纳米ZnO掺杂压敏电阻电位梯度与显微组织研究 被引量：2

1

作者 严群 陈家钊 涂铭旌 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期172-174,共3页

在制备ZnO压敏电阻的原料中加入纳米级ZnO粉料,研究了纳米级粉料对ZnO压敏电阻的压敏电位梯度的影响,并对其微观组织进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响ZnO压敏电阻压敏电位梯度与组织的机理。研究结果表明,压敏电阻中加入纳米Zn... 在制备ZnO压敏电阻的原料中加入纳米级ZnO粉料,研究了纳米级粉料对ZnO压敏电阻的压敏电位梯度的影响,并对其微观组织进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响ZnO压敏电阻压敏电位梯度与组织的机理。研究结果表明,压敏电阻中加入纳米ZnO后,其压敏电位梯度显著提高,纳米ZnO(质量分数)在0～30%的成分范围内,随着纳米ZnO含量的增加,ZnO压敏电阻的压敏电位梯度明显提高。其原因是纳米ZnO加入到ZnO压敏电阻中,使晶粒尺寸减小所致。 展开更多

关键词 压敏电阻 纳米zno压敏电位梯度 显微组织

下载PDF 职称材料

高电位梯度ZnO压敏电阻大电流冲击下电学性能的研究 被引量：6

2

作者 柯磊 蒋冬梅 马学鸣 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 2009年第6期44-47,共4页

通过Y2O3掺杂等工艺手段制备出具有高电位梯度值的ZnO压敏电阻,并进行大电流冲击条件下的电学性能测试。实验结果表明,在掺杂0.08%(摩尔浓度)Y2O3后,试样的电位梯度值达到2 460.5 V/mm,残压比为1.48,最大通流容量达到1 263 A,能量耐受... 通过Y2O3掺杂等工艺手段制备出具有高电位梯度值的ZnO压敏电阻,并进行大电流冲击条件下的电学性能测试。实验结果表明,在掺杂0.08%(摩尔浓度)Y2O3后,试样的电位梯度值达到2 460.5 V/mm,残压比为1.48,最大通流容量达到1 263 A,能量耐受密度达到404.7 J/cm3,具有良好的抵抗大电流冲击的性能。掺杂后的试样晶粒尺寸减小到1.5μm,并且分布比较均匀,细致均匀的微观结构有利于试样电位梯度和大电流冲击下电学性能的提高。 展开更多

关键词 zno压敏电阻 电位梯度 大电流冲击 Y2O3掺杂

下载PDF 职称材料

高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展 被引量：7

3

作者 黄彩清 肖汉宁 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期53-57,共5页

从材料组成、显微结构控制和制备工艺等方面综述了国内外高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展,并展望了提高ZnO压敏电阻片电位梯度和通流容量的途径。采用三价过渡金属离子掺杂、减小添加剂粉料颗粒粒度以及控制合理的烧成制度,能明显减... 从材料组成、显微结构控制和制备工艺等方面综述了国内外高电位梯度ZnO压敏电阻片的研究进展,并展望了提高ZnO压敏电阻片电位梯度和通流容量的途径。采用三价过渡金属离子掺杂、减小添加剂粉料颗粒粒度以及控制合理的烧成制度,能明显减小晶粒尺寸,降低气孔率,增加晶界数目,提高晶界势垒,从而有效提高ZnO压敏电阻片的电位梯度。 展开更多

关键词 zno压敏电阻片 高电位梯度 能量耐受密度 通流容量 制备工艺

下载PDF 职称材料

高电位梯度ZnO压敏电阻的高压稳压性能研究 被引量：2

4

作者 柯磊 蒋冬梅 +1 位作者 王春霞 马学鸣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2082-2084,共3页

采用稀土掺杂和低温烧结的方法制备出高电位梯度的ZnO压敏电阻,并研究了Y2O3掺杂浓度对试样电位梯度和稳压性能的影响。结果表明,在800℃的烧结条件下,掺杂0.08%(摩尔分数)Y2O3后试样的电位梯度增加了49%,稳压系数达到1.99×10-2。... 采用稀土掺杂和低温烧结的方法制备出高电位梯度的ZnO压敏电阻,并研究了Y2O3掺杂浓度对试样电位梯度和稳压性能的影响。结果表明,在800℃的烧结条件下,掺杂0.08%(摩尔分数)Y2O3后试样的电位梯度增加了49%,稳压系数达到1.99×10-2。从微观角度对ZnO压敏电阻烧结过程中的物化反应分析发现,较低的烧结温度能够抑制Y2O3的受主固溶和Bi2O3的挥发,减缓晶粒的生长速度,改善晶界质量,从而提高试样的电位梯度,实现高压稳压。 展开更多

关键词 zno压敏电阻 高压稳压 电位梯度 Y2O3掺杂

下载PDF 职称材料

提高ZnO压敏电阻片电位梯度的研究 被引量：6

5

作者 王玉平 《电瓷避雷器》 CAS 2006年第3期30-34,共5页

为了进一步提高ZnO压敏电阻片的电位梯度和能量耐受能力,研究了添加剂复合粉体的颗粒度、烧结温度和保温时间对电阻片电位梯度和能量耐受能力的影响。采用细度为(0.4～0.6)μm的添加剂,在1 120℃保温5h,φ56mm的电阻片电位梯度可达(3.2... 为了进一步提高ZnO压敏电阻片的电位梯度和能量耐受能力,研究了添加剂复合粉体的颗粒度、烧结温度和保温时间对电阻片电位梯度和能量耐受能力的影响。采用细度为(0.4～0.6)μm的添加剂,在1 120℃保温5h,φ56mm的电阻片电位梯度可达(3.2～3.5)kV/cm;在传统添加剂细度的基础上,烧结温度为1 200℃,保温5h可获得梯度为(1.7～1.8)kV/cm,方波为800A的大容量电阻片。从传统电位梯度和高梯度电阻片显微结构分析中得出,晶粒细小化是提高电位梯度的重要途径。尖晶石是晶粒生长的钉扎中心,可以抑制晶粒过分长大,控制尖晶石的颗粒大小、均匀分布是控制和促使ZnO晶粒均匀细小化的关键。 展开更多

关键词 zno压敏电阻片 电位梯度 添加剂细小化 晶粒细小化 尖晶石

下载PDF 职称材料

微波烧结制备高电位梯度ZnO压敏电阻的研究

6

作者 张代兵 甘国友 +1 位作者 严继康 杜景红 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2011年第24期107-109,共3页

利用微波烧结技术制备高电位梯度ZnO压敏电阻。将ZnO和PbO、B2O3、Co2O3、MnO2粉体按照化学计量比混合,将所得的粉体经干燥、650℃预烧、700～900℃烧结、成型;对比了不同温度下常规烧结和微波烧结对ZnO压敏电阻电性能的影响,同时研究... 利用微波烧结技术制备高电位梯度ZnO压敏电阻。将ZnO和PbO、B2O3、Co2O3、MnO2粉体按照化学计量比混合,将所得的粉体经干燥、650℃预烧、700～900℃烧结、成型;对比了不同温度下常规烧结和微波烧结对ZnO压敏电阻电性能的影响,同时研究了烧结温度对ZnO压敏电阻电性能的影响;并采用SEM和XRD对烧结试样结构进行表征。结果表明,微波烧结所制备样品内部的晶粒生长均匀,平均粒径为200～500 nm,试样压敏电压为800～1000 V/mm,试样漏电流为80～120μA。 展开更多

关键词 zno压敏电阻 微波烧结 高电位梯度 电性能

原文传递

纳米Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻片电学性能的影响 被引量：2

7

作者 夏昌其 钟春燕 李自立 《山东化工》 CAS 2019年第16期140-141,共2页

为获得电学性能优异、生产成本低的ZnO压敏电阻片,本文采用传统陶瓷烧结技术制备ZnO压敏电阻片,研究不同含量纳米Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻片的电位梯度、漏电流、非线性系数等电性能的影响。采用压敏电阻直流参数仪对ZnO压敏电阻片的电... 为获得电学性能优异、生产成本低的ZnO压敏电阻片,本文采用传统陶瓷烧结技术制备ZnO压敏电阻片,研究不同含量纳米Bi2O3掺杂对ZnO压敏电阻片的电位梯度、漏电流、非线性系数等电性能的影响。采用压敏电阻直流参数仪对ZnO压敏电阻片的电学性能进行表征。实验结果表明,随着纳米Bi2O3含量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度先升高后降低,漏电流变化不显著,非线性系数先增大后减小。当掺杂纳米Bi2O3摩尔分数为0.80%时,ZnO压敏电阻片的电学性能最佳。 展开更多

关键词 zno压敏电阻片 电位梯度 漏电流 非线性系数

下载PDF 职称材料

新型ZnO压敏电阻片的研究进展 被引量：21

8

作者 王玉平 李盛涛 《电气应用》 北大核心 2005年第6期1-2,4,6,8,21,共6页

为了更好地满足1000kV交流系统和±800kV直流系统中各种避雷器对安全可靠性、重量轻、体积小型化的要求,国内外竞相开展了提高ZnO压敏电阻片电位梯度和能量耐受密度的研究开发工作。本文分析了国内外用于交直流系统避雷器的高电位... 为了更好地满足1000kV交流系统和±800kV直流系统中各种避雷器对安全可靠性、重量轻、体积小型化的要求,国内外竞相开展了提高ZnO压敏电阻片电位梯度和能量耐受密度的研究开发工作。本文分析了国内外用于交直流系统避雷器的高电位梯度大能量耐受密度ZnO压敏电阻片的研究开发和应用进展,总结了提高ZnO压敏电阻片电位梯度(达4.OkV/cm)和能量耐受密度(达300J/cm3)的途径。 展开更多

关键词 压敏电阻片 zno 研究进展 电位梯度 安全可靠性 交直流系统 交流系统 开发工作 应用进展 研究开发 避雷器 重量轻 小型化 密度 耐受 能量 国内外

原文传递

掺杂Y_2O_3对ZnO-Bi_2O_3系压敏电阻片性能的影响 被引量：3

9

作者 王玉平 马军 《电瓷避雷器》 CAS 2007年第1期18-20,共3页

掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0～1.7%(摩尔分数)Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%(摩尔分数... 掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0～1.7%(摩尔分数)Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%(摩尔分数)Y2O3,可获得具有300V/mm的电位梯度和370J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片。此外,以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1。 展开更多

关键词 zno压敏电阻片 Y2O3掺杂 电位梯度 烧成温度 侧面绝缘

下载PDF 职称材料

中温烧结改性ZnO压敏陶瓷材料研究 被引量：1

10

作者 廖继红 力昌英 +2 位作者 钟志成 杨伟 屈少华 《中国陶瓷》 CSCD 北大核心 2017年第5期55-60,共6页

研制了一种添加锌硼玻璃料的新型中温烧结高非线性高电位梯度改性ZnO压敏陶瓷材料。实验发现,低熔物锌硼玻璃料是影响烧结的主要因素。除了能降低该材料的烧结温度外,还能起到掺杂改性作用。该材料具有中温烧结温度、高电位梯度、高非... 研制了一种添加锌硼玻璃料的新型中温烧结高非线性高电位梯度改性ZnO压敏陶瓷材料。实验发现,低熔物锌硼玻璃料是影响烧结的主要因素。除了能降低该材料的烧结温度外,还能起到掺杂改性作用。该材料具有中温烧结温度、高电位梯度、高非线性系数、低漏电流等优点。1050℃烧成时的主要参数为:电位梯度为566 V/mm;非线性系数为115;漏电流为2.6μΑ。该材料在制造高压或超高压电力系统的优质避雷器产品方面显示出良好的应用前景。 展开更多

关键词 zno压敏陶瓷 中温烧结 液相烧结 高电位梯度 高非线性系数

原文传递

烧结温度对ZnO压敏陶瓷电性能的影响 被引量：2

11

作者 夏昌其 钟春燕 李自立 《现代机械》 2018年第2期71-73,共3页

为了获得高电位梯度氧化锌压敏电阻片,采用了传统陶瓷烧结工艺制备ZnO压敏电阻,研究不同烧结温度(1135~1155℃)对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验结果表明,随着烧结温度的增加,ZnO压敏陶瓷的晶粒尺寸增大,电位梯度降低且致密度提高。... 为了获得高电位梯度氧化锌压敏电阻片,采用了传统陶瓷烧结工艺制备ZnO压敏电阻,研究不同烧结温度(1135~1155℃)对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验结果表明,随着烧结温度的增加,ZnO压敏陶瓷的晶粒尺寸增大,电位梯度降低且致密度提高。烧结温度为1135℃时,压敏电阻的电位梯度高达329V/mm,漏电流为8μA,致密度为96.4%。当烧结温度为1140℃时,压敏电阻的电位梯度为301V/mm,漏电流为4μA,致密度为96.6%。通过比较烧结温度为1135℃和1140℃的实验结果,发现烧结温度为1140℃时,ZnO压敏陶瓷的综合电性能达到最佳。 展开更多

关键词 zno压敏陶瓷 烧结温度 电位梯度

下载PDF 职称材料

籽晶分步包膜法掺杂改进ZnO的压敏电阻特性

12

作者 王玉平 李盛涛 张明才 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期312-315,共4页

通过籽晶分步包膜法ZnO复合掺杂物制备技术的研究,以及与其他三种不同工艺方法处理ZnO压敏电阻片掺杂物复合粉体的对比,特别是在复合掺杂物性能、混合浆料性能、喷雾造粒性能、电气性能和显微结构等方面的对比,得出籽晶分步包膜沉淀可... 通过籽晶分步包膜法ZnO复合掺杂物制备技术的研究,以及与其他三种不同工艺方法处理ZnO压敏电阻片掺杂物复合粉体的对比,特别是在复合掺杂物性能、混合浆料性能、喷雾造粒性能、电气性能和显微结构等方面的对比,得出籽晶分步包膜沉淀可以获得离子级混合均匀的ZnO复合掺杂物,经过喷雾造粒提高成型性能.最终,使ZnO压敏电阻片电位梯度和能量吸收能力得到了显著提高,分别达到2.6kV/cm和270J/cm3. 展开更多

关键词 zno压敏电阻片 籽晶分步包膜沉淀 电位梯度 能量吸收能力

下载PDF 职称材料

真空烧结对高压厚膜型ZnO压敏陶瓷的影响

13

作者 柯磊 马学鸣 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期6-9,共4页

采用真空烧结的方法制备出高电位梯度的厚膜型ZnO压敏陶瓷,并研究了多次真空烧结对高压厚膜型ZnO压敏陶瓷的影响。实验结果表明,多次真空烧结使试样的电学性能产生先劣化后优化的变化趋势。真空烧结5次后,试样的电位梯度为2890.9V/mm,... 采用真空烧结的方法制备出高电位梯度的厚膜型ZnO压敏陶瓷,并研究了多次真空烧结对高压厚膜型ZnO压敏陶瓷的影响。实验结果表明,多次真空烧结使试样的电学性能产生先劣化后优化的变化趋势。真空烧结5次后,试样的电位梯度为2890.9V/mm,漏电流为87.9μA,非线性系数为9.0,晶粒尺寸在2μm左右。晶粒中氧原子百分含量的降低表明真空烧结5次后,晶粒、晶界间发生了氧原子的转移,使试样宏观电学性能得到改善。 展开更多

关键词 zno压敏陶瓷 真空烧结 电位梯度 厚膜

原文传递

微波烧结制备ZnO压敏电阻

14

作者 柯磊 袁艳红 杨党强 《上海电机学院学报》 2012年第4期255-259,共5页

采用微波烧结的方法制备出ZnO压敏电阻,并对试样的物相组成、微观形貌和电学性能进行了表征。结果表明,微波烧结制备的ZnO压敏电阻与常规烧结具有相同的物相结构,平均晶粒尺寸为2.1μm;试样的电位梯度、漏电流、非线性系数分别为2 479.1... 采用微波烧结的方法制备出ZnO压敏电阻,并对试样的物相组成、微观形貌和电学性能进行了表征。结果表明,微波烧结制备的ZnO压敏电阻与常规烧结具有相同的物相结构,平均晶粒尺寸为2.1μm;试样的电位梯度、漏电流、非线性系数分别为2 479.1V/mm,6.60μA,22.6;晶界势垒形状尖锐,势垒高度为0.88eV,耗尽层宽度为16nm。与常规绕结ZnO压敏电阻相比,微波烧结过程加热均匀,使试样的微观结构具有较好的一致性,提升了烧结质量,优化了ZnO压敏电阻的电学性能。 展开更多

关键词 微波烧结 zno压敏电阻 电位梯度

下载PDF 职称材料

Li^＋对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响 被引量：1

15

作者 王发顶 康雪雅 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期30-32,共3页

采用氧化物固相合成法,制备了掺Li2CO3的ZnO压敏陶瓷。研究了掺Li2CO3量对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响。结果表明:当x(Li2CO3)从0增加到0.50%时,压敏电位梯度从529V/mm增大到2170V/mm。XRD测试发现,掺Li2CO3并未出现新相结构。... 采用氧化物固相合成法,制备了掺Li2CO3的ZnO压敏陶瓷。研究了掺Li2CO3量对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响。结果表明:当x(Li2CO3)从0增加到0.50%时,压敏电位梯度从529V/mm增大到2170V/mm。XRD测试发现,掺Li2CO3并未出现新相结构。晶界势垒高度揭示,ZnO晶粒尺寸的迅速减小是压敏电位梯度急剧增高的主要原因。Li+置换Zn2+,将会在禁带中价带的顶部形成附加的受主能级,使能带发生畸变。 展开更多

关键词 zno压敏陶瓷 Li+掺杂 压敏电位梯度 晶界势垒高度 能带结构

下载PDF 职称材料

纳米氧化锌压敏电阻的制备及性能研究 被引量：3

16

作者 高宏玲 吕树臣 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2005年第1期31-34,共4页

采用无机可溶性盐为原料通过化学沉淀的方法制备了新型优质的纳米级ZnO压敏电阻材料.并且,利用XRD,TEM,SEM等分析技术,对其微观结构进行表征和讨论.研究结果表明,由于采用化学共沉淀方法制备粉体颗粒细小、活性高、微观成分均匀,使制备... 采用无机可溶性盐为原料通过化学沉淀的方法制备了新型优质的纳米级ZnO压敏电阻材料.并且,利用XRD,TEM,SEM等分析技术,对其微观结构进行表征和讨论.研究结果表明,由于采用化学共沉淀方法制备粉体颗粒细小、活性高、微观成分均匀,使制备压敏电阻的烧结温度降低到950℃,同时显示更优良的电性能.其非线性系数和电压梯度分别达到87.2,988.2V/mm. 展开更多

关键词 氧化锌压敏电阻 制备 性能研究 化学共沉淀方法 电阻材料 化学沉淀 可溶性盐 分析技术 微观结构 研究结果 粉体颗粒 温度降低 电压梯度 zno 纳米级 XRD TEM SEM 电性能 系数和 非线性

下载PDF 职称材料

La2O3的掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响 被引量：3

17

作者 万帅 许衡 +3 位作者 曹伟 谷山强 张瑞 李桂芳 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第3期353-356,360,共5页

采用传统固相法制备稀土氧化物La2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物相、显微组织及电性能进行分析。结果表明,随着La2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷电位梯度单调递增,非线性系... 采用传统固相法制备稀土氧化物La2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物相、显微组织及电性能进行分析。结果表明,随着La2O3掺杂量的增加,ZnO压敏陶瓷电位梯度单调递增,非线性系数先增加后减小,而漏电流呈现先减小后增大的变化趋势。综合衡量ZnO压敏电阻的各项性能指标发现,在1000℃烧结温度下,La2O3的质量分数为0.25%时,ZnO压敏电阻的综合性能最好,其电位梯度为532.2 V/mm,非线性系数为41.6,漏电流为3.3μA。 展开更多

关键词 zno压敏陶瓷 稀土氧化物La2O3 电位梯度 电性能

下载PDF 职称材料

高能球磨和低温烧结制备高电位梯度ZnO厚膜压敏电阻 被引量：2

18

作者 柯磊 马学鸣 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期248-253,共6页

通过高能球磨和低温烧结,制备出高电位梯度的ZnO厚膜压敏电阻,并研究了烧结温度对厚膜试样电学性能的影响。结果表明,高能球磨可显著细化粉体颗粒,球磨后颗粒的平均尺寸减小到0.420μm;颗粒的高度细化促使厚膜可在650～850℃的低温范围... 通过高能球磨和低温烧结,制备出高电位梯度的ZnO厚膜压敏电阻,并研究了烧结温度对厚膜试样电学性能的影响。结果表明,高能球磨可显著细化粉体颗粒,球磨后颗粒的平均尺寸减小到0.420μm;颗粒的高度细化促使厚膜可在650～850℃的低温范围烧结成瓷,其中在700℃的烧结条件下,厚膜试样的综合性能最佳,电位梯度达到3175.6 V.mm-1,漏电流为30.7μA,非线性系数为13,微观势垒高度为0.79 eV,耗尽层宽度为14.4 nm,施主浓度为2.24×1018 cm-3,表面态密度为3.22×1012 cm-2。 展开更多

关键词 zno厚膜压敏电阻 高电位梯度 高能球磨 低温烧结 稀土

原文传递

Y_2O_3和ln_2O_3复合掺杂对Zn-Bi系压敏陶瓷的影响 被引量：2

19

作者 廖继红 钟志成 +1 位作者 陈洋 屈少华 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2018年第6期711-715,共5页

通过复合掺杂0.08mol%Y_2O_3和xmol%ln_2O_3,采用固相法制备Zn-Bi系压敏陶瓷,研究了烧结温度为1120℃保温3小时条件下,掺杂不同剂量ln_2O_3对ZnO陶瓷的晶粒大小、显微结构以及电性能的影响。研究表明随着复合掺杂ln_2O_3剂量的增大,ZnO... 通过复合掺杂0.08mol%Y_2O_3和xmol%ln_2O_3,采用固相法制备Zn-Bi系压敏陶瓷,研究了烧结温度为1120℃保温3小时条件下,掺杂不同剂量ln_2O_3对ZnO陶瓷的晶粒大小、显微结构以及电性能的影响。研究表明随着复合掺杂ln_2O_3剂量的增大,ZnO压敏陶瓷样品的晶粒大小先减小后增大。少量复合掺杂Y_2O_3和ln_2O_3,晶粒的生长均匀细小,显微结构致密;晶界成分和结构得到了优化,改善了非线性特性。复合掺杂0.08mol%Y_2O_3和0.7mol%ln_2O_3的压敏陶瓷材料适合制作高电位梯度避雷器。其压敏电压梯度可达1080 V/mm,非线性系数为55,漏电流为0.60μΑ。 展开更多

关键词 zno压敏陶瓷 Y2O3和In2O3复合掺杂 非线性系数 高电位梯度

下载PDF 职称材料

Al2O3掺杂对Zn-Bi系压敏陶瓷性能的影响

20

作者 廖继红 熊小红 +2 位作者 钟志成 喻志远 屈少华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2018年第11期32-36,共5页

采用Al2O3掺杂,通过固相法制备Zn-Bi系压敏陶瓷,研究了不同比例Al2O3对ZnO陶瓷的晶粒大小、显微结构以及电性能的影响。研究表明ZBSCCMY配方中掺杂少量Al2O3制备得到ZnO压敏陶瓷样品的晶粒大小愈加均匀,显微结构更加致密;陶瓷物相主要由... 采用Al2O3掺杂,通过固相法制备Zn-Bi系压敏陶瓷,研究了不同比例Al2O3对ZnO陶瓷的晶粒大小、显微结构以及电性能的影响。研究表明ZBSCCMY配方中掺杂少量Al2O3制备得到ZnO压敏陶瓷样品的晶粒大小愈加均匀,显微结构更加致密;陶瓷物相主要由ZnO相、少量的Bi2O3相和微量的Zn7Sb2O7尖晶石物相构成;少量Al2O3的掺杂改进了晶粒和晶界结构和成分,活化了晶界,降低烧制压敏陶瓷的烧结温度,优化了压敏陶瓷的非线性特性。当掺杂浓度为0.05wt%、烧结温度为1100℃、保温2h得到性能良好的压敏陶瓷,其压敏电位梯度可达810V/mm,非线性系数为68,漏电流为2.4μA。 展开更多

关键词 zno压敏陶瓷 Al2O3掺杂 非线性系数 高电位梯度

原文传递