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10.5亿,连城数控将投建第三代半导体项目
1
《变频器世界》 2024年第4期31-32,共2页
早在2018年,特斯拉在Model3上率先采用了碳化硅器件,自此,碳化硅开始驶入发展的快车道。时至今日,碳化硅正在冲击8英寸的“龙门”,而设备端作为碳化硅降本增效不能忽视的一环,能助力碳化硅飞得更高。也因此,相关设备厂商持续发力,不断... 早在2018年,特斯拉在Model3上率先采用了碳化硅器件,自此,碳化硅开始驶入发展的快车道。时至今日,碳化硅正在冲击8英寸的“龙门”,而设备端作为碳化硅降本增效不能忽视的一环,能助力碳化硅飞得更高。也因此,相关设备厂商持续发力,不断满足产业链对设备的要求。近日,连城数控便宣布了一项10.5亿的投资项目。 展开更多
关键词 特斯拉 碳化硅 产业链 降本增效 连城 第三代半导体 数控
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中国电科产业基础研究院:全力开新局 引领第三代半导体创“芯”发展
2
《变频器世界》 2024年第3期26-26,共1页
“满屏‘绿点’,产品整体良率水平达到新高度!”轰鸣的掌声从中国电科产业基础研究院会议室传出,大屏幕上滚动展示的最新批次1200V碳化硅MOSFET产品测试结果,让与会技术人员脸上露出了满意的笑容,标志着他们半年多的加班加点工作终于有... “满屏‘绿点’,产品整体良率水平达到新高度!”轰鸣的掌声从中国电科产业基础研究院会议室传出,大屏幕上滚动展示的最新批次1200V碳化硅MOSFET产品测试结果,让与会技术人员脸上露出了满意的笑容,标志着他们半年多的加班加点工作终于有了好的回报。 展开更多
关键词 技术人员 第三代半导体 加班加点 大屏幕 研究院 会议室 产业
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先进半导体研究院:引领第三代半导体产业新变革
3
作者 仝波 《杭州科技》 2024年第1期13-14,共2页
建设背景.硅及先进半导体材料是发展半导体技术的基石,是全球半导体产业竞争的焦点。近年来,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料,以其优越的性能和巨大的市场前景,迅速开辟出全球半导体市场的新赛道。我国《“十四五”规划和203... 建设背景.硅及先进半导体材料是发展半导体技术的基石,是全球半导体产业竞争的焦点。近年来,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料,以其优越的性能和巨大的市场前景,迅速开辟出全球半导体市场的新赛道。我国《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中明确提出,要加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程,催生一批高速成长的新材料企业,极大促进第三代半导体产业在我国更快更好地发展。 展开更多
关键词 半导体市场 半导体产业 半导体技术 半导体材料 氮化镓 第三代半导体 新材料企业 产业化进程
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第三代半导体材料氮化镓的拉曼光谱分析
4
作者 王亚伟 《无线互联科技》 2024年第3期72-74,共3页
第三代半导体材料中氮化镓是高频电子器件、大功率电子器件和微波功率器件制造领域的首选材料。为了实现高质量氮化镓材料的外延生长,并且精准表征氮化镓外延材料的特性,文章对氮化镓外延材料进行了深入的拉曼光谱分析。实验结果表明,... 第三代半导体材料中氮化镓是高频电子器件、大功率电子器件和微波功率器件制造领域的首选材料。为了实现高质量氮化镓材料的外延生长,并且精准表征氮化镓外延材料的特性,文章对氮化镓外延材料进行了深入的拉曼光谱分析。实验结果表明,对氮化镓外延材料进行拉曼光谱分析时最佳扫描范围是100~1000 cm^(-1)、最佳曝光时间是5 s、最佳光孔直径为100μm,从而更精准地表征氮化镓外延材料,进而对微波功率器件的性能提升起到推动作用。 展开更多
关键词 第三代半导体材料 氮化镓 拉曼光谱
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宁波第三代半导体材料应用市场和发展机遇分析 被引量：3
5
作者 李向江 蒋月萍 +1 位作者 吕晴 顾雨萍 《宁波经济（财经视点）》 2023年第1期34-36,共3页
第三代半导体材料是诸多科技领域芯片应用的关键性材料,随着国家对第三代半导体材料进行的战略部署,宁波市作为新一线城市,其企业也将在第三代半导体行业中取得突破。通过聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化镓外延材料的研究、开发... 第三代半导体材料是诸多科技领域芯片应用的关键性材料,随着国家对第三代半导体材料进行的战略部署,宁波市作为新一线城市,其企业也将在第三代半导体行业中取得突破。通过聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化镓外延材料的研究、开发、生产和销售,宁波半导体产业链也有望呈现本土化产业链的趋向。本文以宁波市为例,着力于分析第三代半导体的市场应用、发展困境及未来趋势等,为宁波市第三代半导体材料更快、更好、更稳的发展提供对策建议和方案。 展开更多
关键词 碳化硅材料 机遇分析 芯片应用 外延材料 氮化镓 第三代半导体 战略部署 未来趋势
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第三代半导体材料发展前景分析 被引量：1
6
作者 顾雨萍 李向江 吴秀梅 《中国集成电路》 2023年第3期22-25,36,共5页
半导体材料为现代科技的发展提供了强大助力,同时它的发展也推动了世界工业和产业的发展,极大地提升了社会的生产力。今天,第三代半导体材料的研发受到了世界各国政府、企业的高度重视。本文将结合半导体材料的发展历程,研究第三代半导... 半导体材料为现代科技的发展提供了强大助力,同时它的发展也推动了世界工业和产业的发展,极大地提升了社会的生产力。今天,第三代半导体材料的研发受到了世界各国政府、企业的高度重视。本文将结合半导体材料的发展历程,研究第三代半导体材料的特性、国内外研发趋势、现存问题,为第三代半导体材料发展提供改进对策,为第三代半导体材料发展前景提供参考。 展开更多
关键词 第三代半导体材料 前景预测 发展对策
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第三代半导体行业政策研究 被引量：1
7
作者 程新华 李安丽 《现代工业经济和信息化》 2023年第4期22-23,65,共3页
第三代半导体产业快速发展,国际竞争日趋白热化,各国通过采取积极部署、建立创新中心、联合研发、加大投入等方式,将更多的财力、物力投入到产品的研发和终端应用。目前,我国第三代半导体形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西... 第三代半导体产业快速发展,国际竞争日趋白热化,各国通过采取积极部署、建立创新中心、联合研发、加大投入等方式,将更多的财力、物力投入到产品的研发和终端应用。目前,我国第三代半导体形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域。对第三代半导体相关概念、国际第三代半导体发展现状、我国支持第三代半导体行业发展的政策历程、政策支持等方面进行了研究。 展开更多
关键词 第三代半导体行业 政策研究 “十四五”
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江苏省第三代半导体与智能化产业融通创新发展路径
8
作者 张煜晨 周颖 +1 位作者 季鹏飞 华松逸 《科技和产业》 2023年第15期194-202,共9页
当前,能源技术革命已从高端电力装备创新逐步转向材料技术革命。以SiC和GaN为主的第三代半导体材料与技术对于建成高效、可靠且可循环的能源网络至关重要。然而,由于产业、技术、市场和资本之间存在长期的信息不对称,以及国内下游智能... 当前,能源技术革命已从高端电力装备创新逐步转向材料技术革命。以SiC和GaN为主的第三代半导体材料与技术对于建成高效、可靠且可循环的能源网络至关重要。然而,由于产业、技术、市场和资本之间存在长期的信息不对称,以及国内下游智能化产业对上游供应链的不信任,导致创新成果难以落地、创新主体抗风险能力较弱,第三代半导体领域国产化进程频频受阻。通过构建“技术成熟度/专利价值”融通创新发展模型,围绕全球第三代半导体SiC与GaN细分技术领域全生命周期,结合江苏省产业发展实际,提出产业、资本及平台间的融通创新发展路径,以更好促进纵向产业链、横向产学研及大中小企业融通创新发展。结合江苏第三代半导体与智能化产业发展实际,从创新生态构建、核心技术攻关、协同创新平台、IDM(垂直整合制造)运营、专利运营、市场监管、人才梯队培养等7个方面,提出对策及建议。 展开更多
关键词 第三代半导体 智能化产业 融通创新 碳化硅(SiC) 氮化镓(GaN)
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基于CiteSpace的第三代半导体研究可视化分析
9
作者 曲磊 程新华 李安丽 《科技和产业》 2023年第21期192-199,共8页
半导体材料是信息技术的核心基础,从基础技术层面支撑了我国电子信息科技产业的发展。借助CiteSpace软件,以中国知网数据库为文献来源,对我国2013-2023年第三代半导体相关文献从关键词、核心作者群体、重点科研机构等方面进行可视化分析... 半导体材料是信息技术的核心基础,从基础技术层面支撑了我国电子信息科技产业的发展。借助CiteSpace软件,以中国知网数据库为文献来源,对我国2013-2023年第三代半导体相关文献从关键词、核心作者群体、重点科研机构等方面进行可视化分析,展现2013-2023年我国第三代半导体研究的发展过程,明确我国现阶段的研究热点,分析现阶段核心作者和重点科研机构的协作情况,为推动我国第三代半导体产业发展提供参考。 展开更多
关键词 第三代半导体 可视化 CITESPACE 研究热点
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第三代半导体生产应用“四高两涂”碳基材料的技术现状
10
作者 龙振 肖乐 +3 位作者 陈雄姿 吴建 王艳艳 戴煜 《当代化工研究》 CAS 2023年第15期5-7,共3页
近年来,PVT生长SiC单晶方面取得了显著的进展。SiC粉是PVT法生长SiC单晶原料,其纯度会影响单晶质量,而C粉纯度决定SiC粉纯度;高纯硬毡、高纯石墨是生长单晶设备的必备组件,决定着PVT设备使用性能;SiC涂层、TaC涂层为石墨制品的保护涂层... 近年来,PVT生长SiC单晶方面取得了显著的进展。SiC粉是PVT法生长SiC单晶原料,其纯度会影响单晶质量,而C粉纯度决定SiC粉纯度;高纯硬毡、高纯石墨是生长单晶设备的必备组件,决定着PVT设备使用性能;SiC涂层、TaC涂层为石墨制品的保护涂层,保护晶体生长过程中不被污染。本文主要介绍了“四高两涂”的制备方法及研究现状。 展开更多
关键词 第三代半导体 碳基材料 技术现状 涂层
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第三代半导体晶体激光诱导改质技术
11
作者 张彩云 胡北辰 +1 位作者 李琳 陈洪 《电子工艺技术》 2023年第6期1-3,共3页
第三代半导体材料成本居高不下是行业发展痛点。与传统线切割技术相比,激光改质剥离技术具有材料损耗少、加工效率高、晶圆产出多等优势,已成为国际竞相发展的第三代半导体材料加工革命性技术。介绍了第三代半导体晶体激光诱导改质技术... 第三代半导体材料成本居高不下是行业发展痛点。与传统线切割技术相比,激光改质剥离技术具有材料损耗少、加工效率高、晶圆产出多等优势,已成为国际竞相发展的第三代半导体材料加工革命性技术。介绍了第三代半导体晶体激光诱导改质技术的国内外研究现状,重点阐述了改质区裂纹扩展机制研究、像差校正空间整形技术研究和激光诱导改质设备研制方面的内容。 展开更多
关键词 第三代半导体 激光诱导改质 像差校正
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发展第三代半导体 打造千亿级未来产业
12
作者 李楠 徐欢 《浙江经济》 2023年第3期70-71,共2页
“十四五”期间是第三代半导体市场的窗口期,衢州要科学布局未来产业,力争形成差异化竞争优势新一代信息技术产业是我国重点发展的战略性新兴产业,具有创新活跃、渗透性强、带动作用大等特点,被普遍认为是引领未来经济、科技和社会发展... “十四五”期间是第三代半导体市场的窗口期,衢州要科学布局未来产业,力争形成差异化竞争优势新一代信息技术产业是我国重点发展的战略性新兴产业,具有创新活跃、渗透性强、带动作用大等特点,被普遍认为是引领未来经济、科技和社会发展的重要力量。衢州市第八次党代会明确提出,要加快产业高质量发展,深化未来产业研究,抢占产业发展新赛道。为贯彻落实市委市政府决策部署,市发展改革委牵头对衢州信息技术产业进行调研分析,提出抢抓第三代半导体发展机遇、布局未来产业的建议,力争在全省形成差异化竞争优势。 展开更多
关键词 差异化竞争优势 未来产业 战略性新兴产业 信息技术产业 第三代半导体 科学布局 窗口期 高质量发展
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产业政策 第三代半导体产业创新发展大会在南京召开
13
《变频器世界》 2023年第9期44-44,共1页
近日,南京市人民政府、中国电科指导,国家第三代半导体技术创新中心主办的第三代半导体产业创新发展大会在南京召开。江苏省政府党组成员赵岩,南京市市长陈之常,中国电科总经理、党组副书记陈锡明出席会议并致辞。赵岩表示,江苏坚持把... 近日,南京市人民政府、中国电科指导,国家第三代半导体技术创新中心主办的第三代半导体产业创新发展大会在南京召开。江苏省政府党组成员赵岩,南京市市长陈之常,中国电科总经理、党组副书记陈锡明出席会议并致辞。赵岩表示,江苏坚持把第三代半导体产业作为未来产业发展的重点方向,目前已经形成了全产业链布局。要深入学习贯彻习近平总书记对江苏工作重要讲话精神,加快推动江苏省第三代半导体技术创新与产业高质量发展,为打造具有全球影响力的产业科技创新中心作出积极贡献。 展开更多
关键词 技术创新中心 未来产业 南京市人民政府 第三代半导体 赵岩 产业创新发展 全球影响力 产业政策
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基于第三代半导体技术的电力电子应用发展浅析
14
作者 黄灵钟 《新潮电子》 2023年第12期43-45,共3页
第三代半导体材料因具有的宽禁带、高热导率、高抗辐射能力以及高电子饱和迁移速率和高击穿电场等性质,更适合被制造为耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件,其被认为是制造新一代光电子器件、微波射频器件、电力电子器件的理想半... 第三代半导体材料因具有的宽禁带、高热导率、高抗辐射能力以及高电子饱和迁移速率和高击穿电场等性质,更适合被制造为耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件,其被认为是制造新一代光电子器件、微波射频器件、电力电子器件的理想半导体材料。本文从政策、市场等方面总结了国内第三代半导体的发展趋势,探讨了其在电动汽车、特高压直流输电、光伏发电和新能源制氢等场景中的应用并讨论了第三代半导体产业持续发展对电力电子的后续影响。 展开更多
关键词 第三代半导体 电力电子 SIC GAN
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2023中关村论坛北京(国际)第三代半导体创新发展论坛召开
15
《中国科技奖励》 2023年第7期17-18,共2页
绿色低碳发展、万物智能互联成为全球共识,第三代半导体是推动新能源汽车、智能电网、先进制造、移动通信、新型显示等产业创新发展的新引擎,支撑国家“双碳”目标实现和数字化、网络化、智能化融合发展需求。作为中关村论坛非常重要的... 绿色低碳发展、万物智能互联成为全球共识,第三代半导体是推动新能源汽车、智能电网、先进制造、移动通信、新型显示等产业创新发展的新引擎,支撑国家“双碳”目标实现和数字化、网络化、智能化融合发展需求。作为中关村论坛非常重要的平行论坛,2023年5月28日下午,北京(国际)第三代半导体创新发展论坛在中关村国家自主创新示范区展示中心举行。该论坛由科学技术部、工业和信息化部、北京市人民政府主办,北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会、北京市经济和信息化局、北京市顺义区人民政府、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟承办,得到了国际半导体照明联盟、国际信息显示学会、亚欧第三代半导体科技创新合作中心的支持。 展开更多
关键词 产业技术创新战略联盟 第三代半导体 科学技术委员会 展示中心 工业和信息化部 新引擎 半导体照明 新能源汽车
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双碳目标下宁波市第三代半导体产业发展策略研究
16
作者 蒋月萍 李向江 吕晴 《中国集成电路》 2023年第9期11-14,49,共5页
我国在应对全球气候变化的会议中提出“碳达峰”和“碳中和”的目标。因第三代半导体在材料应用领域具备优良的性能,能够在降低能量损失和减小装备体积方面发挥较为明显的优势。为了进一步分析第三代半导体材料在宁波市半导体产业领域... 我国在应对全球气候变化的会议中提出“碳达峰”和“碳中和”的目标。因第三代半导体在材料应用领域具备优良的性能,能够在降低能量损失和减小装备体积方面发挥较为明显的优势。为了进一步分析第三代半导体材料在宁波市半导体产业领域的应用,文章基于第三代半导体的材料优势以及宁波市第三代半导体的行业现状,分析了宁波市第三代半导体产业发展对双碳目标的影响。宁波市第三代半导体材料产业的发展研究对于改善我国的生态结构产业布局、促进社会产业科技的变革,支撑碳达峰、碳中和的目标实现和促进宁波市经济的发展具有重大的意义。 展开更多
关键词 双碳目标 第三代半导体材料 发展策略 产业链
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第三代半导体及氮化镓(GaN)材料分析
17
作者 李杰 王友旺 《集成电路应用》 2023年第10期326-328,共3页
阐述第三代半导体及氮化镓(GaN)材料制备工艺,以及第三代半导体在全球和国内的发展情况,分析氮化镓(GaN)材料的特征和氮化镓半导体材料的应用,包括在通信系统、功率半导体、军事用途、电子学中的应用。
关键词 第三代半导体 碳化硅(SiC) 氮化镓(GaN)
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第三代半导体材料生长与器件应用的研究 被引量：7
18
作者 李嘉席 孙军生 +1 位作者 陈洪建 张恩怀 《河北工业大学学报》 CAS 2002年第2期41-51,共11页
着重论述了以 ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍了制备引ＳｉＣ和ＧａＮ单晶的方法．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件工艺目前存在的问题和今... 着重论述了以 ＳｉＣ和ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况．分析了目前常用的和正在研究的几种衬底材料，介绍了制备引ＳｉＣ和ＧａＮ单晶的方法．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向．总结了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的研制情况，指出单晶质量是限制器件发展的主要因素．分析了ＳｉＣ和ＧａＮ器件的目前应用和未来的市场前景，指出了ＳｉＣ和ＧａＮ材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向． 展开更多
关键词 第三代半导体材料 碳化硅 氮化镓 晶体生长 半导体器件 宽带隙半导体 SiC GAN
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Ⅲ族氮化物第三代半导体材料发展现状与趋势 被引量：6
19
作者 史冬梅 杨斌 蔡韩辉 《科技中国》 2018年第4期15-18,共4页
以III族氮化物为代表的第三代半导体材料，多为禁带宽度显著大于Si和GaAs的宽禁带半导体材料（InN除外），是实现高效率、高性能光电子和微电子器件的基础。因此，被公认是当前国际光电信息技术领域的战略制高点，各国均投入大量人力物... 以III族氮化物为代表的第三代半导体材料，多为禁带宽度显著大于Si和GaAs的宽禁带半导体材料（InN除外），是实现高效率、高性能光电子和微电子器件的基础。因此，被公认是当前国际光电信息技术领域的战略制高点，各国均投入大量人力物力进行相关研发。 展开更多
关键词 第三代半导体材料 氮化物 材料发展 宽禁带半导体材料 光电信息技术 微电子器件 GaAs 禁带宽度
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第三代半导体产业概况剖析 被引量：20
20
作者 李春 邓君楷 《集成电路应用》 2017年第2期87-90,共4页
技术创新是推动产业发展的永恒动力。当前,在科技强国的背景下,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料凭借着其优异的特性得到了世界各国的高度重视。我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发,启动了一系列重大研究项目。
关键词 第三代半导体 碳化硅 氮化镓
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