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串联速率法研究仲钨酸铵晶体线生长速率 被引量：2
1
作者 万林生 郜伟 +3 位作者 石忠宁 张耀静 肖学有 陈帮明 《中国钨业》 CAS 2004年第3期31-33,共3页
将结晶成核期后晶体的生长阶段作为线生长速率测定的时间范围,采用“串联速率法”研究了仲钨酸铵(APT)的晶体线生长级数。NH4Cl—NH3·H2O—H2O系和NH3·H2O—H2O系测定的APT晶体线生长级数分别为0.69和0.82。
关键词 仲钨酸铵 串联速率法 晶体线生长级数 晶体线生长速率 API
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仲钨酸铵成核期晶体生长速率研究 被引量：1
2
作者 万林生 《中国钨业》 CAS 1997年第12期10-14,共5页
采用将最终产品粒度组成与生长质量速率的测试结果结合的方法研究了钟钨酸铵(APT)成核期晶体的线生长速率()和结晶速率()。试验条件下APT成核期的值为1.0～137um/min,值为1.8～16.5g/min.dm^3。提高起始WO_3和NH_4Cl浓度、增大加热强度... 采用将最终产品粒度组成与生长质量速率的测试结果结合的方法研究了钟钨酸铵(APT)成核期晶体的线生长速率()和结晶速率()。试验条件下APT成核期的值为1.0～137um/min,值为1.8～16.5g/min.dm^3。提高起始WO_3和NH_4Cl浓度、增大加热强度,将使和大幅度升高。^(max)出现时间提早。过大的搅拌强度虽可减少连生体的生成,但由于面积A增大、过饱和度△C变小、以及晶体破碎加剧,将使和值下降。APT连生体的生成使成核前、后期的值分别升高和降低。破碎晶体存在的生长散布现象导致和的平均值略为下降。与WO-4^(2-)的聚合反应相比,上述因素对相变反应的影响较大。 展开更多
关键词 仲钨酸铵 成核期 线生长速率 结晶速率
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仲钨酸铵晶体生长机理及形态研究
3
作者 万林生 《中国钨业》 CAS 1996年第1期21-26,共6页
研究了 NH_4Cl 掺入下仲钨酸铵的晶形变化。探讨了生长机理与晶体生长速度的关系。在计算值时采用了将最终产品粒度组成与生长质量速率结合的方法。结果表明:NH_3·H_O-H_2O 系 APT 按二维成核或位错机理生长,晶体表面光滑、层状结... 研究了 NH_4Cl 掺入下仲钨酸铵的晶形变化。探讨了生长机理与晶体生长速度的关系。在计算值时采用了将最终产品粒度组成与生长质量速率结合的方法。结果表明:NH_3·H_O-H_2O 系 APT 按二维成核或位错机理生长,晶体表面光滑、层状结构明显,部分小品体具有螺卷状结构。NH_4Cl-NH_3·H_2O-H_2O 系 APT 生长则为二维成核或以最微小粒子集聚的连续生长机制。大颗粒晶体表面粗糙多孔、晶面界限不明,呈现生长丘形态。均相成核期内晶核长大到一定大小时开始生成由大小不一的复合贯穿和复合接触孪晶构成的连生体。NH_4Cl 掺入促进连生体形成。表面粗糙及连生体多的 APT 松装比重下降、流动性差。 展开更多
关键词 仲钨酸铵 晶体形貌 生长机理 线生长速率
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Ozawa方程处理PET非等温结晶动力学过程研究 被引量：5
4
作者 董知之 张志英 +2 位作者 王学哲 宋娜 宋正红 《合成纤维工业》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期12-14,共3页
采用Monte Carlo法计算机模拟在预先成核条件和不同降温速率下PET非等温结晶曲线，将模拟的结果用Ozawa方程及改进的Ozawa方程进行处理。结果表明，用Ozawa方程解析的Avrami指数与理论值相近，用改进的Ozawa方程可直接得到结晶速率常数... 采用Monte Carlo法计算机模拟在预先成核条件和不同降温速率下PET非等温结晶曲线，将模拟的结果用Ozawa方程及改进的Ozawa方程进行处理。结果表明，用Ozawa方程解析的Avrami指数与理论值相近，用改进的Ozawa方程可直接得到结晶速率常数，求出的线生长速率与理论值基本吻合。 展开更多
关键词 聚对苯二甲酸乙二醇酯 非等温结晶 Ozawa方程 Avrami指数 结晶速率常数 线生长速率
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大颗粒磷钼酸铵:制备与结晶动力学(英文)
5
作者 黄云敬 刘珊 阳卫军 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第4期789-797,共9页
通过缓慢滴加焦磷酸钾的硝酸溶液到钼酸铵溶液中制得了大颗粒磷钼酸铵(AMP)。研究了AMP的成核速率(G)与晶体生长速率。与晶体生长速率相比成核速率的反应级数更高。最初,大颗粒磷钼酸铵的结晶过程处于相变反应控制的动力学区域,此时溶... 通过缓慢滴加焦磷酸钾的硝酸溶液到钼酸铵溶液中制得了大颗粒磷钼酸铵(AMP)。研究了AMP的成核速率(G)与晶体生长速率。与晶体生长速率相比成核速率的反应级数更高。最初,大颗粒磷钼酸铵的结晶过程处于相变反应控制的动力学区域,此时溶液的过饱和生成速率比过饱和消除速率高。晶体线生长速率与溶液的过饱和度先增加后降低。在滴加中期,过饱和消除速率增长到与其生成速率相当。在滴加后期,晶体成核速率快速增高,而晶体的线生长速率下降。晶体的成核速率成为过饱和消除的唯一控制步骤。因此,AMP成核大部分是在首先接触到滴加液的局部溶液中完成的。 展开更多
关键词 晶体生长 磷钼酸铵 X射线衍射 成核速率 动力学 晶体线生长速率
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