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题名中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析
被引量：1
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作者
侯贝贝
阮永丰
李连钢
王鹏飞
黄丽
陈敬
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机构
天津大学理学院
运城学院物理与电子工程系
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出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期349-356,共8页
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文摘
利用透射电子显微镜、紫外--可见--近红外光谱和Raman光谱,对剂量为1.67×1020 n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体。辐照后的样品的光吸收明显增加,带隙变小,Urbach能量变大,且在1 178、1 410和1 710nm处出现新的吸收峰。1 178和1 410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位VSi。对辐照样品进行了室温至1600℃退火,发现800℃是退火过程的转折点。低于800℃退火时,样品中的Frankel对、间隙原子和C空位VC消失;高于800℃退火时,含Si空位VSi缔合缺陷及复杂缺陷团分解湮灭。为了解释与VSi有关的多个光谱峰,建立了SiC中硅空位的"类铍原子模型"。
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关键词
中子辐照
掺氮碳化硅晶体
光学性质
类铍原子模型
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Keywords
neutron irradiation
nitrogen doped silicon carbide crystal
optical property
beryllium-like atom model
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分类号
O774
[理学—晶体学]
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