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GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质
被引量：
3
1
作者
张福甲
虎志明
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期232-236,共5页
用变分法分别计算了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱和多量子阱在纵向（垂直于异质结界面的方向）外电场作用下激子的基态能级，讨论了电场对激子的峰移、偶极振予强度和交换能的影响。
关键词
量子阱
激子
纵向外电场
砷化镓
ALXGA1-XAS
下载PDF
职称材料
题名
GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质
被引量：
3
1
作者
张福甲
虎志明
机构
兰州大学物理系
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期232-236,共5页
文摘
用变分法分别计算了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱和多量子阱在纵向（垂直于异质结界面的方向）外电场作用下激子的基态能级，讨论了电场对激子的峰移、偶极振予强度和交换能的影响。
关键词
量子阱
激子
纵向外电场
砷化镓
ALXGA1-XAS
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质
张福甲
虎志明
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1994
3
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