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控制锰酸盐的绝缘体-金属相变
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作者 戴闻 《物理》 CAS 北大核心 2009年第4期275-275,共1页
关键词 绝缘体-金属相变 锰酸盐 超巨磁电阻 控制 电荷有序 相互作用 钙钛矿结构 凝聚态物理
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La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3中的输运机制与CMR效应 被引量:10
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作者 彭振生 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期664-667,共4页
研究了超大磁阻材料La2 3Ca1 3MnO3的磁电特性,发现由电阻测量得到的绝缘体 金属相变与由磁化曲线得到的顺磁 铁磁相变温区完全一致,均随磁场的增强推向高温区。结果证明样品输运行为的变化起因于磁结构的变化,在TC附近产生超大巨磁电... 研究了超大磁阻材料La2 3Ca1 3MnO3的磁电特性,发现由电阻测量得到的绝缘体 金属相变与由磁化曲线得到的顺磁 铁磁相变温区完全一致,均随磁场的增强推向高温区。结果证明样品输运行为的变化起因于磁结构的变化,在TC附近产生超大巨磁电阻效应。 展开更多
关键词 凝聚态物理 绝缘体-金属相变 超大磁阻效应 顺磁-铁磁相 稀土 LA2/3CA1/3MNO3 输运机制 CMR效应 超大磁阻材料
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Phase Transition Behaviour of VO2 Nanorods
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作者 罗莹 李明 李广海 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2014年第4期471-474,J0002,共5页
The metal-insulator transition (MIT) of VO2 (M) nanorods was studied. It was found that there were two MITs in the differential scanning calorimetry (DSC) curves of the VO2(M) nanorods, one situated at low tem... The metal-insulator transition (MIT) of VO2 (M) nanorods was studied. It was found that there were two MITs in the differential scanning calorimetry (DSC) curves of the VO2(M) nanorods, one situated at low temperature from -3 ℃ to 19 ℃ and the other was at high temperature of 65-74℃. The low temperature MIT was always accompanied with VO2(B) nanorods, and the high temperature MIT existed singly only in pure VO2(M) nanorods. The mechanisms of these two MITs were analyzed and discussed. 展开更多
关键词 Vanadium dioxide Nanorod Metal-insulator transition
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基于VO_2相变的光控太赫兹调制器 被引量:5
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作者 李伟 谷文浩 +5 位作者 李吉宁 常胜江 莫漫漫 文岐业 王湘辉 林列 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1248-1253,共6页
基于VO2薄膜相变特性,通过在石英基底上制备VO2薄膜和亚波长金孔阵列,并在理论和实验上研究了金属孔阵列与VO2薄膜置于基底同侧和异侧的两种太赫兹(THz)调制器。系统研究了在光泵浦条件下两种样品的THz波的传输特性。结果表明,随着泵浦... 基于VO2薄膜相变特性,通过在石英基底上制备VO2薄膜和亚波长金孔阵列,并在理论和实验上研究了金属孔阵列与VO2薄膜置于基底同侧和异侧的两种太赫兹(THz)调制器。系统研究了在光泵浦条件下两种样品的THz波的传输特性。结果表明,随着泵浦光功率的改变,两种结构的器件均可以实现对THz波强度的调制。对比分析两种结构器件的THz透射谱发现,紧邻金属孔阵列的金属相VO2能够有效地抑制THz表面等离子体的局域透射增强效应,使调制器的调制深度得到显著增强,这对基于相变材料调制器的设计具有重要意义。 展开更多
关键词 太赫兹(THz)波 调制器 VO2薄膜 绝缘体-金属相变
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快速热处理温度对纳米结构二氧化钒薄膜相变特性的影响
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作者 梁继然 李景朋 +3 位作者 侯露辉 李娜 刘星 胡明 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期2197-2202,共6页
采用射频磁控溅射方法在单晶硅基底表面制备了单一相纳米结构二氧化钒(VO_2)薄膜,相变幅度超过2个量级;利用快速热处理设备对VO_2薄膜进行热处理,研究氮气氛下快速热处理温度对VO_2相变特性的影响。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、... 采用射频磁控溅射方法在单晶硅基底表面制备了单一相纳米结构二氧化钒(VO_2)薄膜,相变幅度超过2个量级;利用快速热处理设备对VO_2薄膜进行热处理,研究氮气氛下快速热处理温度对VO_2相变特性的影响。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、高精度透射电子显微镜和四探针测试仪对热处理前后薄膜的结晶结构、表面形貌和电学相变特性分别进行了测试。实验结果表明,快速热处理状态下,温度为300℃时,VO_2薄膜的电阻相变幅度由200倍增加到277倍,但是当温度超过350℃后,相变性能迅速变差,相变幅度由2个量级下降为小于1个量级,当温度超过500℃时,相变特性消失;热处理温度升高的过程中,单斜VO_2(011)结晶结构逐渐消失,薄膜的成分转变为V4O7;快速热处理过程中薄膜内的颗粒尺寸保持不变。研究结果将有助于增强对VO_2薄膜在温度差异大、变化速度快环境中的特性进行分析与应用。 展开更多
关键词 二氧化钒 快速热处理 绝缘体-金属相变特性
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高调制度光致相变特性氧化钒薄膜太赫兹时域频谱研究 被引量:4
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作者 董杰 栗岩锋 +3 位作者 束李 李江 柴路 王清月 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期199-206,共8页
基于太赫兹(THz)时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体-金属相变特性。利用直流磁控溅射法在不同条件下制备了一系列蓝宝石基底上的氧化钒薄膜,通过测量薄膜发生光致相变后太赫兹波的透射率来评估成膜质量,得出... 基于太赫兹(THz)时域频谱技术研究了飞秒激光激发下氧化钒纳米薄膜的光致绝缘体-金属相变特性。利用直流磁控溅射法在不同条件下制备了一系列蓝宝石基底上的氧化钒薄膜,通过测量薄膜发生光致相变后太赫兹波的透射率来评估成膜质量,得出在溅射时间60min不变的情况下,退火时间和退火温度分别为60s和560℃时可以得到性能非常良好的氧化钒薄膜。在上述最佳条件下制备的氧化钒薄膜的相变深度可达80%。利用薄膜近似计算了太赫兹波段氧化钒薄膜在光致相变过程中电导率的变化,计算结果表明电导率实部在103Ω-1·cm-1量级,并基于Drude模型得到了金属态氧化钒薄膜的复介电常数以及复折射率。在绝缘衬底上制备的具有明显阈值激发功率且相变深度大的氧化钒薄膜将在太赫兹调制器件中有重要应用。 展开更多
关键词 薄膜 氧化钒薄膜 太赫兹时域频谱技术 绝缘体-金属相变 飞秒激光
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A density functional theory study of the tunable structure, magnetism and metal-insulator phase transition in VS2 monolayers induced by in-plane biaxial strain 被引量:5
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作者 Min Kan Bo Wang +1 位作者 Young Hee Lee Qiang Sun 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第4期1348-1356,共9页
We report a density functional theory study of a phase transition of a VS2 monolayer that can be tuned by the in-plane biaxial strain. This results in both a metal-insulator transition and a low spin-high spin magneti... We report a density functional theory study of a phase transition of a VS2 monolayer that can be tuned by the in-plane biaxial strain. This results in both a metal-insulator transition and a low spin-high spin magnetic transition. At low temperature, the semiconducting H-phase is stable and large strain (〉3%) is required to provoke the transition. On the other hand, at room temperature (300 K), only a small tensile strain of 2% is needed to induce the phase transition from the semiconducting H-phase to the metallic T-phase together with the magnetic transition from high spin to low spin. The phase diagram dependence on both strain and temperature is also discussed in order to provide a better understanding of the phase stability of VS2 monolayers. 展开更多
关键词 phase transition biaxial strain phase diagram density functional theory(DFT) transition metaldichalcogenide(TMD) materials
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室温下Pr_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3薄膜的瞬态光响应特性
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作者 严资杰 袁孝 +2 位作者 徐业彬 高国棉 陈长乐 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期6080-6083,共4页
在室温下利用波长532nm,脉冲宽度7ns的纳秒脉冲激光研究了不同电压和激光能量密度作用下Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜的瞬态光响应特性.在激光能量密度为275.16mJ/cm2时,其最大电阻变化率达到92.3%,响应时间约36ns.室温下电压变化对薄膜的光响应... 在室温下利用波长532nm,脉冲宽度7ns的纳秒脉冲激光研究了不同电压和激光能量密度作用下Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜的瞬态光响应特性.在激光能量密度为275.16mJ/cm2时,其最大电阻变化率达到92.3%,响应时间约36ns.室温下电压变化对薄膜的光响应特性影响不大,而诱导光能量密度的影响则很明显,能量密度越大,电阻变化越大,响应时间越短,并且电阻变化和响应时间均与激光能量密度呈非线性关系.这种光响应来源于薄膜中的光致非稳态绝缘体-金属相变,有望在新型光电器件上获得应用. 展开更多
关键词 光响应 钙钛矿薄膜 绝缘体-金属相变
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Large unsaturated positive and negative magnetoresistance in Weyl semimetal TaP
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作者 JianHua Du HangDong Wang +9 位作者 Qin Chen OianHui Mao Rajwali Khan BinJie XU YuXing Zhou YanNan Zhang JinHu Yang Bin Chen ChunMu Feng MingHu Fang 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第5期21-26,共6页
After successfully growing single-crystal TaP, we measured its longitudinal resistivity (Pxx) and Hall resistivity (Pyx) at magnetic fields up to 9 T in the temperature range of 2-300 K. At 8 T, the magnetoresista... After successfully growing single-crystal TaP, we measured its longitudinal resistivity (Pxx) and Hall resistivity (Pyx) at magnetic fields up to 9 T in the temperature range of 2-300 K. At 8 T, the magnetoresistance (MR) reached 3.28 ×10^5% at 2 K, 176% at 300 K. Neither value appeared saturated. We confirmed that TaP is a hole-electron compensated semimetal with a low carrier concentration and high hole mobility ofμh=3.71 × 105 cm2/V s, and found that a magnetic-field-induced metal-insulator transition occurs at room temperature. Remarkably, because a magnetic field (H) was applied in parallel to the electric field (E), a negative MR due to a chiral anomaly was observed and reached -3000% at 9 T without any sign of saturation, either, which is in contrast to other Weyl semimetals (WSMs). The analysis of the Shubnikov-de Haas (SdH) oscillations superimposed on the MR revealed that a nontrivial Berry's phase with a strong offset of 0.3958, which is the characteristic feature of charge carriers enclosing a Weyl node. These results indicate that TaP is a promising candidate not only for revealing fundamental physics of the WSM state but also for some novel applications. 展开更多
关键词 Weyl semimetal positive and negative magnetoresistance Weyl fermions
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