析了此项技术的发展前程及其应用的意义。
关键词 离子注入技术 模具 表面强化 应用 表面处理技术
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离子注入技术在纳米集成电路工艺中的关键应用 被引量：3
3
作者 屈敏 孙帅 +3 位作者 刘帅秀 潘启玮 张静 刘金彪 《电子世界》 2020年第21期187-188,共2页
近年来,半导体集成电路技术发展迅速,半导体芯片在移动设备领域的应用越发广泛,相应对芯片在能耗和处理速度上的要求也越来越严格,从而催生出一系列半导体制造技术领域的重大革新,在这其中,既包括器件结构的变革如平面器件向三维器件Fin... 近年来,半导体集成电路技术发展迅速,半导体芯片在移动设备领域的应用越发广泛,相应对芯片在能耗和处理速度上的要求也越来越严格,从而催生出一系列半导体制造技术领域的重大革新,在这其中,既包括器件结构的变革如平面器件向三维器件FinFet,Nano-Wire等立体结构的转换,也包括各工艺模块甚至单项工艺技术的革新,如今,以Finfet为代表的立体栅结构已成为22nm技术节点以下逻辑器件的行业主流,各工艺的优化也都围绕着这类器件的需求展开。本文介绍了当前离子注入技术在纳米集成电路制造工艺中的关键应用及未来的发展方向。 展开更多
关键词 离子注入技术 半导体集成电路 半导体芯片 集成电路制造工艺 半导体制造技术 移动设备 栅结构 工艺模块
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离子注入技术及其在烟草上的研究应用综述 被引量：1
4
作者 董志坚 《烟草科技》 EI CAS 2003年第5期32-36,42,共6页
简要介绍了离子注入的方法、作用机理及特点。对离子注入的生物学效应、介导外源基因转移和生物品种改良等方面进行了综述,并对离子注入技术在烟草上的应用及发展前景进行了探讨。
关键词 离子注入技术 烟草 生物学效应 介导外源基因转移 品种改良 应用
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等离子体基离子注入技术发展及其应用 被引量：4
5
作者 蔡珣 《机械工人（热加工）》 2005年第4期33-35,共3页
等离子体基离子注入是一新型的材料表面改性技术,它克服了传统离子注入视线加工的缺陷,可处理复杂形状工件,并可批量生产,生产效率高,设备成本低。本文简述了等离子体基离子注入的原理、特点及其工业的应用,并指出等离子体基离子注入技... 等离子体基离子注入是一新型的材料表面改性技术,它克服了传统离子注入视线加工的缺陷,可处理复杂形状工件,并可批量生产,生产效率高,设备成本低。本文简述了等离子体基离子注入的原理、特点及其工业的应用,并指出等离子体基离子注入技术与其他镀膜技术相结合是今后的发展趋势。 展开更多
关键词 离子注入技术 等离子体基离子注入 应用 表面改性技术 复杂形状工件 批量生产 生产效率 发展趋势 线加工 成本低
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制备HgCdTe红外焦平面器件的离子注入技术 被引量：1
6
作者 王庆学 《红外》 CAS 2003年第12期14-23,共10页
1 前言 碲镉汞光伏型红外焦平面列阵器件(IRFPAs)是以外延材料为基础发展起来的,其基本工作原理利用了p-n结的光电效应.
关键词 离子注入技术 碲镉汞光伏型红外焦平面器件 光电效应 PN结 掺杂技术 液相外延 分子束外延 X衍射表征
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利用离子注入技术选育碱性几丁质酶高产菌种 被引量：4
7
作者 王石磊 杨历军 +2 位作者 陈亚成 池明军 贾新成 《郑州轻工业学院学报（自然科学版）》 CAS 2004年第2期19-21,共3页
采用离子注入技术对灰褐链霉菌S1001进行诱变、筛选,选出了突变株EⅢ11.结果表明,突变株EⅢ11产生碱性几丁质酶能力为16 5U/mL,比出发菌株提高了5倍多;从整体上看,离子注入技术对灰褐链霉菌S1001的诱变效果较好.
关键词 离子注入技术 灰褐链霉菌S1001 诱变 筛选 碱性几丁质酶高产菌种 选育
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新型基于离子注入技术的用于微池芯片的微加热器(英文)
8
作者 聂金泉 赵玉龙 +1 位作者 刘亦敏 彭年才 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2012年第5期417-421,共5页
为了降低微型聚合酶链式反应(PCR)芯片的功耗,设计了一种嵌入硅基内部的微加热器.该加热器由采用离子注入技术制作的加热电阻并行排列构成.利用设计的热循环控制系统,对微加热器进行了热循环特性研究,包括功耗、不同加热功率下的温升速... 为了降低微型聚合酶链式反应(PCR)芯片的功耗,设计了一种嵌入硅基内部的微加热器.该加热器由采用离子注入技术制作的加热电阻并行排列构成.利用设计的热循环控制系统,对微加热器进行了热循环特性研究,包括功耗、不同加热功率下的温升速率以及样液对芯片温度及功耗的影响.实验结果表明,当加热功率为1.6 W时平均温升速率可达4.7℃/s,90℃时芯片功耗仅为0.67 W.最后获得了PCR循环试验曲线.因此,该加热器可以有效降低芯片的功耗,更好地满足微型PCR芯片的要求. 展开更多
关键词 微加热器 热循环特性 离子注入技术 功耗 PCR
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等离子体源离子注入技术在蓝宝石颜色改善方面的探索
9
作者 张翰林 刘琦 《经济师》 2013年第9期238-239,241,共3页
采用等离子体源离子注入技术对山东省昌乐县蓝宝石进行改色处理,利用光学显微镜、维氏显微硬度计、USB4000光纤光谱仪、LA-ICP-MS等仪器对样品作了分析。初步试验表明,注入钛离子后,能增加蓝宝石表面光泽度,降低饱和度,达到颜色减淡的... 采用等离子体源离子注入技术对山东省昌乐县蓝宝石进行改色处理,利用光学显微镜、维氏显微硬度计、USB4000光纤光谱仪、LA-ICP-MS等仪器对样品作了分析。初步试验表明,注入钛离子后,能增加蓝宝石表面光泽度,降低饱和度,达到颜色减淡的目的。最适宜的钛离子注入剂量强度和引出电压分别是在1×1017ions/cm2和50KV附近。 展开更多
关键词 山东蓝宝石 离子注入技术 改色处理
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张涛教授谈等离子体浸没离子注入技术的应用 被引量：1
10
《中国表面工程》 EI CAS CSCD 2006年第4期50-50,共1页
关键词 离子注入技术 等离子体浸没 教授 应用 表面改性技术 北京师范大学 实验室主任 合理选用 形状复杂 材料改性
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离子注入技术在某型航空泵中的应用 被引量：1
11
作者 张忠荣 《液压气动与密封》 1997年第2期36-36,共1页
文介绍了离子注入技术在某型航空泵延长使用寿命中的应用情况。
关键词 航空泵 泵 离子注入技术 寿命
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0.8～0.5μm时代的离子注入技术 被引量：1
12
作者 大崎三郎 高桥武人 赵秀英 《微细加工技术》 1990年第4期68-76,共9页
作为在半导体圆片中掺入杂质的离子注入,开始时是用于MOS晶体管的V_(th)控制等低浓度掺杂,是一种已获得广泛应用的技术。目前,由于离子注入机性能的提高和工艺的改进,离子注入也能用于MOS LSI的源极、漏极和双极型LSI的发射极等高浓度掺... 作为在半导体圆片中掺入杂质的离子注入,开始时是用于MOS晶体管的V_(th)控制等低浓度掺杂,是一种已获得广泛应用的技术。目前,由于离子注入机性能的提高和工艺的改进,离子注入也能用于MOS LSI的源极、漏极和双极型LSI的发射极等高浓度掺杂,几乎所有的掺杂工艺都可用离子注入技术代替。 展开更多
关键词 离子注入技术 半导体
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离子注入技术及应用
13
作者 王旭升 《酒．饮料技术装备》 2002年第3期36-36,共1页
关键词 离子注入技术 冷冲裁模具 表面处理 易开盖 耐磨性
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离子注入技术在航空柱塞泵批量生产中的应用
14
作者 尹克里 廖凯 +3 位作者 陈真炎 黄贻先 凌羚 毛庆园 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2003年第z1期295-295,共1页
　　与国外相比,目前国产航空柱塞泵的主要差距仍然是寿命低、可靠性差,磨损寿命远低于疲劳寿命,关键摩擦副的过早磨损加快了柱塞泵性能的退化.解决好泵内磨损问题,对于提高飞机的可靠性、维修性,节省全寿命费用,具有重要的现实意义.……
关键词 柱塞泵 往复式容积泵 离子注入技术 配流副 批量生产 成批生产 航空
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离子注入技术在纳米集成电路工艺中的关键应用分析 被引量：1
15
作者 石庆球 《中国科技期刊数据库 工业A》 2021年第8期264-264,266,共2页
近些年来,随着科学技术的不断创新发展,半导体集成电路技术迅速发展成熟,各个行业中都能看到半导体芯片的身影,尤其是在移动设备领域,半导体芯片应用广泛,在此发展背景下,用户对半导体芯片的工作效率和能耗提出了更高要求,技术人员不断... 近些年来,随着科学技术的不断创新发展,半导体集成电路技术迅速发展成熟,各个行业中都能看到半导体芯片的身影,尤其是在移动设备领域,半导体芯片应用广泛,在此发展背景下,用户对半导体芯片的工作效率和能耗提出了更高要求,技术人员不断进行半导体制造技术创新,取得了优异效果,例如器件结构的转变,平面器件逐步向三维立体结构转换,另外,多种单项工艺技术也在不断进行创新改进,部分先进技术已成为行业顶尖,从整体角度来讲,多种工艺的优化发展仍围绕着纳米集成电路制造工艺进行,基于此,文章深入探讨了离子注入技术在纳米集成电路制造工艺中的应用,并提出了发展建议。 展开更多
关键词 离子注入技术 纳米集成电路工艺 关键应用
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应用材料公司推出关键离子注入技术实现未来苍片微缩化生产
16
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期582-582,共1页
2012年6月7日，应用材料公司宣布推出半导体业界最先进的单硅片大电流离子注入系统，即全新的AppliedVarianVIISta Trident系统。通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能，该系统是唯一一台被证明能够确保成品率，在20nm技术节点实现... 2012年6月7日，应用材料公司宣布推出半导体业界最先进的单硅片大电流离子注入系统，即全新的AppliedVarianVIISta Trident系统。通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能，该系统是唯一一台被证明能够确保成品率，在20nm技术节点实现高性能低功耗逻辑芯片制造的离子注入系统。 展开更多
关键词 应用材料公司 离子注入技术 离子注入系统 生产 芯片制造 半导体业 NT系统 技术节点
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新技术设备推介：离子注入技术
17
《中南林业科技大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期F0003-F0003,共1页
离子注入技术作为一种新兴的遗传改良技术，在我国得到了迅速的发展，并在诱变育种、基因介导、遗传改良等领域取得了丰富的成果，这些技术对于开展林木遗传改良具有重要的借鉴作用。
关键词 离子注入技术 技术设备 林木遗传改良 改良技术 诱变育种 基因介导
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超低能量离子注入技术
18
《金属功能材料》 CAS 2008年第3期48-48,共1页
关键词 离子注入技术 低能量 日本产业技术综合研究所 硅半导体 结晶结构 研究员 集成化 热处理
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应用材料公司推出关键离子注入技术实现未来芯片微缩化生产
19
《集成电路通讯》 2012年第3期38-38,共1页
近日．应用材料公司宣布推出半导体单硅片大电流离子注入系统，即全新的Applied Varian V Ⅱ Sta Trident系统．通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能，新型VⅡ Sta Trident系统是唯一一台被证明能够确保成品率．在20纳米技术节点实... 近日．应用材料公司宣布推出半导体单硅片大电流离子注入系统，即全新的Applied Varian V Ⅱ Sta Trident系统．通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能，新型VⅡ Sta Trident系统是唯一一台被证明能够确保成品率．在20纳米技术节点实现高性能低功耗逻辑芯片制造的离子注入系统． 展开更多
关键词 应用材料公司 芯片制造 离子注入技术 离子注入系统 生产 NT系统 技术节点 Sta
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应用材料公司推出关键离子注入技术实现未来芯片微缩化生产
20
《中国集成电路》 2012年第7期7-7,共1页
近日，应用材料公司宣布推出半导体单硅片大电流离子注入系统，即全新的AppliedVarianVIISta Trident系统。通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能，新型VIIStaTrident系统是唯一一台被证明能够确保成品率，在20纳米技术节点实现高性... 近日，应用材料公司宣布推出半导体单硅片大电流离子注入系统，即全新的AppliedVarianVIISta Trident系统。通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能，新型VIIStaTrident系统是唯一一台被证明能够确保成品率，在20纳米技术节点实现高性能低功耗逻辑芯片制造的离子注入系统。 展开更多
关键词 应用材料公司 芯片制造 离子注入技术 离子注入系统 生产 NT系统 技术节点 电性能
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