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题名一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计
被引量：2
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作者
赖松林
黄淑燕
陈金伙
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机构
福州大学物理与信息工程学院
福建江夏学院电子信息科学学院
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期762-766,771,共6页
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基金
福建省科技厅-集成电路(IC)技术平台建设资助项目(2003Q013)
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文摘
基于标准0.35μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路。带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点。根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响应和宽负载宽电压下的环路稳定。采用Cadence EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在整个电压和负载变化范围内,环路增益至少为60dB,相位裕度至少为75.8°,环路稳定;负载从10μA跳变至200mA(tr=1μs)时,输出上冲/下冲电压小于100 mV,建立时间为1.4μs;电源电压抑制比(PSRR)约为70dB@1kHz;负载调整率为7.75‰,线性调整率为0.7‰,静态功耗约为60μA。
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关键词
快速瞬态响应
类密勒补偿
无电容型LDO
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Keywords
Fast transient response
Quasi-Miller compensation
Capacitor-less LDO
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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