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等离子体增强原子层沉积AlN外延单晶GaN研究
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作者 卢灏 许晟瑞 +9 位作者 黄永 陈兴 徐爽 刘旭 王心颢 高源 张雅超 段小玲 张进成 郝跃 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期547-553,共7页
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有较大的禁带宽度,较高的击穿电场强度、电子迁移率、热导系数以及直接带隙等优异特性,被广泛应用于电子器件和光电子器件中。由于与衬底的失配问题,早期工艺制备GaN材料难以获得高质量单晶GaN薄膜... 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有较大的禁带宽度,较高的击穿电场强度、电子迁移率、热导系数以及直接带隙等优异特性,被广泛应用于电子器件和光电子器件中。由于与衬底的失配问题,早期工艺制备GaN材料难以获得高质量单晶GaN薄膜。直到采用两步生长法,即先在衬底上低温生长氮化铝(AlN)成核层,再高温生长GaN,才极大地提高了GaN材料的质量。目前用于制备AlN成核层的方法有磁控溅射以及分子束外延等,为了进一步提高GaN晶体质量,本研究提出在两英寸c面蓝宝石衬底上使用等离子体增强原子层沉积(Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition,PEALD)方法制备AlN成核层来外延GaN。相比于磁控溅射方法,PEALD方法制备AlN的晶体质量更好;相比于分子束外延方法,PEALD方法的工艺简单、成本低且产量大。沉积AlN的表征结果表明,AlN沉积速率为0.1 nm/cycle,并且AlN薄膜具有随其厚度变化而变化的岛状形貌。外延GaN表征结果表明,当沉积厚度为20.8 nm的AlN时,GaN外延层的表面最平整,均方根粗糙度为0.272 nm,同时具有最好的光学特性以及最低的位错密度。本研究提出了在PEALD制备的AlN上外延单晶GaN的新方法,沉积20.8 nm的AlN有利于外延高质量的GaN薄膜,可以用于制备高电子迁移率晶体管及发光二极管。 展开更多
关键词 GAN ALN 等离子体增强原子层沉积 成核层 外延
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等离子体增强原子层沉积二氧化硅对多晶硅的损伤机理及防范工艺研究
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作者 何亚东 袁刚 +3 位作者 李拓 周毅 程晓敏 霍宗亮 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期552-558,共7页
文章通过电子束检测(EBI)手段研究了等离子体增强原子层沉积(PEALD) SiO_(2)过程中硅烷基酰胺类前驱体副产物对多晶硅产生不可逆损伤的机理。提出用单胺基硅烷基酰胺替代多胺基硅烷基酰胺作为前驱体,来减轻对多晶硅材料的损伤。在不损... 文章通过电子束检测(EBI)手段研究了等离子体增强原子层沉积(PEALD) SiO_(2)过程中硅烷基酰胺类前驱体副产物对多晶硅产生不可逆损伤的机理。提出用单胺基硅烷基酰胺替代多胺基硅烷基酰胺作为前驱体,来减轻对多晶硅材料的损伤。在不损伤多晶硅前提下,进一步研究化学位阻较小的单胺基前驱体二异丙胺硅烷(DIPAS)对反应速率的影响。 展开更多
关键词 等离子体增强原子层沉积 硅烷基酰胺 氧化硅 二异丙胺硅烷(DIPAS)
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等离子体增强型ZnO基纳米线异质结阵列光电探测器
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作者 吴茴 彭嘉隆 +5 位作者 江金豹 李晗升 徐威 郭楚才 张检发 朱志宏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第3期184-192,共9页
低维ZnO基光电探测器具有高响应性和高光子吸收能力。然而,ZnO较窄的吸收范围以及较低的光生载流子寿命限制了低维ZnO材料在光电子学中的潜在应用。该研究展示了一种零维(0D)金属纳米等离子体增强氧化锌纳米线(ZnO)-硒化锌(ZnSe)异质结... 低维ZnO基光电探测器具有高响应性和高光子吸收能力。然而,ZnO较窄的吸收范围以及较低的光生载流子寿命限制了低维ZnO材料在光电子学中的潜在应用。该研究展示了一种零维(0D)金属纳米等离子体增强氧化锌纳米线(ZnO)-硒化锌(ZnSe)异质结阵列的新型光电探测器。与基于单纯ZnO纳米线阵列的探测器件比较表明,该探测器具有优异的光电响应性能。在可见光作用下,该器件的响应度和平均上升(下降)时间分别为1.7 mA/W和1.812 ms(1.803 ms),在10 h连续测试中表现出优异的稳定性,为开发高性能光电探测器提供了一种低成本、可规模化的方法,有望在可穿戴设备、光通信系统、环境传感器等多方面得到应用。 展开更多
关键词 等离子体增强 ZNO纳米线 纳米线异质结 光电探测器
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等离子体增强化学气相沉积法制备类金刚石薄膜研究综述 被引量:4
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作者 马会中 路军涛 张兰 《科学技术与工程》 北大核心 2023年第18期7597-7606,共10页
类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金... 类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金刚石薄膜的方法,因其对沉积温度要求低,对基底友好,同时还具有沉积速率快和无转移生长的优势,获得了越来越多的研究者关注。详细介绍了类金刚石薄膜优异的特性,阐述了在等离子化学气相沉积条件下,不同沉积条件对沉积类金刚石薄膜结构特性的影响。衬底的选择直接影响着沉积类金刚石薄膜的性能,不同的衬底直接决定着生成类金刚石结构中sp^(3)相的数量和质量;沉积参数是最为常见的控制条件,对沉积薄膜的总体效果影响也是最大的,改变沉积参数,沉积薄膜的表面将会变得更加光滑致密;常用的掺杂元素是硅和氮,掺杂元素的引入往往是为了降低沉积薄膜的内应力,提高与衬底间的结合力,延长使用寿命等;由于很难直接在金属上沉积类金刚石薄膜,所以常通过制备复合层来改善沉积效果。最后对类金刚石薄膜的发展以及今后研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 类金刚石薄膜 沉积条件 掺杂 复合层
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感应耦合等离子体增强磁控溅射法制备MoO_(3)高透亲水光学薄膜
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作者 彭井泉 郑学军 +6 位作者 冯春阳 李方 黄乐 陈立 左滨槐 陈丽娟 贺楚才 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期11118-11125,共8页
将磁控溅射和感应耦合相结合形成感应耦合等离子体增强磁控溅射技术(ICPMS),制备了MoO_(3)高透亲水光学薄膜。使用分光光度计、水接触角测试仪、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和X射线能谱仪,分别表征薄膜的光学性能、润湿性能、显微形貌... 将磁控溅射和感应耦合相结合形成感应耦合等离子体增强磁控溅射技术(ICPMS),制备了MoO_(3)高透亲水光学薄膜。使用分光光度计、水接触角测试仪、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和X射线能谱仪,分别表征薄膜的光学性能、润湿性能、显微形貌、晶体结构和化学成分。通过正交实验法,以MoO_(3)薄膜的氧钼比、光学透过率、水接触角为指标,探究了感应耦合等离子体(ICP)氧氩比、ICP功率、靶位工作压强和ICP前处理时间工艺参数对MoO_(3)薄膜性能的影响。结果表明:氧氩比是影响性能的主要参数,其次是工作压强,影响最小参数是ICP功率。最优工艺参数是氧氩比400/300、靶位工作压强为0.15 Pa、功率为1500 W、前处理时间为18 min。研究为高透亲水光学薄膜应用,提供具体实验设计和工艺方法指导。 展开更多
关键词 正交实验 感应耦合等离子体增强磁控溅射法 MoO_(3)薄膜 透过率 接触角
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H_(2)对HfO_(2)衬底上等离子体增强化学气相沉积石墨烯的影响
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作者 杨玉帅 王伟 +3 位作者 樊瑞祥 王凯 武海进 马勤政 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期78-84,共7页
HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高... HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高石墨烯场效应晶体管的性能。使用真空电子束蒸镀方法在重掺杂单抛硅片衬底上分别于50、150、250℃下沉积了100 nm厚的HfO_(2)薄膜样品;随后选用最优质量的HfO_(2)薄膜作为生长石墨烯的衬底,采用PECVD方法在温度为600℃、CH4流速为4 sccm的条件下,以不同的H2流速(0、5、10、15、20 sccm)原位生成石墨烯薄膜。结果显示,150℃下蒸镀的HfO_(2)薄膜粗糙度最低,表面最平整,同时也拥有最佳的介电性能。当H2流速为10 sccm时,可获得少层石墨烯薄膜,此时的石墨烯薄膜缺陷最小,表面平整且连续性好。通过对HfO_(2)衬底上石墨烯的生长机理进行分析发现,HfO_(2)衬底的低表面能导致含碳物种难以吸附到衬底上,石墨烯不易生长,但适当的H2参与可以有效降低CH4裂解反应的活化能,促进CH4的裂解,有利于生长出大面积的连续型石墨烯薄膜。 展开更多
关键词 HfO_(2)薄膜 石墨烯 真空电子束蒸镀 等离子体增强化学气相沉积 H2 生长机理
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等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜 被引量:6
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作者 王新强 杨树人 +7 位作者 王金忠 李献杰 殷景志 姜秀英 杜国同 杨如森 高春晓 Ong H.C. 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期927-931,共5页
利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜,用X射线衍射谱观察到位于 2θ34.56°处(0002)的衍射峰,表明ZnO沿c方向呈柱状生长.通过荧光光谱,观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射(375um).紫外发射光强度与深能级复... 利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜,用X射线衍射谱观察到位于 2θ34.56°处(0002)的衍射峰,表明ZnO沿c方向呈柱状生长.通过荧光光谱,观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射(375um).紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193,显示出材料的高质量,并通过原子力显微镜加以验证.为了实现高阻ZnO薄膜,利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜.结果表明,电阻率由0.65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm(分段退火)和5×104Ω·cm(掺氮).进一步比较发现,掺氮的样品不仅电阻率高,而且光荧光特性好,显示出更高的薄膜质量. 展开更多
关键词 等离子体增强 MOCVD法 ZNO薄膜 原子力显微镜 光谱 半导体薄膜 生长方法
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脉冲直流等离子体增强化学气相沉积Ti-Si-N纳米薄膜的摩擦磨损特性 被引量:9
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作者 马大衍 王昕 +2 位作者 马胜利 徐可为 徐洮 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期476-479,共4页
采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti-Si-N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子... 采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti-Si-N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构、组成和化学状态;采用球-盘高温摩擦磨损试验机考察了薄膜同GCr15钢对摩时的摩擦磨损性能.结果表明:薄膜的Si含量在0%~35%范围内变化,随着Si含量增大,薄膜沉积速率增大,但薄膜由致密形态向大颗粒疏松态过渡;薄膜的晶粒尺寸为7~50nm;Ti-Si-N薄膜的显微硬度高于TiN的硬度,最高可达60GPa;引入少量Si可以显著改善TiN薄膜的抗磨性能,但薄膜的摩擦系数较高(室温下约0.8、400℃下约0.7);随着Si含量的增加,Ti-Si-N薄膜的耐磨性能有所降低,其原因在于引入导电性较差的Si元素使得薄膜的组织变得疏松. 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(PCVD) Ti—Si—N 纳米薄膜 摩擦磨损性能
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用等离子体增强化学气相沉积技术制备类金刚石碳薄膜的摩擦磨损性能研究 被引量:5
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作者 常海波 徐洮 +2 位作者 李红轩 张治军 刘惠文 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期298-302,共5页
利用射频-直流等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅衬底上沉积类金刚石碳薄膜,采用激光拉曼光谱仪和原子力显微镜对薄膜的结构和表面形貌进行表征,采用纳米压痕仪测定薄膜的硬度,并用UMT型微摩擦磨损试验机考察了薄膜在不同试验条件... 利用射频-直流等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅衬底上沉积类金刚石碳薄膜,采用激光拉曼光谱仪和原子力显微镜对薄膜的结构和表面形貌进行表征,采用纳米压痕仪测定薄膜的硬度,并用UMT型微摩擦磨损试验机考察了薄膜在不同试验条件下的摩擦磨损性能.结果表明:所制备的类金刚石碳薄膜表面光滑致密且硬度较高;在干摩擦条件下与GCr15钢球或Al2O3球配副时显示出良好的减摩抗磨性能,摩擦系数较低,耐磨寿命较长,而在水润滑条件下同Al2O3球配副时发生灾难性磨损. 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积 类金刚石碳薄膜 结构 摩擦磨损性能
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等离子体增强化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的光学发射谱研究 被引量:4
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作者 于威 王淑芳 +3 位作者 任国斌 李晓苇 张连水 傅广生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期79-82,共4页
利用光学发射谱技术对直流辉光放电等离子体增强的化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的等离子体进行了原位诊断 ,结果表明主要的辐射有N2 的第二正系跃迁、N+2 的第一负系跃迁、CN和NH的紫外跃迁。研究了气源中氢气含量、放电电流及沉积气... 利用光学发射谱技术对直流辉光放电等离子体增强的化学气相沉积氮化碳薄膜过程中的等离子体进行了原位诊断 ,结果表明主要的辐射有N2 的第二正系跃迁、N+2 的第一负系跃迁、CN和NH的紫外跃迁。研究了气源中氢气含量、放电电流及沉积气压的变化对N2 (337 1nm) ,N+2 (391 4nm)和CN(388 3nm)辐射强度的影响 ,并在此基础上探讨了这几种跃迁的激发机制 ,其结果为氮化碳合成中优化沉积参数。 展开更多
关键词 光学发射谱 等离子体增强 化学气相沉积 氮化碳薄膜
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等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究 被引量:4
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作者 梁红伟 吕有明 +6 位作者 申德振 颜建锋 刘益春 李炳辉 赵东旭 张吉英 范希武 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期579-584,共6页
利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响。随着生长温度的升高,X射线摇摆曲线(XRC)半高宽从0.88°变窄至0.29°,从原子力显微镜(AFM)图像中发现薄... 利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响。随着生长温度的升高,X射线摇摆曲线(XRC)半高宽从0.88°变窄至0.29°,从原子力显微镜(AFM)图像中发现薄膜中晶粒从20nm左右增大至200nm,室温光致发光(PL)谱中显示了一个近带边的紫外光发射(UVE)和一个与深中心有关的可见光发射。随着生长温度升高,可见光发射逐渐变弱,薄膜的室温载流子浓度由1.06×10^(19)/cm^3减少到7.66×10^(16)/cm^3,表明在高温下生长的薄膜中锌氧化学计量比趋于平衡,高质量的ZnO薄膜被获得。通过测量变温光谱,证实所有样品在室温下PL谱中紫外发光都来自于自由激子发射;随着生长温度的变化UVE峰位蓝移与晶粒尺寸不同引起的量子限域效应相关。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 半导体材料 等离子体增强分子束外延 光电特性 光致发光 生长温度 量子限域效应
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等离子体增强原子层沉积系统及其应用研究 被引量:4
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作者 万军 饶志鹏 +3 位作者 方攸同 陈波 李超波 夏洋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期192-196,共5页
介绍了自行设计的等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统及其原位制备氮掺杂纳米TiO2可见光催化剂的实验结果。PEALD系统主要由远程脉冲感应耦合等离子体发生器、真空反应腔室、真空系统、前驱体输运系统、控制系统等部分组成。沉积过程中... 介绍了自行设计的等离子体增强原子层沉积(PEALD)系统及其原位制备氮掺杂纳米TiO2可见光催化剂的实验结果。PEALD系统主要由远程脉冲感应耦合等离子体发生器、真空反应腔室、真空系统、前驱体输运系统、控制系统等部分组成。沉积过程中前驱体的交替、等离子体的产生、样品台温度、载气流量、沉积周期等参数都可以预先设定并由控制系统自动执行。在研制的PEALD系统上首次开展原位氮掺杂纳米TiO2光催化剂的制备,高分辨透射电镜结果表明制备的氮掺杂TiO2薄膜为非晶态结构,薄膜厚度为3 nm,生长速率为0.05 nm/cycle;X射线光电子能谱结果表明N元素掺入到了制备的TiO2薄膜,并取代了TiO2薄膜中的O元素;紫外-可见光谱表明制备的氮掺杂TiO2薄膜对可见光的吸收率明显增强。 展开更多
关键词 等离子体增强原子层沉积 原位掺杂 氮掺杂TiO2 结构表征
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内表面等离子体增强化学气相沉积TiN涂层研究 被引量:4
13
作者 金凡亚 王珂 +3 位作者 赵嘉学 沈丽如 陈庆川 童洪辉 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期93-95,共3页
介绍了一种新型等离子体增强化学气相沉积内表面复合处理系统。利用此系统沉积TiN涂层的结果表明,100mm×1000mm316不锈钢管内表面沉积涂层相对均匀,且具有较好的表面特性和机械特性。
关键词 等离子体增强化学气相沉积 管状样品 内表面
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等离子体增强化学气相沉积制备的ZnO薄膜研究 被引量:3
14
作者 郭爱波 刘玉萍 +4 位作者 陈枫 李斌 但敏 刘明海 胡希伟 《表面技术》 EI CAS CSCD 2006年第6期5-7,共3页
鉴于ZnO薄膜材料的多功能性,用等离子体增强化学气相沉积方法在金属Cu和普通玻璃上生长了ZnO薄膜。扫描电子显微镜获得其表面形貌;能谱分析获得其元素种类及相对含量,在能谱图上明显地观察到了Zn峰和O峰的存在,且Cu基上Zn和O原子比接近1... 鉴于ZnO薄膜材料的多功能性,用等离子体增强化学气相沉积方法在金属Cu和普通玻璃上生长了ZnO薄膜。扫描电子显微镜获得其表面形貌;能谱分析获得其元素种类及相对含量,在能谱图上明显地观察到了Zn峰和O峰的存在,且Cu基上Zn和O原子比接近1∶1;X射线光电子能谱分析得出样品中的Zn和O全部以化合态存在而不存在Zn原子和O原子。但Cu基上的ZnO薄膜易吸收空气中的氧和水蒸汽,薄膜质量期望通过生长合适过渡层得到改善。 展开更多
关键词 等离子体增强 化学气相沉积 SEM EDAX XPS 衬底
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等离子体增强原子层沉积增透阻隔膜的研究 被引量:4
15
作者 林晶 于贵文 +3 位作者 孙智慧 张莉 巩雪 钱锋 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期566-570,共5页
高阻隔高透光率的柔性复合材料在包装和电子封装领域具有很高的应用价值。本文采用等离子增强原子层沉积技术在PET基体上制备了多层结构的增透阻隔膜,研究了等离子增强原子层沉积制备氧化硅和氮化硅的工艺参数,利用光学模拟软件设计出... 高阻隔高透光率的柔性复合材料在包装和电子封装领域具有很高的应用价值。本文采用等离子增强原子层沉积技术在PET基体上制备了多层结构的增透阻隔膜,研究了等离子增强原子层沉积制备氧化硅和氮化硅的工艺参数,利用光学模拟软件设计出所需透过率的膜层结构。结果表明:等离子体增强原子层沉积制备的薄膜原子力显微镜表面形貌晶粒分布均匀,薄膜致密,红外光谱显示制备的薄膜为高纯度的SiO_(2)和Si_(3)N_(4),薄膜的透水率降低了2个数量级,可见光范围透过率可达到94%。 展开更多
关键词 等离子体增强原子层沉积 PET 阻隔性 增透性
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等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究(英文) 被引量:3
16
作者 陈永生 杨仕娥 +4 位作者 卢景霄 郜小勇 张宇翔 王海燕 李瑞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期753-759,共7页
本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响。表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大。沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度... 本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响。表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大。沉积薄膜的晶化率最大可达80%,表面粗糙度大约为30nm。通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感。 展开更多
关键词 微晶硅薄膜 晶化率 等离子体增强化学气相沉积
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轻合金等离子体增强电化学表面陶瓷化进展 被引量:18
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作者 宋润滨 左洪波 吉泽升 《轻合金加工技术》 CAS 2003年第2期8-11,共4页
等离子体增强电化学表面陶瓷化(微弧氧化)是一项在有色金属表面原位生长陶瓷膜的新技术。介绍了微弧氧化技术生成氧化物陶瓷膜的原理、方法,陶瓷膜的性能特点及微弧氧化技术在轻合金中的研究进展状况和应用前景。
关键词 等离子体增强电化学表面陶瓷化 微弧氧化 轻合金 陶瓷膜 研究进展
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等离子体增强磁控溅射离子镀TiN涂层的研究 被引量:5
18
作者 王玉魁 韩会民 +1 位作者 高路斯 廖勇泉 《真空》 CAS 北大核心 1996年第1期24-29,共6页
利用等离子体增强磁控溅射离子镀(PEMSIP)沉积TiN涂层,研究涂层的组织结构和性能。随着氮气分压增加涂层相组成朝着富氮相及其含量增加的方向发展。氮气分压对涂层硬度的影响是由膜层相组成变化引起的,由Ti2N和TiN... 利用等离子体增强磁控溅射离子镀(PEMSIP)沉积TiN涂层,研究涂层的组织结构和性能。随着氮气分压增加涂层相组成朝着富氮相及其含量增加的方向发展。氮气分压对涂层硬度的影响是由膜层相组成变化引起的,由Ti2N和TiN两相组成的涂层比TIN单相涂层的硬度高。由Ti2N和TiN组成的刀具涂层使切削力下降。 展开更多
关键词 等离子体增强 磁控溅射 刀具 氮化钛 涂层
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偏压对低气压等离子体增强化学气相沉积TiO_2薄膜的结构和性能的影响 被引量:4
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作者 刘伟 李岩 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期103-107,共5页
使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉... 使用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法,以TTIP(Ti(OC3H7)4)为单体,用氧气为载气,以脉冲偏压为辅助在室温的玻璃基片上沉积无定型TiO2薄膜,分析探讨在射频等离子体增强化学气相沉积TiO2薄膜的过程中,基片上施加脉冲偏压和远离脉冲偏压的情况下成膜的比较.在沉积的过程中,利用USB-2000型光纤光谱仪对等离子体的发射光谱进行测量,定性分析等离子体沉积过程中的成分组成.用UV-1901探讨薄膜的光学特性,发现紫外和近紫外区域有一定吸收;用扫描电镜分析薄膜表面形貌的变化,可以看到偏压下的薄膜致密无孔,而远离偏压下的薄膜形貌粗糙;用红外光谱分析薄膜的结构组成,可以看到明显的Ti—O吸收峰.脉冲偏压下得到的薄膜在化学、光学以及电学方面有很好应用前景. 展开更多
关键词 TiO2 等离子体 脉冲偏压 等离子体增强化学气相沉积(PE—CVD)
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常压等离子体增强化学气相沉积纳米晶TiO_2多孔薄膜的研究 被引量:3
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作者 李岩 徐绍魁 +1 位作者 徐金洲 张菁 《东华大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期108-113,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法及TiCl4/O2混合气体在常温常压下可制备纳米晶TiO2多孔薄膜.利用偏光显微镜分析(PM)、扫描电子显微镜分析(SEM)、高分辨透射电镜分析(HRTEM)、X光衍射分析(XRD)等检测手段,系统地对纳米晶TiO... 采用等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)的方法及TiCl4/O2混合气体在常温常压下可制备纳米晶TiO2多孔薄膜.利用偏光显微镜分析(PM)、扫描电子显微镜分析(SEM)、高分辨透射电镜分析(HRTEM)、X光衍射分析(XRD)等检测手段,系统地对纳米晶TiO2多孔膜表面形貌以及成分进行表征.研究结果表明:使用等离子体化学气相沉积方法,可以在常温常压下快速沉积纳米晶TiO2多孔薄膜,并且PE-CVD与传统的化学方法相比具有低能耗、低污染、方法简便、成本低等优点,是具有良好发展前景的纳米晶多孔薄膜制备新方法. 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD) TiO2多孔薄膜 纳米晶结构
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