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多孔GaN阵列结构的制备及其光电性能
1
作者
徐杰
贾伟
+5 位作者
董海亮
贾志刚
李天保
余春燕
张竹霞
许并社
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第9期1405-1413,共9页
以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密...
以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密度为3.86×10^(10 )cm^(-2),深度为2μm。利用X射线衍射仪(XRD)和Raman光谱仪表征了多孔GaN阵列的晶体结构,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的晶体质量更好,且具有较低的残余应力。使用光致发光(PL)光谱和紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱表征了GaN的光学性能,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的光致发光强度和光吸收能力有较大提升。通过电化学工作站对多孔GaN阵列结构的光电性能进行测试,在1.23 V偏压下,多孔GaN阵列结构的光电流是GaN平面结构的约3.36倍,最大光电转化效率ηmax是平面GaN薄膜的约3.5倍。该研究为多孔GaN阵列结构的应用提供了一定的实验数据和理论指导。
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关键词
氮化镓(GaN)
多孔阵列结构
电化学
腐蚀
紫外辅助电化学腐蚀
两步
腐蚀
法
光电性能
原文传递
题名
多孔GaN阵列结构的制备及其光电性能
1
作者
徐杰
贾伟
董海亮
贾志刚
李天保
余春燕
张竹霞
许并社
机构
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
山西浙大新材料与化工研究院
陕西科技大学材料原子和分子科学研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第9期1405-1413,共9页
基金
国家自然科学基金(61604104,21972103,61904120)
山西省自然科学基金(201901D111109)
+1 种基金
山西省重点研发计划项目(201903D111009)
山西浙大新材料与化工研究院项目(2021SX-AT002)。
文摘
以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密度为3.86×10^(10 )cm^(-2),深度为2μm。利用X射线衍射仪(XRD)和Raman光谱仪表征了多孔GaN阵列的晶体结构,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的晶体质量更好,且具有较低的残余应力。使用光致发光(PL)光谱和紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱表征了GaN的光学性能,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的光致发光强度和光吸收能力有较大提升。通过电化学工作站对多孔GaN阵列结构的光电性能进行测试,在1.23 V偏压下,多孔GaN阵列结构的光电流是GaN平面结构的约3.36倍,最大光电转化效率ηmax是平面GaN薄膜的约3.5倍。该研究为多孔GaN阵列结构的应用提供了一定的实验数据和理论指导。
关键词
氮化镓(GaN)
多孔阵列结构
电化学
腐蚀
紫外辅助电化学腐蚀
两步
腐蚀
法
光电性能
Keywords
gallium nitride(GaN)
porous array structure
electrochemical etching
UV-assisted electrochemical etching
two-step etching method
photoelectric property
分类号
O734 [理学—晶体学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多孔GaN阵列结构的制备及其光电性能
徐杰
贾伟
董海亮
贾志刚
李天保
余春燕
张竹霞
许并社
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023
0
原文传递
已选择
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参考文献
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