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纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术
被引量:
5
1
作者
成立
李春明
+1 位作者
王振宇
祝俊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第9期30-34,44,共6页
综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景。
关键词
集成电路
纳米CMOS器件
超浅结
离子
掺杂
等
离子
体浸没
掺杂
投射式气体浸入激光
掺杂
离子淋浴掺杂
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职称材料
题名
纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术
被引量:
5
1
作者
成立
李春明
王振宇
祝俊
机构
江苏大学电气与信息工程学院
南通工学院计算机科学系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第9期30-34,44,共6页
基金
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
文摘
综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景。
关键词
集成电路
纳米CMOS器件
超浅结
离子
掺杂
等
离子
体浸没
掺杂
投射式气体浸入激光
掺杂
离子淋浴掺杂
Keywords
VLSI
ULSI
ion beam doping
CMOS device
nanoelectronic technology
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术
成立
李春明
王振宇
祝俊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
5
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