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缺陷密度法的软件测试质量度量分析技术 被引量：4
1
作者 尤艺 段洪栋 王瀚超 《计算机仿真》 CSCD 北大核心 2015年第8期451-454,共4页
阐述了航天型号软件测试质量度量的现状,通过构建缺陷度量测试工具平台,提供了一种软件确认测试项目的质量数据统计方法和分析预测方法,指导嵌入式、非嵌入式及FPGA等各类软件第三方确认测试过程中软件缺陷的发现,提高软件测试的充分性... 阐述了航天型号软件测试质量度量的现状,通过构建缺陷度量测试工具平台,提供了一种软件确认测试项目的质量数据统计方法和分析预测方法,指导嵌入式、非嵌入式及FPGA等各类软件第三方确认测试过程中软件缺陷的发现,提高软件测试的充分性和有效性。分别从测试度量平台搭建的重要性以及该平台应用于测试过程中软件缺陷度量、分析及预测等方面进行深入剖析,为提高软件测试的效率,发现软件开发设计缺陷提供有效真实的依据和方法。 展开更多
关键词 软件测试 质量度量 缺陷密度
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低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度 被引量：1
2
作者 郑望 陈猛 +2 位作者 陈静 林梓鑫 王曦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期871-874,共4页
用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺... 用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为 5 .5× 10 1 7cm- 2 左右 ,当注入剂量为 4.5× 10 1 7cm- 2 ,获得低线缺陷密度对应的注入能量为 130 ke 展开更多
关键词 SOI 缺陷密度 半导体 硅 集成电路
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显微图像的光学薄膜缺陷密度统计 被引量：1
3
作者 何长涛 马孜 +2 位作者 王旭阳 陈建国 赵汝进 《光学仪器》 2006年第4期118-123,共6页
薄膜表面缺陷密度统计是改进薄膜表面质量的重要依据。阐述了基于遗传算法的二维最大熵分割算法的原理及实现步骤。采用这种算法对薄膜缺陷图像进行分割,对分割后的图像进行了薄膜缺陷密度的测量。实验结果表明,这种方法对薄膜表面缺陷... 薄膜表面缺陷密度统计是改进薄膜表面质量的重要依据。阐述了基于遗传算法的二维最大熵分割算法的原理及实现步骤。采用这种算法对薄膜缺陷图像进行分割,对分割后的图像进行了薄膜缺陷密度的测量。实验结果表明,这种方法对薄膜表面缺陷提取简单且易于测量,为分析缺陷原因提高薄膜质量起到重要的指导作用。 展开更多
关键词 光学薄膜 图像分割 遗传算法 二维最大熵 缺陷密度
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液相外延技术制备极低缺陷密度Si/SiO_2SOI结构
4
作者 樊瑞新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期41-44,47,共5页
介绍了液相外延技术制备Ｓｉ／ＳｉＯ２ＳＯＩ结构的方法、系统和几个重要环节及当前发展状况，同时指出液相外延技术对制备极低缺陷密度ＳＯＩ结构具有广阔前景。
关键词 液相外延 横向外延过生长 SOI 缺陷密度 SI/SIO2
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离轨薄膜帆原子氧侵蚀的缺陷密度效应数值模拟研究 被引量：4
5
作者 傅宇蕾 恽卫东 +4 位作者 曹争利 彭福军 耿海峰 孙承月 吴宜勇 《空间碎片研究》 2020年第2期14-21,共8页
离轨薄膜帆在离轨过程中要长期暴露在低地轨道较为恶劣的空间环境中,其中原子氧对帆面薄膜材料的侵蚀效应会导致帆面结构损伤严重。为了合理评估离轨薄膜帆帆面材料的寿命,本文基于对帆面孔隙、裂纹、折痕等缺陷的试验表征结果,采用蒙... 离轨薄膜帆在离轨过程中要长期暴露在低地轨道较为恶劣的空间环境中,其中原子氧对帆面薄膜材料的侵蚀效应会导致帆面结构损伤严重。为了合理评估离轨薄膜帆帆面材料的寿命,本文基于对帆面孔隙、裂纹、折痕等缺陷的试验表征结果,采用蒙特卡洛数值模拟方法,建立数值仿真模型,分析不同尺度缺陷下原子氧对帆面材料的侵蚀情况,重点研究了帆面薄膜材料的原子氧掏蚀缺陷密度效应。以离轨帆从750km轨道经历38个月的离轨过程为例进行研究,计算结果表明:帆面宽度缺陷为500nm和1μm时,原子氧侵蚀作用下掏蚀形貌深度分别为1.2μm和1.4μm,掏蚀宽度分别为600nm和1.1μm。通过将仿真结果与NASA的长期暴露试验结果进行比对,验证了模型的有效性。该模型可为离轨帆寿命评估提供初步的理论依据。 展开更多
关键词 离轨帆 原子氧掏蚀 蒙特卡洛方法 缺陷密度效应
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代码审查缺陷密度量化模型研究
6
作者 鸦文 杨沁梅 《电子技术应用》 2021年第8期106-109,115,共5页
为通过代码审查活动达到对软件产品质量提升的作用,给出了代码审查平台搭建方案,并据此平台策划开展了多个工程的代码审查活动。利用首轮采集的数据,初步分析确立了代码审查缺陷密度模型和影响因子,计算得到了代码审查缺陷密度的基线目... 为通过代码审查活动达到对软件产品质量提升的作用,给出了代码审查平台搭建方案,并据此平台策划开展了多个工程的代码审查活动。利用首轮采集的数据,初步分析确立了代码审查缺陷密度模型和影响因子,计算得到了代码审查缺陷密度的基线目标值。该模型可以供研发团队和研发团队所属组织策划确定代码审查基线,并策划开展后续代码审查活动。 展开更多
关键词 代码审查 代码审查平台 缺陷密度
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碳球表面缺陷密度对其负载铜催化剂甲醇氧化羰基化反应性能的影响 被引量：2
7
作者 贾东森 张国强 +4 位作者 尹娇 张亮亮 赵丹 郑华艳 李忠 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期3701-3710,共10页
采用水热聚合法合成了一系列表面缺陷密度不同的有序微孔碳球(CS),并以其为载体制备了表面负载铜催化剂(Cu/CS),用于催化气相甲醇氧化羰基化合成碳酸二甲酯。结合表征结果,研究了载体表面缺陷密度对Cu/CS催化剂结构及催化性能的影响。... 采用水热聚合法合成了一系列表面缺陷密度不同的有序微孔碳球(CS),并以其为载体制备了表面负载铜催化剂(Cu/CS),用于催化气相甲醇氧化羰基化合成碳酸二甲酯。结合表征结果,研究了载体表面缺陷密度对Cu/CS催化剂结构及催化性能的影响。结果表明,CS的表面缺陷密度随其粒径增大而增大,且其缺陷密度越大,催化剂中Cu物种分散度越高;同时,较大的表面缺陷密度有利于增强载体与Cu物种间的相互作用力,促进CuO自还原为活性物种Cu2O和Cu,从而提高催化活性。长期评价结果表明,Cu物种的氧化和团聚是造成Cu/CS催化剂失活的原因。CS的表面缺陷抑制了反应过程中活性Cu物种的氧化,且缺陷密度越大,Cu物种抗氧化能力越强;但表面缺陷密度大的催化剂中Cu物种颗粒尺寸小,表面能高,因而更容易发生团聚。 展开更多
关键词 催化剂 有序微孔碳球 碳酸二甲酯 氧化羰基化 缺陷密度
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Sn基钙钛矿太阳电池界面缺陷密度的模拟与研究
8
作者 周理想 《科学技术创新》 2020年第8期50-54,共5页
Pb基钙钛矿光伏电池是目前研究光电器件的热点话题,因为这种电池使用了铅(Pb)元素,造成了环境污染,所以寻找合适的Pb元素替代物成为研究的方向,其中锡(Sn)可能是最突出的替代物。在这项工作中,我们使用SCAPS-1D软件进行了无铅含Sn钙钛... Pb基钙钛矿光伏电池是目前研究光电器件的热点话题,因为这种电池使用了铅(Pb)元素,造成了环境污染,所以寻找合适的Pb元素替代物成为研究的方向,其中锡(Sn)可能是最突出的替代物。在这项工作中,我们使用SCAPS-1D软件进行了无铅含Sn钙钛矿太阳能电池的模拟研究。对于该电池模型,模拟了含Sn钙钛矿层的掺杂浓度和体缺陷密度对电池性能的影响,得到钙钛矿吸收层缺陷密度的降低可以显著提高电池的性能。为考虑界面缺陷密度对电池性能的影响,将两个界面层TiO2/钙钛矿和钙钛矿/HTM界面层引入到电池结构中,得到TiO2/钙钛矿层具有比HTM/钙钛矿层界面显著影响更大,这是由于TiO2/钙钛矿存在更高的载流子密度,因此导致更多的复合速率。通过优化这些参数,实现了24.63%的最大效率。 展开更多
关键词 模拟 钙钛矿 太阳能电池 缺陷密度 效率
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新的研究揭示了元件的缺陷密度
9
作者 郭树田 《电子与封装》 2003年第1期53-55,57,共4页
1引言 通过对几乎多达10亿个焊接接点的广泛研究,终于揭示了印刷电路板组件(PCBA)上元件的缺陷密度和最常见的缺陷.在1999年,对欧洲和北美的15家不同公司的某些产品数据进行了研究,其中包括8家原设备制造厂(OEM)和7家电子制造服务(EMS)... 1引言 通过对几乎多达10亿个焊接接点的广泛研究,终于揭示了印刷电路板组件(PCBA)上元件的缺陷密度和最常见的缺陷.在1999年,对欧洲和北美的15家不同公司的某些产品数据进行了研究,其中包括8家原设备制造厂(OEM)和7家电子制造服务(EMS)提供商.所有的公司都使用自动的X射线检查(AXI)来研究多达10亿个焊接点的综合情况. 展开更多
关键词 缺陷密度 PPM 芯片 引线 焊点
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自动缺陷检查── 一种减少缺陷密度、提高成品率的方法
10
作者 ChristoperRadin 沈建波 《微电子技术》 1995年第6期104-111,42,共9页
本文论述了寻找缺陷源的工作，缺陷会导致硅片上的管芯失效。要做这一工作，必须能够在线确定缺陷的类型和密度，以确定缺陷是在工艺中的哪几步产生的。通常有两种方法：一种是用显微镜对产品或测试片进行检查（镜检）；第二种是使用电... 本文论述了寻找缺陷源的工作，缺陷会导致硅片上的管芯失效。要做这一工作，必须能够在线确定缺陷的类型和密度，以确定缺陷是在工艺中的哪几步产生的。通常有两种方法：一种是用显微镜对产品或测试片进行检查（镜检）；第二种是使用电测试结构的短流程试验。在作VLSI技术的工程分析时，这两种方法都有明显的局限性。镜检的数据缺乏可重复性，并且，不同操作者的结果有很大差别。此外，在当前的半导体技术中，缺陷尺寸与线宽相接近，使得镜检的灵敏度降到很低的水平。电测试结构需要一层经光刻和腐蚀的导电薄膜，要用间接的方法才能得到高分辨率的缺陷截面，这大大限制了试验过程的选择余地。由于上述方法的限制，减少缺陷的工作是困难而费时的，并由于很难验明缺陷源而导致器件失效。用KLA－2020自动硅片检查系统进行自动缺陷检查，解决了这些问题，极大地提高了效率和成功率。本文把自动缺陷检查与镜检及基于电测试结构的短流程试验进行了比较，讨论了其性能。同时，以一个实际应用为例子，描述了用自动缺陷检查减少缺陷的方法，这个方法包括标准问题求解法和用来分离并解决主要缺陷结构的试验设计技术。这个例子描述了一系列短流程试验，这些试验使用KLA-2020产生的数据，逐渐缩小有问题工艺的区域， 展开更多
关键词 自动缺陷检查 缺陷密度 硅片 成品率
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关于缺陷密度DO的研究
11
作者 黄国华 《微电子技术》 1998年第3期26-29,共4页
在半导体图片制造过程中，提高成品率是我们一直追求的目标。本文从成品率失效模式入手，介绍一种评价半导体生产线的新方法：缺陷密度DO，从而对工艺水平的评价提供一个较为客观的依据。本文从DO／Yield模型的建立，基本计算公式介绍... 在半导体图片制造过程中，提高成品率是我们一直追求的目标。本文从成品率失效模式入手，介绍一种评价半导体生产线的新方法：缺陷密度DO，从而对工艺水平的评价提供一个较为客观的依据。本文从DO／Yield模型的建立，基本计算公式介绍，DO／Yield模型的计算机程序开发，以及DO／Yield模型的实际应用等几个方面加以阐述。 展开更多
关键词 缺陷密度 失效模型 有效面积 密度因子
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泵诱导颗粒效应对低k CMP缺陷密度的影响
12
《集成电路应用》 2008年第11期5-5,共1页
在绝缘材料和金属材料的化学机械抛光（CMP）工艺中,抛光液中的超大颗粒是最重要的缺陷来源之一。在增加并散布这种超大颗粒的过程中,抛光液分配系统和泵系统扮演了重要角色。容积泵所产生的高切应力会扩大大尺寸颗粒的分布，导致CMP工... 在绝缘材料和金属材料的化学机械抛光（CMP）工艺中,抛光液中的超大颗粒是最重要的缺陷来源之一。在增加并散布这种超大颗粒的过程中,抛光液分配系统和泵系统扮演了重要角色。容积泵所产生的高切应力会扩大大尺寸颗粒的分布，导致CMP工艺中表面缺陷（表面划伤和表面粗糙度）的大幅增加。 展开更多
关键词 缺陷密度 大颗粒 CMP 泵系统 诱导 化学机械抛光 表面粗糙度 金属材料
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砷化镓中与器件性能关系密切的参数——AB微缺陷密度
13
作者 齐芸馨 郭小兵 《电子材料快报》 1999年第6期13-14,共2页
关键词 砷化镓 微缺陷密度 器件性能
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日立电线推出低缺陷密度蓝紫色激光器GaN底板
14
《光盘技术》 2003年第2期15-15,共1页
日立电线将于2003年春季开始供应GaN底板的试制品。预计将作为蓝光光盘规格等新一代光盘设备光源——蓝紫色半导体激光器的底板使用,直径为2英寸。据称,计划于2004年前后开始量产。此次的开发与半导体激光器厂商共同进行,并已在该底板... 日立电线将于2003年春季开始供应GaN底板的试制品。预计将作为蓝光光盘规格等新一代光盘设备光源——蓝紫色半导体激光器的底板使用,直径为2英寸。据称,计划于2004年前后开始量产。此次的开发与半导体激光器厂商共同进行,并已在该底板上试制出了激光器。 展开更多
关键词 日立电线公司 GaN底板 蓝紫色激光器 Void形成剥离法 缺陷密度
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基于六西格玛工具对软件配置项测试缺陷清除密度的提高
15
作者 宿鲁艳 楚菲 《信息化研究》 2023年第2期48-54,共7页
六西格玛是目前提高产品质量的一个先进、系统、有效的方法,能够达到不断改进控制的目的。本文使用六西格玛方法,通过典型的DMAIC五个阶段,提高软件配置项测试缺陷清除密度,降低软件在系统测试、考核验收及第三方测评时的缺陷清除密度,... 六西格玛是目前提高产品质量的一个先进、系统、有效的方法,能够达到不断改进控制的目的。本文使用六西格玛方法,通过典型的DMAIC五个阶段,提高软件配置项测试缺陷清除密度,降低软件在系统测试、考核验收及第三方测评时的缺陷清除密度,降低缺陷修改成本,提高产品质量。 展开更多
关键词 缺陷清除密度 FMEA SEV OCC DET RPN
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瞬态退火中高密度缺陷对As增强扩散作用模型分析 被引量：1
16
作者 张通和 吴瑜光 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1988年第4期33-40,共8页
分析了注入As在快速退火中的增强扩散效应,特别分析了注入层中缺陷生成过程所伴随的增强扩散效应。退火中引起高密度缺陷两种过程是:一反冲氧的作用;二高剂量注入As在品格中引入应力的作用。实验中发现,剂量高达2×10^(16)cm^(-2)... 分析了注入As在快速退火中的增强扩散效应,特别分析了注入层中缺陷生成过程所伴随的增强扩散效应。退火中引起高密度缺陷两种过程是:一反冲氧的作用;二高剂量注入As在品格中引入应力的作用。实验中发现,剂量高达2×10^(16)cm^(-2)和As通过SiO_2层注入硅时(As射程等于SiO层的厚度),注入的样品经高温退火后,As杂质剖面出现拐点。以拐点为分界划分出快扩散和慢扩散两个区域。用Boltzmann-Matano)方法计算了As在退火期间在硅中的扩散系数。用高压透射电镜观察表明,从硅表面到拐点处存在着高密度的缺陷,并且分析了缺陷在1～12s期间的发展过程。结果表明。在最初1～3s内已形成了高密度缺陷,且这种缺陷热稳定性很高,即使经1 150℃180s退火仍然存在。在此基础上分析高密度缺陷对增强扩散影响的模型。 展开更多
关键词 离子注入 瞬太退火 增强扩散模型 高密度缺陷
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基于支持向量回归的软件缺陷密度预测模型 被引量：1
17
作者 杨腾翔 万琳 +2 位作者 王钦钊 马振宇 韩志贺 《装甲兵工程学院学报》 2017年第5期86-90,共5页
针对软件缺陷密度的预测问题,构建了一种基于支持向量回归(Support Vector Regression,SVR)的软件缺陷密度预测模型,指出影响回归预测精度的主要因素。首先,对软件度量元数据进行提取,利用归一化和随机序列的方法对缺陷数据进行预处理,... 针对软件缺陷密度的预测问题,构建了一种基于支持向量回归(Support Vector Regression,SVR)的软件缺陷密度预测模型,指出影响回归预测精度的主要因素。首先,对软件度量元数据进行提取,利用归一化和随机序列的方法对缺陷数据进行预处理,并将数据分成训练集和测试集进行回归预测;然后,引入网格搜索的方法对支持向量回归模型中的参数进行优化,大大提高了预测的精度;最后,通过实验对比其他5种机器学习算法,验证了预测模型的有效性。 展开更多
关键词 支持向量回归(SVR) 网格搜索 软件缺陷密度预测
原文传递
降低蓝宝石上外延GaN的缺陷密度
18
作者 吴琪乐 《半导体信息》 2013年第1期25-26,共2页
最近开展的一项国际合作项目研究小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就可以实现。来自加州大学洛杉矶分校的谢tahong说:"我们希望这项关键技术可以运用到那些需要高性能材... 最近开展的一项国际合作项目研究小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就可以实现。来自加州大学洛杉矶分校的谢tahong说:"我们希望这项关键技术可以运用到那些需要高性能材料的器件结构上。这些器件包括激光器。 展开更多
关键词 缺陷密度 外延层 GAN 器件结构 蓝宝石衬底 高性能材料 掩膜 电致发光 光电探测器 国际合作项目
原文传递
家族性高胆固醇血症纯合子患者低密度脂蛋白受体缺陷的研究
19
作者 王瑾瑜 李莉 +3 位作者 陈融 李瑞峰 孔乐凯 胡维诚 《山东医科大学学报》 2002年第1期4-6,共3页
目的：研究家族性高胆固醇血症纯合子患者的发病机理。方法：在临床研究和家系调查的基础上, 培养患者皮肤成纤维细胞, 采用放射性配体结合受体分析技术研究其低密度脂蛋白受体。结果：患者低密度脂蛋白受体对低密度脂蛋白的高亲和性结... 目的：研究家族性高胆固醇血症纯合子患者的发病机理。方法：在临床研究和家系调查的基础上, 培养患者皮肤成纤维细胞, 采用放射性配体结合受体分析技术研究其低密度脂蛋白受体。结果：患者低密度脂蛋白受体对低密度脂蛋白的高亲和性结合为正常人的７８．２％，高亲和性内移和降解则分别为正常人的３．６％和１．７％。结论：本例家族性高胆固醇血症纯合子患者的发病机制为低密度脂蛋白受体内移功能障碍。 展开更多
关键词 高胆固醇血症 家族性 脂蛋白 纯合子 放射配体测定 低密度脂蛋白受体缺陷
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小檗碱对铜绿假单胞菌密度感应缺陷株及其分泌的致病因子的作用研究 被引量：3
20
作者 夏飞 肖红兵 +3 位作者 杜鸣 廖亚玲 张明伟 王平 《华中科技大学学报（医学版）》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期155-159,174,共6页
目的观察小檗碱对铜绿假单胞菌(Pseudomonas aeruginosa,PA)密度感应缺陷株的生长及其分泌的致病因子的影响,初步探索小檗碱对铜绿假单胞菌密度感应系统及调控致病因子表达的作用机制。方法不同浓度小檗碱分别与铜绿假单胞菌野生株PAO1... 目的观察小檗碱对铜绿假单胞菌(Pseudomonas aeruginosa,PA)密度感应缺陷株的生长及其分泌的致病因子的影响,初步探索小檗碱对铜绿假单胞菌密度感应系统及调控致病因子表达的作用机制。方法不同浓度小檗碱分别与铜绿假单胞菌野生株PAO1、密度感应系统(quorum sensing system,QS)基因缺陷株PAO JP2、临床分离QS缺陷株共培养,运用倍比稀释法测定最小抑菌浓度,紫外分光光度法测定绿脓菌素分泌量,苔黑酚法测定鼠李糖脂水平,结晶紫法测定生物被膜起始量,荧光定量PCR检测各株QS基因表达。结果小檗碱对铜绿假单胞菌野生株PAO1 MIC值为12.50mg/mL,临床分离株C84 MIC值为1.56mg/mL,PAO JP2株与C39株MIC值均为3.12mg/mL,C104和C117株MIC值均为6.25mg/mL。在低于MIC浓度下,小檗碱对PAO1株、C104株、C117株绿脓菌素水平有显著抑制,且对各QS缺陷株鼠李糖脂有不同程度抑制作用。此外,PAO JP2株、C39株、C84株生物被膜可被小檗碱显著抑制。各株残留的LasR和rhI转录均受到小檗碱显著抑制。结论小檗碱对临床分离QS缺陷株有良好的抑制作用,可能通过调节QS基因多种不同细菌毒力因子进行调控。 展开更多
关键词 铜绿假单胞菌 小檗碱 密度感应缺陷 致病因子
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