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纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术 被引量:5
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作者 成立 李春明 +1 位作者 王振宇 祝俊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期30-34,44,共6页
综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景。
关键词 集成电路 纳米CMOS器件 超浅结离子掺杂 离子体浸没掺杂 投射式气体浸入激光掺杂 离子淋浴掺杂
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