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Se与Te替位掺杂对WS_(2)-MoS_(2)纳米器件电子输运性质的影响
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作者 林丽娥 廖文虎 《吉首大学学报(自然科学版)》 CAS 2023年第1期14-23,52,共11页
基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的第一性原理计算方法,研究了Se与Te原子替位掺杂对WS_(2)-MoS_(2)纳米器件电子输运性质的影响.结果表明,WS_(2)-MoS_(2)纳米器件为间接带隙半导体,器件电流在[+0.7 V,+1.0 V]与[-1.0 V,-0.9 V]... 基于密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的第一性原理计算方法,研究了Se与Te原子替位掺杂对WS_(2)-MoS_(2)纳米器件电子输运性质的影响.结果表明,WS_(2)-MoS_(2)纳米器件为间接带隙半导体,器件电流在[+0.7 V,+1.0 V]与[-1.0 V,-0.9 V]偏压范围内随着偏压的增大逐渐减小,呈现显著的负微分电阻效应;Se与Te原子对WS_(2)-MoS_(2)纳米器件进行替位掺杂后均呈现有趣的负微分电阻效应,器件两端电流的隧穿也显著改善;Se原子对WS_(2)-MoS_(2)纳米器件中S原子进行替位掺杂时,器件转化为p型半导体;Te原子对WS_(2)-MoS_(2)纳米器件中S原子进行替位掺杂时,器件转化为p型半导体甚至金属,且导电性能大幅提升. 展开更多
关键词 纳米器件 半导体 电子输运 调控 负微分电阻效应
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基于二硒化铂新型纳米器件高各向异性输运研究
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作者 李燕 董先声 +2 位作者 刘国港 廖健 陈铜 《有色金属科学与工程》 CAS 北大核心 2023年第3期347-354,共8页
低维材料是发展新一代电子技术和纳米器件的关键。低维二硒化铂(PtSe_(2))材料因具有制备方法简单、稳定性高、载流子迁移率高等优点而备受关注,被视为最有希望的电子器件候选材料之一。本研究采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合... 低维材料是发展新一代电子技术和纳米器件的关键。低维二硒化铂(PtSe_(2))材料因具有制备方法简单、稳定性高、载流子迁移率高等优点而备受关注,被视为最有希望的电子器件候选材料之一。本研究采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的第一性原理方法研究了低维PtSe_(2)材料的电子结构和输运性质,并沿不同的边界计算锯齿型和扶手椅型PtSe_(2)纳米带。结果表明,不同的条带宽度对锯齿型边界下的PtSe_(2)影响很小,其能带结构均为金属性;扶手椅型边界下表现出奇偶特性。同时,不同边界的PtSe_(2)纳米器件具有高各向异性,其中,锯齿型边界的PtSe_(2)纳米器件有更高的电流,并且表现出负微分电阻效应。 展开更多
关键词 二硒化铂 低维材料 纳米器件
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电子束光刻技术的原理及其在微纳加工与纳米器件制备中的应用 被引量:7
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作者 张琨 林罡 +2 位作者 刘刚 田扬超 王晓平 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第2期97-103,共7页
电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形。随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值。本文以几种常见的... 电子束光刻是微电子技术领域重要的光刻技术之一,它可以制备特征尺寸10nm甚至更小的图形。随着电子束曝光机越来越多地进入科研领域,它在微纳加工、纳米结构的特性研究和纳米器件的制备等方面都呈现出重要的应用价值。本文以几种常见的电子束曝光机为例,说明电子束光刻的工作原理和关键技术,并给出一些它在纳米器件和微纳加工方面的应用实例。 展开更多
关键词 电子束光刻 微纳加工 纳米器件
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纳米器件质子在轨单粒子翻转率预计方法 被引量:3
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作者 于庆奎 罗磊 +3 位作者 唐民 孙毅 魏志超 李铮 《太赫兹科学与电子信息学报》 2017年第1期145-147,158,共4页
研究了纳米器件在空间轨道中质子引起单粒子翻转(SEU)率的预计方法。以65 nm SRAM为样品,利用加速器进行了质子和重离子单粒子翻转试验,分别基于质子试验数据和重离子试验数据,预计了空间轨道中质子引起的单粒子翻转率。结果表明,用重... 研究了纳米器件在空间轨道中质子引起单粒子翻转(SEU)率的预计方法。以65 nm SRAM为样品,利用加速器进行了质子和重离子单粒子翻转试验,分别基于质子试验数据和重离子试验数据,预计了空间轨道中质子引起的单粒子翻转率。结果表明,用重离子试验数据预计的质子单粒子翻转率比用质子试验数据预计的低1.5个数量级。研究认为,为了评估纳米器件单粒子翻转敏感性,需进行质子单粒子翻转试验,并基于质子试验数据进行在轨质子翻转率预计。 展开更多
关键词 辐射效应 纳米器件 质子 重离子 单粒子翻转
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ZnO纳米器件在紫外线强度监测报警中的应用 被引量:3
5
作者 陈文会 陈江宁 +2 位作者 王志勇 祁晓萌 贺永宁 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期479-483,共5页
采用水热方法,在光刻好的叉指电极间实现了ZnO纳米线的生长,制备出金属-半导体-金属(MSM)ZnO纳米线紫外探测器件,对其在暗场、紫外光下的I-V特性以及开关响应特性进行了测试。以S3C6410微处理器为核心,使用嵌入式Linux操作系统平台、Qt ... 采用水热方法,在光刻好的叉指电极间实现了ZnO纳米线的生长,制备出金属-半导体-金属(MSM)ZnO纳米线紫外探测器件,对其在暗场、紫外光下的I-V特性以及开关响应特性进行了测试。以S3C6410微处理器为核心,使用嵌入式Linux操作系统平台、Qt creator应用开发环境,设计了一种基于该探测器件的紫外线强度监测报警系统,实现了在实验室、环境污染监测等方面的紫外线强度实时监测和声光报警功能,该系统具有成本低、精度高、响应迅速的优点。 展开更多
关键词 ZnO纳米器件 水热法 紫外线监测 嵌入式系统
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纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术 被引量:7
6
作者 梁迎新 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2003年第4期2-7,共6页
纳米压印术可以用于大批量重复性地制备纳米图形结构。此项技术具有操作简单、分辨率高、重复性好、费时少,成本费用极低等优点。本文介绍了较早出现的软刻印术的两种方法———微接触印刷法和毛细管微模制法。详细讲述了纳米压印术(主... 纳米压印术可以用于大批量重复性地制备纳米图形结构。此项技术具有操作简单、分辨率高、重复性好、费时少,成本费用极低等优点。本文介绍了较早出现的软刻印术的两种方法———微接触印刷法和毛细管微模制法。详细讲述了纳米压印术(主要指热压雕版压印法)的各步工序———压模制备、压印过程和图形转移,以及用于压印的设备、纳米图案所达到的精确度等,还简述了纳米压印术的另一方法———步进-闪光压印法。最后,通过范例介绍了纳米压印术在制作电子器件、CD存储器和磁存储器、光电器件和光学器件、生物芯片和微流体器件等方面的应用。 展开更多
关键词 纳米器件 纳米压印术 制造工艺 纳米图案 软刻印术 热压雕版压印法 步进-闪光压印法
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图形化技术在纳米器件制造中的应用研究进展 被引量:2
7
作者 王守绪 何为 孙睿 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期105-108,119,共5页
纳米器件包括纳米电子器件和纳米光电器件,是未来新型仪器、设备生产与制造的基础。因此,它们的设计、制造方法和技术受到了人们的广泛关注。介绍了用图形化技术实现纳米器件设计与制造的应用研究进展。
关键词 表面图形化 纳米器件 纳米技术
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纳米器件不同处理方式对小白菜生长和品质的影响 被引量:5
8
作者 孙光闻 陈会星 +3 位作者 陈日远 刘厚诚 宋世威 廖宗文 《纳米科技》 2010年第5期21-24,共4页
用纳米器件处理小白菜的种子,或在小白菜生长过程中浇灌用纳米器件处理过的水,研究纳米器件不同处理方式对小白菜生长、品质的影响,试验结果表明,用纳米器件处理能提高小白菜的产量和品质,其中T2处理(将种子与纳米器件同时浸3h)效果... 用纳米器件处理小白菜的种子,或在小白菜生长过程中浇灌用纳米器件处理过的水,研究纳米器件不同处理方式对小白菜生长、品质的影响,试验结果表明,用纳米器件处理能提高小白菜的产量和品质,其中T2处理(将种子与纳米器件同时浸3h)效果最好。 展开更多
关键词 小白菜 纳米器件 产量 品质
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基于高阶辛算法的纳米器件本征问题仿真 被引量:1
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作者 沈晶 况晓静 +3 位作者 张量 曹欣远 陈明生 张忠祥 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期340-347,共8页
研究一种准确、有效的数值方法是现代纳米器件建模和优化的重要目标之一,而分析大多数纳米器件特性的起始点是确定器件的本征值和本征态。提出了一种新算法—高阶辛时域有限差分法(Symplectic finitedifference time-domain,SFDTD(3,4))... 研究一种准确、有效的数值方法是现代纳米器件建模和优化的重要目标之一,而分析大多数纳米器件特性的起始点是确定器件的本征值和本征态。提出了一种新算法—高阶辛时域有限差分法(Symplectic finitedifference time-domain,SFDTD(3,4)),求解含时薛定谔方程。在时间上采用三阶辛积分,空间上采用四阶差分格式,建立了针对含时薛定谔方程数值求解的高阶辛时域有限差分算法。将高阶辛算法SFDTD(3,4)用于一维量子阱中盒中粒子和一维谐振子的仿真中,实验结果表明SFDTD(3,4)法比传统的时域有限差分算法以及高阶时域有限差分算法更加准确,适用于对纳米器件本征问题的长时间仿真。 展开更多
关键词 量子光学 辛积分 时域有限差分 薛定谔方程 纳米器件本征问题
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几种纳米器件对种子发芽的影响 被引量:7
10
作者 黎永洪 刘安勋 +1 位作者 曹玉江 廖宗文 《纳米科技》 2006年第5期22-25,共4页
研究了几种纳米器件处理的活化水对不同种子发芽的影响,探讨了活化水处理时间对种子发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数的变化。结果表明,几种纳米器件对水稻浸种均不同程度地提高了种子的发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数,对种... 研究了几种纳米器件处理的活化水对不同种子发芽的影响,探讨了活化水处理时间对种子发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数的变化。结果表明,几种纳米器件对水稻浸种均不同程度地提高了种子的发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数,对种子的发芽产生了明显影响,在生产中可进一步试验推广应用。 展开更多
关键词 纳米器件 活化水 种子发芽
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纳米器件的发展动态 被引量:8
11
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2005年第8期345-349,共5页
介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,... 介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。 展开更多
关键词 纳米器件 纳米CMOS器件 纳米电子器件 量子器件
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纳米半导体材料及其纳米器件研究进展 被引量:10
12
作者 王占国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期13-16,共4页
简单介绍纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位;分别讨论半导体纳米结构的制备方法与评价技术;对近年来纳米半导体材料和基于它的固态量子器件研制所取得的进展、存在的问题和发展的趋势作扼要的综述;最后,结合国... 简单介绍纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位;分别讨论半导体纳米结构的制备方法与评价技术;对近年来纳米半导体材料和基于它的固态量子器件研制所取得的进展、存在的问题和发展的趋势作扼要的综述;最后,结合国情和我国在该领域的研究现状,提出发展我国纳米半导体材料的战略设想。 展开更多
关键词 纳米材料 半导体材料 纳米器件
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纳米器件的散粒噪声检测方法研究 被引量:1
13
作者 陈晓娟 车小磊 吴洁 《电子技术应用》 北大核心 2016年第9期32-35,共4页
针对纳米器件散粒噪声信号去噪方法的不足,利用散粒噪声信号在不同状态下的方差特性,提出了一种改进的经验模态分解算法(EMD)。该算法根据信号固有模态函数(IMFs)方差最大值与对应层数的关系自适应地选择需要处理的IMF层数,并与传统平... 针对纳米器件散粒噪声信号去噪方法的不足,利用散粒噪声信号在不同状态下的方差特性,提出了一种改进的经验模态分解算法(EMD)。该算法根据信号固有模态函数(IMFs)方差最大值与对应层数的关系自适应地选择需要处理的IMF层数,并与传统平均算法相结合提取了散粒噪声信号。实验结果表明:在不同程度(≥-3.92 d B)低频噪声环境下,与传统的EMD硬性去噪等方法比较可知,其信噪比提高了5.4 d B^7.0 d B,均方误差降低了36%以上,该方法有效地去除了低频噪声,提高了散粒噪声检测的有效性。 展开更多
关键词 纳米器件 散粒噪声 EMD 平均算法
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纳米器件特性的计算机模拟 被引量:1
14
作者 何红波 周继承 +1 位作者 李义兵 胡慧芳 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期169-178,共10页
随着微细加工技术与纳米科技的发展 ,纳米器件必将成为下一代集成电路的基础。纳米器件模型的建立与计算机模拟对于实验有着重大的指导意义。文中综述了纳米器件的几种输运模型及其模拟结果 ,并对纳米器件物理模型及其辅助设计提出了设想。
关键词 纳米器件 计算机模拟 集成电路
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硅纳米线纳米器件的研究进展 被引量:5
15
作者 裴立宅 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期156-160,共5页
硅纳米线作为一类重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面具有很好的应用前景,可以用于高性能场效应晶体管、单电子探测器和场发射显示器件等纳米器件的制备。介绍了近两年来硅纳米线作为检测细胞、葡萄糖、过氧化氢、牛类血清蛋白和... 硅纳米线作为一类重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面具有很好的应用前景,可以用于高性能场效应晶体管、单电子探测器和场发射显示器件等纳米器件的制备。介绍了近两年来硅纳米线作为检测细胞、葡萄糖、过氧化氢、牛类血清蛋白和DNA杂交方面的纳米传感器、纳米晶体管、光电探测器等纳米器件的最新进展,并对其研究前景做了展望。 展开更多
关键词 纳米线 纳米器件 传感器 晶体管
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纳米器件与单电子晶体管 被引量:5
16
作者 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2002年第1期28-32,共5页
报道了一种非常重要的纳米器件———单电子晶体管,介绍了它的原理、基本特性、制备方法及其集成,着重分析讨论了两种新型的单电子晶体管即波导型单电子晶体管和点接触栅型单电子晶体管。
关键词 单电子晶体管 纳米器件 超敏感探测 纳米加工
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纳米器件与单电子晶体管(续) 被引量:2
17
作者 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2002年第2期12-14,共3页
关键词 纳米器件 单电子晶体管 集成 超敏感探测
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纳米器件处理水的植物营养效应及其应用前景 被引量:1
18
作者 刘安勋 曹玉江 廖宗文 《科学中国人》 2007年第1期97-97,共1页
关键词 营养效应 纳米器件 处理水 植物 农业生产 纳米级材料 纳米技术
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纳米器件处理对豌豆芽苗菜生长和品质的影响 被引量:2
19
作者 汪玉洁 郑胤建 孙光闻 《蔬菜》 2013年第11期7-9,共3页
利用纳米器件处理的活化水进行豌豆芽苗菜的生长培育,研究其对豌豆芽苗菜生长和品质的影响。试验设2个处理:纳米处理(T)和喷施清水对照(CK)。结果表明:与CK相比,T处理能有效促进豌豆芽苗生长,其中豌豆芽苗鲜质量增加12.43%,干质量增加10... 利用纳米器件处理的活化水进行豌豆芽苗菜的生长培育,研究其对豌豆芽苗菜生长和品质的影响。试验设2个处理:纳米处理(T)和喷施清水对照(CK)。结果表明:与CK相比,T处理能有效促进豌豆芽苗生长,其中豌豆芽苗鲜质量增加12.43%,干质量增加10.20%,下胚轴粗增加9.13%,下胚轴长增加2.48%。T处理硝酸盐含量略高于CK,但低于国家规定的硝酸盐含量标准;T处理增加了豌豆芽苗可溶性糖含量,但对VC、可溶性蛋白、游离氨基酸的含量无增加效果。综合得出:与CK相比,T处理可显著增加豌豆芽苗菜的产量,提高其可溶性糖含量。 展开更多
关键词 豌豆 芽苗菜 纳米器件 产量 品质
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纳米器件中双势垒结构的散粒噪声分析及抑制 被引量:1
20
作者 易鸿 《四川文理学院学报》 2009年第5期34-36,共3页
分析了纳米电子器件中散粒噪声的散射理论,通过对电导问题和散射问题相似性的讨论,得到一种基于双势垒结构纳米器件的散粒噪声抑制的方法。
关键词 纳米器件 散粒噪声 双势垒结构
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