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基于VHDL-AMS的结型场效应管行为建模与仿真 被引量：1
1
作者 高献伟 冼立勤 +1 位作者 耿彦明 赵成 《实验室研究与探索》 CAS 2006年第6期604-607,共4页
提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了结型场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以N沟道结型场效应管共源极放大电路为例在混合信号仿真器SMASH5.5中验证了模型的正确性。
关键词 结型场效应管 SPICE VHDL—AMS 行为建模
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基于结型场效应管开关特性控制AC-LED晶粒分段导通的研究 被引量：4
2
作者 慎邦威 于德鲁 +2 位作者 杨馥瑞 沈建华 许键 《照明工程学报》 2014年第6期105-111,共7页
为了提高AC-LED光利用率,本文设计了一种利用结型场效应管开关特性控制AC-LED中阵列晶粒分段提前导通的电路。利用Pspice软件设计了电路模型,优化了结型场效应管参数,提高了场效应管的开关响应速度、饱和工作时间以及控制了饱和电流值。... 为了提高AC-LED光利用率,本文设计了一种利用结型场效应管开关特性控制AC-LED中阵列晶粒分段提前导通的电路。利用Pspice软件设计了电路模型,优化了结型场效应管参数,提高了场效应管的开关响应速度、饱和工作时间以及控制了饱和电流值。对LED晶粒分组,降低了LED晶粒开启电压。得到了场效应管依次控制各组LED晶粒提前、恒流导通的效果。仿真结果表明:利用结型场效应管控制AC-LED分段导通,每个周期的导通时间由未加场效应管的40%提高到了90%。 展开更多
关键词 AC-LED 开启电压 结型场效应管 PSPICE软件 分段导通 光利用率
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采用耗尽型的碳化硅纵向结型场效应管简化高压开关电源
3
作者 袁海斌 《电力电子》 2013年第3期29-32,共4页
为数字控制和门驱动电路必需的高压开关电源(SMPS)的起动电路由若干个有功耗的分立元件组成。为精简此电路,本文在级联结构(Cascode Configuration)中使用新型的1700V、1.4Ω的耗尽型碳化硅纵向结型场效应管(VJFET),使它在开关电源工作... 为数字控制和门驱动电路必需的高压开关电源(SMPS)的起动电路由若干个有功耗的分立元件组成。为精简此电路,本文在级联结构(Cascode Configuration)中使用新型的1700V、1.4Ω的耗尽型碳化硅纵向结型场效应管(VJFET),使它在开关电源工作中担负两种作用。首先,JFET为控制器/IC提供起动电流,以取消额外的起动电路,同时又作为开关电源的主要开关元件。这种双重作川对开关电源而言,减少了元件数量,节省了空间,提高了效率,降低了系统成本。 展开更多
关键词 碳化硅 纵向结型场效应管 SMPS
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一种新型超级联碳化硅结型场效应管
4
作者 修强 董耀文 +2 位作者 彭子和 秦海鸿 游霞 《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第5期1105-1109,共5页
提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进型超级联碳化硅结型场效应管的内部结构和工作原理,给出了元器件选择的依据与方法。对改进型超级联碳化硅... 提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进型超级联碳化硅结型场效应管的内部结构和工作原理,给出了元器件选择的依据与方法。对改进型超级联碳化硅结型场效应管的导通和开关特性进行了测试,实验测试得出改进型超级联碳化硅结型场效应管的阻断电压超过4 500 V,25℃时开关时间小于80 ns,开关损耗约为15 m J,具有良好的开关特性。 展开更多
关键词 半导体器件 碳化硅结型场效应管 高耐压 低损耗
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夹断电压可调的高压结型场效应管
5
作者 聂卫东 朱光荣 +1 位作者 易法友 于宗光 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期75-80,共6页
基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过... 基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过改变高压J-FET的P型埋层(P-buried)掩膜窗口的大小和间距,来改变P-buried和N-well的杂质浓度分布,达到改变J-FET夹断电压的目的。在不增加工艺步骤和改变原有工艺条件的情况下,通过实验得到击穿电压大于700V,夹断电压在8V和17V之间可自由调整的高压J-FET器件。该器件可以作为启动器件和供电模块的线性调整器件使用。由于其夹断电压受P-buried注入版图尺寸的影响,同时受栅电位调制,所以可以满足线路设计者的不同要求。 展开更多
关键词 高压结型场效应管 夹断电压可调 P型埋层变掺杂 双重降低表面电场
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一种互补结型场效应管负阻器件
6
作者 舒小华 《现代电子技术》 2003年第11期11-13,共3页
介绍了一种利用集成互补结型场效应管的简单复合而构成的负阻器件 ,并且对该负阻器件的温度特性进行了分析 。
关键词 负阻器件 温度稳定性 互补结型场效应管 JFET 特性分析
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浅析结型场效应管沟道类型和工作区类型的判别规则 被引量：1
7
作者 初广前 曹燕 《科技资讯》 2021年第1期59-61,234,共4页
模拟电子技术基础是电气类、自动化类、电子通信类专业的专业基础课,在教学过程中,学生普遍反映场效应管这部分知识比较难学,根据多年的教学积累,笔者归纳总结了结型场效应管沟道类型和工作区域的判别规则。根据已给的开启电压或夹断电... 模拟电子技术基础是电气类、自动化类、电子通信类专业的专业基础课,在教学过程中,学生普遍反映场效应管这部分知识比较难学,根据多年的教学积累,笔者归纳总结了结型场效应管沟道类型和工作区域的判别规则。根据已给的开启电压或夹断电压,还有栅极、漏极和源极电压,通过场效应管的转移特性曲线和输出特性曲线,即可得到判别结果。实践证明,该判决规则行之有效,解决了学生学习中的难题。 展开更多
关键词 结型场效应管 沟道类型 工作区类型 判别规则
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结型场效应管压控增益放大器及其应用
8
作者 张学军 曾云 《湘潭师范学院学报（自然科学版）》 2002年第2期23-25,77,共4页
分析了结型场效应管压控增益放大器的电路原理 ,并阐明了其电路的特性和实用价值 ,为集成电路设计提供了理论依据。
关键词 结型场效应管 压控增益放大器 调制 解调 电路原理 集成电路 漏极 源极
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采用耗尽型的碳化硅纵向结型场效应管简化高压开关电源
9
作者 袁海斌 Nigel Springett +1 位作者 Robin Schrader Jeff Casady 《电源世界》 2014年第7期32-34,39,共4页
数字控制和门驱动电路必需的高压开关电源(SMPS)的起动电路,由若干个有功耗的分立元件组成。为精简此电路,本文在级联结构(Cascode Configuration)中使用新型的1700V、1.4Ω的耗尽型碳化硅纵向结型场效应管(VJFET),使它在开关电源工作... 数字控制和门驱动电路必需的高压开关电源(SMPS)的起动电路,由若干个有功耗的分立元件组成。为精简此电路,本文在级联结构(Cascode Configuration)中使用新型的1700V、1.4Ω的耗尽型碳化硅纵向结型场效应管(VJFET),使它在开关电源工作中担负两种作用。首先,JFET为控制器、IC提供起动电流,以取消额外的起动电路;同时,又作为开关电源的主要开关元件。这种双重作用,对开关电源而言,减少了元件数量,节省了空间,提高了效率,降低了系统成本。 展开更多
关键词 碳化硅 纵向结型场效应管 SMPS
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结型场效应晶体管放大器的噪声 被引量：3
10
作者 王玲 郑善贤 《电路与系统学报》 CSCD 2003年第3期132-134,共3页
本文通过分析结型场效应管(JFET)放大器内部不同的噪声源,首次导出了场效应管放大器在较宽频率范围内的等效输入噪声电压表达式,估算了当信号源阻抗为容性时JFET放大器的总噪声,为场效应管电路低噪声优化设计提供有力的工具。
关键词 结型场效应管放大器 等效输入噪声电压 功率谱
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享受简洁之美——结型场效应管单湍甲类前级
11
作者 农兵 《无线电与电视》 2005年第1期34-38,共5页
在土炮发烧友当中，有不少人崇尚简洁至上，笔者便是其中之一。笔者非常喜欢电子管前级一级或二级放大这一类电路结构，一个管子，三五个阻容元件，虽简简单单，却出乎意料地靓声。但在焊制过几部胆前级之后，感觉胆前级有三点让笔者不... 在土炮发烧友当中，有不少人崇尚简洁至上，笔者便是其中之一。笔者非常喜欢电子管前级一级或二级放大这一类电路结构，一个管子，三五个阻容元件，虽简简单单，却出乎意料地靓声。但在焊制过几部胆前级之后，感觉胆前级有三点让笔者不太能接受，一是好的管子和高耐压元器件都太贵，制作一部胆机的费用可以用来制作两部晶体管前级； 展开更多
关键词 胆前级 结型场效应管 甲类 电子管前级 胆机 阻容元件 晶体管 享受 费用 发烧友
原文传递
离子敏感场效应管的结构优化建模
12
作者 王钰妍 《科技与创新》 2021年第24期152-154,共3页
离子敏感场效应管是在金属氧化物场效应管的基本结构上,通过改变栅极结构与材料得到的一种可以直接测量电解质溶液里离子浓度变化的新型器件。该器件除了有传统场效应管的基本性质之外,还有一个重要的性质,即其栅极电压会跟着电解质溶... 离子敏感场效应管是在金属氧化物场效应管的基本结构上,通过改变栅极结构与材料得到的一种可以直接测量电解质溶液里离子浓度变化的新型器件。该器件除了有传统场效应管的基本性质之外,还有一个重要的性质,即其栅极电压会跟着电解质溶液中离子浓度浓度变化而直接变化。首先对离子敏感场效应管进行仿真建模,分析其工作原理。建模过程主要解决了对于液体电解质的自建材料计算与半导体电解质接触面边界条件的模拟仿真。传统的离子敏感场效应管的敏感度上限为59.6 mV/pH,又称为能斯特极限。为了突破能斯特极限提高器件性能,通过采用无结型场效应管的结构来设计离子敏感场效应管,最后仿真得到敏感度更高、精度更好的器件结构。 展开更多
关键词 离子敏感场效应管 pH值测量 无结型场效应管 仿真建模
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场效应管检测方法
13
作者 张运旺 《家电维修》 2008年第1期45-46,共2页
1．用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据结型场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k挡上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、... 1．用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据结型场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k挡上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极， 展开更多
关键词 结型场效应管 检测 电阻值 测电阻法 万用表 电极 PN结 反向
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一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器
14
作者 张键 胡辉勇 +1 位作者 周远杰 何峥嵘 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第6期527-532,共6页
基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入... 基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入失调电压;采用四核跨导结构优化中间级提高运放的压摆率;输出级采用互补推挽输出结构防止交越失真,同时提高功率驱动能力;偏置电路利用JFET作恒流源,保证在不同工作电压下稳定供电。芯片流片测试结果表明,该放大器在±5~±13 V工作电压条件下,输入失调电压≤80μV;输入偏置电流≤1.5 pA;开环增益≥107 dB;增益带宽积≥25 MHz;压摆率≥50 V/μs。 展开更多
关键词 低失调电压 低输入偏置电流 高精度 结型场效应管输入放大器
原文传递
振动筒传感器自动增益谐振电路仿真设计和测试
15
作者 陈晓锦 康志宏 +1 位作者 姚敏强 宋继红 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第10期88-91,共4页
基于结型场效应管(JFET)可变电阻区和夹断区的特性,对振动筒传感器自动增益谐振电路进行仿真设计和测试。重点论述了激励信号占空比与振动筒电气特性的关系,自动增益控制谐振电路的实现方式和谐振电路激励端输出信号的波形、幅值和占空... 基于结型场效应管(JFET)可变电阻区和夹断区的特性,对振动筒传感器自动增益谐振电路进行仿真设计和测试。重点论述了激励信号占空比与振动筒电气特性的关系,自动增益控制谐振电路的实现方式和谐振电路激励端输出信号的波形、幅值和占空比设计思路。通过对振动筒的激励信号波形、幅值和占空比的设计,有效提高了传感器性能稳定和输出信号质量。 展开更多
关键词 结型场效应管 可变电阻区 夹断区 自动增益 占空比
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一种基于MOV-RC缓冲电路的中压直流固态断路器过电压抑制方法研究
16
作者 黄浪尘 李俊桦 +2 位作者 何东 兰征 曾进辉 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2024年第9期51-63,共13页
本文针对常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)的中压直流固态断路器(SSCB)缓冲电路进行了优化设计。首先,分析中压SiC SSCB主开关器件内部寄生电感、外部印制电路板电感和功率回路电感等因素对开关过程的影响作用,阐述了电阻电容... 本文针对常通型碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)的中压直流固态断路器(SSCB)缓冲电路进行了优化设计。首先,分析中压SiC SSCB主开关器件内部寄生电感、外部印制电路板电感和功率回路电感等因素对开关过程的影响作用,阐述了电阻电容二极管(RCD)型、金属氧化物变阻器(MOV)型、RCD+MOV混合型三类经典缓冲电路应用于SiC SSCB时的工作原理,并对其性能进行了评估。基于对三类经典缓冲电路特点的全面分析,为SiC SSCB设计了一种基于金属氧化物变阻器-电阻-电容MOV-RC结构的新型缓冲电路拓扑,基于该电路的工作原理提供了适配的参数调制方法。最后,搭建了以三个1200 V/38 A常通型SiC JFET器件串联组成的1.5 kV/38 A SSCB实验样机,验证了本文所提设计方案的有效性。仿真及实验结果表明该缓冲电路不仅有效抑制了SiC SSCB故障隔离期间的过电压,还具有较快的故障清除时间和低成本的优势。 展开更多
关键词 碳化硅固态断路器 过电压 结型场效应管 缓冲电路 寄生电感
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JFET构成的运算放大器输入过压保护电路设计
17
作者 熊凌霄 王靖 +1 位作者 胡程源 李威 《微处理机》 2024年第1期1-4,共4页
为弥补传统运算放大器输入过压保护电路中电阻加钳位二极管结构的缺陷,设计一种新型输入过压保护电路。电路采用中科渝芯4μm双极工艺完成设计,主要由结型场效应管器件JFET以及钳位二极管构成,利用JFET沟道夹断原理使过压电流最终趋于饱... 为弥补传统运算放大器输入过压保护电路中电阻加钳位二极管结构的缺陷,设计一种新型输入过压保护电路。电路采用中科渝芯4μm双极工艺完成设计,主要由结型场效应管器件JFET以及钳位二极管构成,利用JFET沟道夹断原理使过压电流最终趋于饱和,实现过压保护功能。采用对称性设计,使正负过压下饱和过压电流相等。经仿真实验,结果表明此款运算放大器的输入过压保护电路相较传统结构噪声更小,对过压电流具有更强的限制作用,具有一定的应用价值。 展开更多
关键词 结型场效应管 运算放大器 过压保护
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721型分光光度计检修3例
18
作者 普发留 普晓昌 《医疗卫生装备》 CAS 2003年第S1期281-281,共1页
关键词 721型分光光度计 运算放大器 结型场效应管 分析与检修 稳压电源 故障现象 电位器 调节器 疗养院 微电流放大器
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ST16型示波器故障检修一例
19
作者 徐永茂 《绍兴文理学院学报（哲学社会科学版）》 1995年第5期88-89,共2页
ST16型示波器是一种全晶体管的普及型电子仪器，它用于一般脉冲电量的测量，还能用于电视机、音频放大器、收音机等电子设备的维修调试。在实经室里直接用它进行观测信号电压波形、二极管伏安特性和利萨如图形等实验。但有一种故障极易... ST16型示波器是一种全晶体管的普及型电子仪器，它用于一般脉冲电量的测量，还能用于电视机、音频放大器、收音机等电子设备的维修调试。在实经室里直接用它进行观测信号电压波形、二极管伏安特性和利萨如图形等实验。但有一种故障极易发生，其现象为：荧光屏幕的图形右移，甚至移出屏幕之外；关机时，亮点又会出现在屏幕中间，稍后才消隐。打开机壳检查，会发现X轴放大电路的场效应管3DJ7G损坏。更换管子后，示波器恢复正常。对于这类全晶体管示波器，为了提高X轴和Y轴的输入阻抗，均采用场效应管的源极跟随器作为它们的输入级。X轴放大电路如图1所示。图1中的结型场效应管3DJ7G的最大栅源电压为20V。 展开更多
关键词 故障检修 结型场效应管 晶体管示波器 X轴 放大电路 利萨如图形 钳位二极管 伏安特性 增辉电路 音频放大器
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高灵敏度的廉价型超再生接收电路
20
作者 路凯 《电子与仪表》 1994年第5期47-47,20,共2页
关键词 结型场效应管 集成电路 超再生接收电路
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