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氧化铁忆阻器中缺陷态诱导的模拟型阻变及突触双脉冲易化特性
1
作者 王彤宇 冉皓丰 周广东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期437-444,共8页
模拟型阻变突触特性能够为神经形态计算提供高的计算精度并避免计算过程中带来的电导卡滞、跃变以及失效等问题。模拟生物突触在刺激脉冲下的行为,能够更好地揭示电子器件的仿生特性机理并为高性能神经形态计算提供支撑。突触双脉冲易... 模拟型阻变突触特性能够为神经形态计算提供高的计算精度并避免计算过程中带来的电导卡滞、跃变以及失效等问题。模拟生物突触在刺激脉冲下的行为,能够更好地揭示电子器件的仿生特性机理并为高性能神经形态计算提供支撑。突触双脉冲易化是生物突触的重要特性,反映了在外界刺激作用下的易化和适应性过程,对揭示神经元的工作机制至关重要。为了构建突触双脉冲易化的模拟型忆阻器件,本研究通过器件的能带结构设计及氧空位缺陷态的调控,利用射频磁控溅射法制备了一种结构为Ag/FeO_(x)/ITO的忆阻器。电学测试结果表明,该器件具有优异的渐进递增的非线性阻变特性,即模拟型阻变特性。在I-V循环扫描3000次范围内,这种器件均表现出模拟型阻变特性,可提供稳定的、可分离的16个电导状态,且在10^(4)s内维持良好,说明这些电导状态是非易失性的,这主要归功于电子在氧空位缺陷态中的捕获与去捕获以及在势垒间隧穿行为。但是,在低电场强度情况下,捕获的热电子有可能会跃迁出浅陷阱能级,而呈现出易失性。根据这种器件的易失性和非易失性共存特性,通过调制电压脉冲宽度、幅度,器件能够表现出很好的突触双脉冲易化特性,显示出该类型器件在神经形态计算中的潜力和优势。 展开更多
关键词 忆阻器 氧化铁 缺陷态 突触双脉冲易化
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相位失配弹性平板复合波导中的缺陷态
2
作者 宋乐 张乔木 +2 位作者 刘欢 樊亚仙 陶智勇 《应用声学》 CSCD 北大核心 2023年第3期604-610,共7页
为了在弹性波波导中实现缺陷态的调控,该文基于相位失配原理设计了一种周期性平板波导结构。以正弦边界弹性波导为例,通过连接具有不同相位的两段波导结构,形成了弹性板中不同程度的缺陷,并分析了其谱带特性和能量局域化特征。结果表明... 为了在弹性波波导中实现缺陷态的调控,该文基于相位失配原理设计了一种周期性平板波导结构。以正弦边界弹性波导为例,通过连接具有不同相位的两段波导结构,形成了弹性板中不同程度的缺陷,并分析了其谱带特性和能量局域化特征。结果表明,禁带中存在两个不同模式的缺陷态,其以透射峰形式出现并随着相位的改变产生频移。与此同时,两个缺陷态在空间上对应的应力场和位移场分布也具有不同的模态特征。该文提出的复合弹性波导缺陷态调控方法,不仅为研究弹性波与结构之间的内在联系提供了关键的理论支持,也为实际弹性波探测器件的设计提供重要参考。 展开更多
关键词 弹性波 缺陷态 应力分布 局域化 模场调控
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缺陷态透射率可调的三缺陷层的一维光子晶体 被引量：10
3
作者 刘丹东 陈光德 +1 位作者 李普选 孙中禹 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期286-289,共4页
利用传输矩阵方法,从理论上研究了三缺陷层一维光子晶体的光学性质.在缺陷层间距足够大以致于出现缺陷态简并的情况下,调节第一或第三个缺陷层的光学厚度,光子晶体缺陷态的透射率会发生最大程度的变化.这种结构可同时具有窄带滤波器和... 利用传输矩阵方法,从理论上研究了三缺陷层一维光子晶体的光学性质.在缺陷层间距足够大以致于出现缺陷态简并的情况下,调节第一或第三个缺陷层的光学厚度,光子晶体缺陷态的透射率会发生最大程度的变化.这种结构可同时具有窄带滤波器和光开关的功能,据此提出了一种低阈值光开关的设计.把折射率可调的向列型液晶作为晶体的第三个缺陷层,并用4×4传输矩阵方法计算了其缺陷态透射率与电场电压的关系. 展开更多
关键词 光子晶体 缺陷态 光开关 滤波
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LT-GaAs缺陷态对载流子的捕获特性 被引量：3
4
作者 刘智刚 黄亚萍 +2 位作者 文锦辉 廖睿 林位株 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期119-121,122,共4页
采用宽频带飞秒脉冲泵浦 -探测方法测量了LT_GaAs中不同能态的光生载流子的超快捕获特性 ,发现随着载流子的过超能量增大 ,载流子的散射速率加快 ,而缺陷态对载流子的捕获速率 ,则与光生载流子的过超能量无关 ,表明LT_GaAs缺陷态捕获电... 采用宽频带飞秒脉冲泵浦 -探测方法测量了LT_GaAs中不同能态的光生载流子的超快捕获特性 ,发现随着载流子的过超能量增大 ,载流子的散射速率加快 ,而缺陷态对载流子的捕获速率 ,则与光生载流子的过超能量无关 ,表明LT_GaAs缺陷态捕获电子主要为点缺陷深能级多声子无辐射捕获过程。 展开更多
关键词 LT-GAAS 缺陷态 非平衡载流子 捕获特性 飞秒脉冲 缺陷捕获 捕获速率 低温生长砷化镓 半导体
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非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究 被引量：2
5
作者 董恒平 陈坤基 +5 位作者 李伟 孙正凤 黄敏 段欢 曹燕 王友凤 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第22期24-27,共4页
利用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法在室温下制备出非晶氮氧化硅（a-SiNxOy）薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450-600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发... 利用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法在室温下制备出非晶氮氧化硅（a-SiNxOy）薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450-600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态。由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65eV处的禁带中。并且,通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关。 展开更多
关键词 非晶氮氧化硅薄膜 可调光致发光 缺陷态
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纳米光子晶体光纤中的缺陷态与光孤子通信研究 被引量：6
6
作者 汤炳书 沈廷根 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期58-59,共2页
在描述一维光子晶体结构中的光学传输特性基础上,提出二维纳米缺陷态的光子晶体光纤概念,讨论光子晶体中纳米缺陷的形成机制。得出用纳米缺陷态在光子晶体光纤中的强三阶光学非线性和极少损耗特性建立全新光孤子光通信系统的可能性。
关键词 光子晶体光纤 纳米缺陷态 光孤子通信
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用正电子湮没技术研究Zr对Ni_3Al缺陷态的影响 被引量：1
7
作者 谷月峰 邓文 +2 位作者 郭建亭 熊良钺 林栋梁 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期B238-B240,共3页
本文用正电子湮没技术（ＰＴＡ）研究了含不同ｚｒ量多晶Ｎｉ３Ａｌ的ｅ＋寿命谱。结果表明：在Ｎｉ３Ａｌ中加入Ｚｒ，一部分Ｚｒ原子进行原子替位，使晶格发生畸变，导致基体中正电子寿命（τ_１）增长；另一部分在晶界偏聚的Ｚｒ调... 本文用正电子湮没技术（ＰＴＡ）研究了含不同ｚｒ量多晶Ｎｉ３Ａｌ的ｅ＋寿命谱。结果表明：在Ｎｉ３Ａｌ中加入Ｚｒ，一部分Ｚｒ原子进行原子替位，使晶格发生畸变，导致基体中正电子寿命（τ_１）增长；另一部分在晶界偏聚的Ｚｒ调整了晶界结构，使平均寿命（τ）下降。当Ｚｒ量为１．２ａｔ．－％时，缺陷态的寿命τ２显著增长，表明有自由体积较大的缺陷组态生成． 展开更多
关键词 正电子湮没 NI3AL 缺陷态 金属间化合物
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非晶掺氧氮化硅薄膜中N-Si-O发光缺陷态的研究 被引量：1
8
作者 董恒平 陈坤基 +5 位作者 宗波 井娥林 王昊 窦如凤 郭燕 徐骏 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期392-398,共7页
在室温下利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备出非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜.通过改变硅烷(SiH_4)和氨气(NH_3)流量比R,可实现薄膜光致发光(PL)峰位在2.06~2.79eV可见光能量范围内的波长调制.光吸收谱中光吸收峰位与PL峰... 在室温下利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备出非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜.通过改变硅烷(SiH_4)和氨气(NH_3)流量比R,可实现薄膜光致发光(PL)峰位在2.06~2.79eV可见光能量范围内的波长调制.光吸收谱中光吸收峰位与PL峰位重叠,表明薄膜发光来源于光吸收边以下0.65eV左右处的缺陷态.通过对傅里叶变换红外光谱(FTIR)的键浓度分析和X射线光电子能谱(XPS)Si 2p峰的分峰拟合,发现薄膜PL强度的增强与N-Si-O键合浓度的升高紧密相关.R=1∶4时,PL强度与N-Si-O键合浓度同时达到最大.进一步证明了a-SiN_x∶O薄膜中的发光缺陷态与N-Si-O键合结构密切相关.此外,PL峰位随流量比R的增大而发生红移的现象可能源自于N-Si-O组态转变造成的缺陷态密度最大位置处的能级偏移和光学带隙变窄引起的价带顶上移. 展开更多
关键词 光致发光 a-SiNx∶O薄膜 N-Si-O键 缺陷态
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一种缺陷态半导体薄膜—CdIn_2O_4膜研究 被引量：1
9
作者 王万录 廖克俊 +1 位作者 彭栋梁 高锦英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期51-52,18,共3页
CdIn_2O_4薄膜是一种三元氧化物宽带隙n型半导体材料.它有许多优异的光学和电学性质.在可见光范围内它有很高的光透射率,红外光附近有良好的反射率,但同时其电阻又十分低.与金属铜、金、银相比较,CdIn_2O_4薄膜的化学性质十分稳定和耐磨... CdIn_2O_4薄膜是一种三元氧化物宽带隙n型半导体材料.它有许多优异的光学和电学性质.在可见光范围内它有很高的光透射率,红外光附近有良好的反射率,但同时其电阻又十分低.与金属铜、金、银相比较,CdIn_2O_4薄膜的化学性质十分稳定和耐磨损.因而广泛应用于光电子器件、热镜。 展开更多
关键词 半导体薄膜 缺陷态 CdInO膜
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含缺陷态的非线性介质材料的光子晶体的双稳态特性 被引量：1
10
作者 邓开发 夏守之 是度芳 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期29-31,共3页
文章报道了在具有缺陷态的二维非线性介质材料的光子晶体中光的传播特征 ,光子晶体是含有多单元层的简单和复杂周期的介质结构。事实上 ,我们感兴趣的主要是缺陷模式的传播和局域的光强的增强因素。用转移矩阵方法 ,我们计算了光子晶体... 文章报道了在具有缺陷态的二维非线性介质材料的光子晶体中光的传播特征 ,光子晶体是含有多单元层的简单和复杂周期的介质结构。事实上 ,我们感兴趣的主要是缺陷模式的传播和局域的光强的增强因素。用转移矩阵方法 ,我们计算了光子晶体的电磁场波的传播 ;从而获得局域光的增强效应 ;这种方法计算了有限厚度材料的传播特性 ,数字结果表明非线性介质材料的缺陷结构的光传播能引起输入的光强度的改变 ;这种改变表现出双稳态特征 ;对于简单和复杂的光子晶体 ,假设输入的光强度是稳定的 ;这种双稳态特征就容易出现 ;对于复杂结构的光子晶体 ,则便显出复杂的特征。总的传输量是大的情况 ,双稳态也会出现。另外 ,缺陷介质的饱和吸收系数 。 展开更多
关键词 非线性介质材料 光子晶体 双稳态 转移矩阵 缺陷态
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SrTiO_3/TiO_2复合纳米薄膜的缺陷态 被引量：2
11
作者 万敏 张振龙 《济南大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2012年第2期124-127,共4页
采用电化学方法,研究SrTiO3/TiO2复合纳米结构电极和TiO2电极的缺陷态性质。结果表明:SrTiO3/TiO2复合电极和TiO2电极捕获的电子总量分别为0.84×1017cm-2和1.21×1017cm-2;两电极相比,SrTiO3/TiO2复合电极的缺陷态密度较小,可... 采用电化学方法,研究SrTiO3/TiO2复合纳米结构电极和TiO2电极的缺陷态性质。结果表明:SrTiO3/TiO2复合电极和TiO2电极捕获的电子总量分别为0.84×1017cm-2和1.21×1017cm-2;两电极相比,SrTiO3/TiO2复合电极的缺陷态密度较小,可减少光生电子和空穴的复合,增大光生载流子的浓度,增强复合材料的光活性。 展开更多
关键词 电化学 SrTiO3/TiO2复合电极 缺陷态密度 光活性
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二维光子晶体波导和微腔缺陷态研究 被引量：1
12
作者 杨维汉 李未 徐玉华 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2010年第12期33-34,共2页
利用二维三角晶格及正方晶格介质柱光子晶体TE偏振的禁带与介质柱半径的变化关系,分析了二维光子晶体缺陷态的分布。根据光子晶体波导间的耦合作用,计算其耦合长度设计合理的定向耦合器。通过分析波导与微腔的耦合特性,选取不同的传输方... 利用二维三角晶格及正方晶格介质柱光子晶体TE偏振的禁带与介质柱半径的变化关系,分析了二维光子晶体缺陷态的分布。根据光子晶体波导间的耦合作用,计算其耦合长度设计合理的定向耦合器。通过分析波导与微腔的耦合特性,选取不同的传输方向,可以设计多种基于光子晶体波导与微腔耦合的波分复用系统。 展开更多
关键词 光子晶体波导 微腔 缺陷态
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用成像法制作二维缺陷态光子晶格的实验研究 被引量：1
13
作者 陈玉和 杨立森 《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》 CAS 北大核心 2014年第1期48-50,55,共4页
在制作二维光子晶格的实验基础上,通过两种带有缺陷的振幅掩膜,利用成像法在LiNbO3:Fe晶体中分别实时写入带有4个点缺陷和1个线缺陷的二维缺陷态光子晶格.实验结果显示,晶体厚度对晶格的形成有一定影响,厚度太大的晶体中不易写入理想的... 在制作二维光子晶格的实验基础上,通过两种带有缺陷的振幅掩膜,利用成像法在LiNbO3:Fe晶体中分别实时写入带有4个点缺陷和1个线缺陷的二维缺陷态光子晶格.实验结果显示,晶体厚度对晶格的形成有一定影响,厚度太大的晶体中不易写入理想的光子晶格. 展开更多
关键词 LINBO3 Fe晶体 光子晶格 缺陷态 成像法
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用于波分复用的缺陷态复周期结构光子晶体滤波器的研究 被引量：3
14
作者 崔应留 《量子光学学报》 CSCD 2003年第4期172-176,共5页
利用传输矩阵法,研究了一种用于波分复用的光子晶体滤波器。该结构是中间包含一个缺陷层的一维三层介质的光子晶体,叫做缺陷态复周期结构光子晶体。通过数值计算得出它的色散关系和滤波特性。当改变缺陷层的厚度并保持其折射率不变时,... 利用传输矩阵法,研究了一种用于波分复用的光子晶体滤波器。该结构是中间包含一个缺陷层的一维三层介质的光子晶体,叫做缺陷态复周期结构光子晶体。通过数值计算得出它的色散关系和滤波特性。当改变缺陷层的厚度并保持其折射率不变时,带隙中将出现个数不同的局域模。缺陷层厚度增加时,局域模数也随着增加。适当调节缺陷层厚度,使带隙中出现八个窄带滤波窗口,能很好的用作八通道波分复用-解复用滤波器。由于很高的传输率和低的传输损耗,故在高速,长距离光通信中将有很好的应用。 展开更多
关键词 波分复用 缺陷态 光子晶体滤波器 光子带隙 传输矩阵法 色散关系
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基于COMSOL Multiphysics的有限元仿真模拟在《理论声学》教学中的应用:缺陷态的分析 被引量：1
15
作者 邓科 关珺珺 《科技创新与应用》 2016年第18期22-23,共2页
文章探讨了计算机仿真模拟在《理论声学》教学中的应用。以缺陷态的分析为例,基于COMSOL Multiphysics有限元软件的仿真模拟,我们提出了色散计算与本征模态分析相结合的教学模式。这种基于仿真模拟的教学模式有利于抽象概念的形象化,具... 文章探讨了计算机仿真模拟在《理论声学》教学中的应用。以缺陷态的分析为例,基于COMSOL Multiphysics有限元软件的仿真模拟,我们提出了色散计算与本征模态分析相结合的教学模式。这种基于仿真模拟的教学模式有利于抽象概念的形象化,具有较好的教学效果。 展开更多
关键词 计算机仿真教学 多物理有限元模拟 缺陷态
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三种缺陷态光子晶体的比较研究
16
作者 许桂雯 欧阳征标 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 2004年第4期350-355,共6页
利用光学传输矩阵法对3种基于均匀结构光子晶体的一维缺陷态光子晶体进行了比较研究.研究发现,对于每种结构,当缺陷介质层厚度变大时,缺陷模中心波长向长波区移动,且缺陷模式的带宽随之增加,当缺陷层介质厚度增加到一定数值时会出现多... 利用光学传输矩阵法对3种基于均匀结构光子晶体的一维缺陷态光子晶体进行了比较研究.研究发现,对于每种结构,当缺陷介质层厚度变大时,缺陷模中心波长向长波区移动,且缺陷模式的带宽随之增加,当缺陷层介质厚度增加到一定数值时会出现多个缺陷模.对于缺陷层两侧为高折射率介质层的结构一和结构三,缺陷模波长与缺陷层厚度呈非线性比例增加关系;对于缺陷层两侧为低折射率介质层的结构二,缺陷模波长与缺陷层厚度呈线性比例增加关系.对于结构一和结构三,在特定的中间缺陷层厚度时光子禁带区内的缺陷模会消失,而对于结构二,禁带区域内始终存在缺陷模式. 展开更多
关键词 光子晶体 谐振腔 缺陷态 缺陷模
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桩基础支撑的周期性高架桥结构的缺陷态研究
17
作者 陆建飞 雷力 《铁道标准设计》 北大核心 2013年第10期65-70,共6页
基于传递矩阵方法,对桩基础支撑的周期性高架桥结构在面外振动下的缺陷态进行研究。为考虑高架桥上部结构与桩基础的耦合,首先建立分析桩-土相互作用的边界元模型。利用上述边界元模型,梁和墩的传递矩阵,梁-梁-墩接头处的联结条件及传... 基于传递矩阵方法,对桩基础支撑的周期性高架桥结构在面外振动下的缺陷态进行研究。为考虑高架桥上部结构与桩基础的耦合,首先建立分析桩-土相互作用的边界元模型。利用上述边界元模型,梁和墩的传递矩阵,梁-梁-墩接头处的联结条件及传递矩阵方法,推导了高架桥单跨的传递矩阵。缺陷周期性高架桥结构的缺陷态可通过标准跨和缺陷跨的传递矩阵及超原胞方法求解得到。超原胞的能带显示,缺陷高架桥存在缺陷态;当频率为缺陷态频率时,超原胞的缺陷波模态表明波动会局域在高架桥的缺陷跨处。 展开更多
关键词 周期性高架桥 缺陷态 桩 边界元模型 超原胞方法
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高效钙钛矿缺陷态钝化材料及其钝化机理
18
作者 吴凯 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1728-1729,共2页
有机金属卤化物钙钛矿材料具有可调的直接带隙、高摩尔吸光系数和高载流子迁移率等优异的光电性质^1。基于该类钙钛矿材料的太阳能电池经过短短几年的发展,其能量转换效率几乎能够和传统晶体硅太阳能电池的效率相媲美^2。因此,钙钛矿太... 有机金属卤化物钙钛矿材料具有可调的直接带隙、高摩尔吸光系数和高载流子迁移率等优异的光电性质^1。基于该类钙钛矿材料的太阳能电池经过短短几年的发展,其能量转换效率几乎能够和传统晶体硅太阳能电池的效率相媲美^2。因此,钙钛矿太阳能电池被研究者们寄予厚望。 展开更多
关键词 类钙钛矿 钝化机理 材料 晶体硅太阳能电池 缺陷态 载流子迁移率 能量转换效率 金属卤化物
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周期变截面波导中的多缺陷态
19
作者 刘婷 张川 +4 位作者 刘欢 宋济钧 薛九零 樊亚仙 陶智勇 《应用声学》 CSCD 北大核心 2018年第1期168-174,共7页
设计了一种具有对称结构的多缺陷周期变截面波导,并在其Bragg禁带中实现了多缺陷态的产生。研究表明,通过调整缺陷的个数和长度可实现对缺陷态数目的选择和缺陷态中心频率的调谐。另外,改变重复周期个数可对缺陷态的带宽进行调节。通过... 设计了一种具有对称结构的多缺陷周期变截面波导,并在其Bragg禁带中实现了多缺陷态的产生。研究表明,通过调整缺陷的个数和长度可实现对缺陷态数目的选择和缺陷态中心频率的调谐。另外,改变重复周期个数可对缺陷态的带宽进行调节。通过对各缺陷态的声场分布进一步分析,我们发现声压沿波导中心轴呈对称或反对称分布。对称缺陷态的最大声能量总是向长度较小的缺陷处偏移,而反对称缺陷态则相反,总是向长度较大的缺陷处偏移。利用这种偏移特性可实现对多缺陷态的声场调控。这不仅使我们对声缺陷态的认识更加深入,更有利于功能型声波导器件的发展与应用。 展开更多
关键词 变截面波导 周期结构 多缺陷态 对称与反对称
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HgCdTe共振缺陷态的电容谱研究
20
作者 褚君浩 R.Sizmann +3 位作者 R.Wollrab F.Koch J.Ziegler H.Maier 《红外研究》 CSCD 北大核心 1989年第5期327-334,共8页
提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10^(16)～4×10^(17)cm^(-3)的P型HgCdTe MIS样品的C-V曲线.对浓度约10^(17)cm^(-3)的强P型Hg_0.79Cd_0.2... 提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10^(16)～4×10^(17)cm^(-3)的P型HgCdTe MIS样品的C-V曲线.对浓度约10^(17)cm^(-3)的强P型Hg_0.79Cd_0.21Te体材料样品,在C-V曲线上耗尽区和反型层交界的偏压区域观察到一个附加峰,该峰起源于导带底以上45meV的一个共振缺陷态,分析表明是氧占据Hg空位的杂质缺陷态. 展开更多
关键词 碲镉汞 共振缺陷态 电容谱 半导体
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