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一种交叉耦合型高CMTI电平移位电路设计
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作者 赵媛 赵高峰 +3 位作者 郭敏 李瑞静 刘畅 陆佳成 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期388-394,共7页
设计了一种新型交叉耦合结构高共模瞬态抗扰度(Common Mode Transient Immunity,CMTI)的电平移位电路。采用窄脉冲信号产生电路降低了的整体功耗;在电流控制型比较器的作用下,很大程度上降低了电平移位电路的传输延时;同时设计了辅助动... 设计了一种新型交叉耦合结构高共模瞬态抗扰度(Common Mode Transient Immunity,CMTI)的电平移位电路。采用窄脉冲信号产生电路降低了的整体功耗;在电流控制型比较器的作用下,很大程度上降低了电平移位电路的传输延时;同时设计了辅助动态电流补偿结构提高电路的CMTI。基于高压0.18μm BCD工艺对电路进行设计与仿真实验,结果表明该电平移位电路的上升和下降延时均小于3.4 ns,CMTI为200 V/ns。 展开更多
关键词 共模瞬态抗扰度 电平移位电路 窄脉冲产生电路 电流比较器 双重互锁单元
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