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题名离轴倾角磁控溅射生长氧化锌薄膜及其物性研究
被引量：2
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作者
秦旭磊
李雪健
刘春阳
李野
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机构
长春理工大学理学院
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出处
《长春理工大学学报（自然科学版）》
2016年第5期40-44,50,共6页
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基金
吉林省科技发展计划青年科研基金项目(20160520114JH)
长春理工大学科技创新基金项目(XJJLG-2015-02)
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文摘
宽禁带半导体ZnO具有高激子束缚能(60Me V)、低生长温度和低成本等诸多优势,是一种理想的紫外光电材料。作为光电器件的核心部分,薄膜质量是影响器件性能和表现的关键。因此,高质量ZnO薄膜的制备具有重要研究意义。相比于分子束外延和金属有机化学气相沉积等薄膜生长方法,磁控溅射技术具有明显的成本优势,并且适于大尺寸薄膜的生长,是薄膜生长工业中利用率最高的一种技术手段。采用新型共溅射磁控溅射系统,以离轴倾角溅射方式在硅基片上沉积一系列ZnO薄膜,探究了溅射功率和生长气氛等主要工艺参数对ZnO薄膜的形貌、结构和发光等物性的影响。
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关键词
氧化锌薄膜
磁控溅射
离轴倾角溅射
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Keywords
ZnO films
magnetron sputtering
off-axis inclined sputtering
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分类号
O469
[理学—凝聚态物理]
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