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题名缘栅耗尽型场效应管沟道类型和工作区类型的判别研究
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作者
李真
张嘉驰
初广前
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机构
济南市舜玉小学
山东交通学院
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出处
《科技资讯》
2022年第21期211-214,共4页
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基金
山东交通学院校级教改革项目(项目编号:2018ZD08,2019YB36)。
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文摘
模拟电子技术是电气、电子通信类等工科类专业的专业基础课。晶体三极管和场效应管是模拟电子技术课程的重要内容,场效应管和晶体三极管相比,具有许多优良性能如低噪声、低功耗、良好的热稳定性,现已被广泛用于电子电路中。在教学过程中发现场效应管这部分知识较抽象,学生理解该知识点有一定难度。对此,该文提出一种绝缘栅耗尽型场效应管沟道类型的判别方法和工作区类型的判别方法。实践证明,该判决方法不仅能便于学生理解场效应管工作原理,更能辅助学生准确地判别其沟道类型和工作区类型。
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关键词
模拟电子技术
绝缘栅耗尽型场效应管
沟道类型
工作区类型
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Keywords
Analog electronic technology
Insulated gate depletion type field effect transistor
Channel type
Work area type
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名衬底防反灌电路的设计
被引量：1
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作者
王智鹏
杨虹
刘桂芝
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机构
重庆邮电大学
上海南麟电子有限公司
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出处
《电子工程师》
2008年第12期14-16,共3页
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文摘
以采样电路为对象,采用CMOS工艺,利用耗尽型场效应管的V-I特性设计电路,达到输入电压低于输出电压时,防止输出端的高电位向衬底反灌电流的目的。本设计能够在全输入电压范围内直接检测,并且不需要外部偏置电流源。在3V～5V的输入电压范围内仿真,最功耗60μW,在1μs内输出所需要逻辑信号,输入电压回升时具备40mV(可调)的延迟。可以有效防止输出端高电位向衬底反灌以及输入电压不稳定引起的输出信号跳动。
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关键词
电流反灌
CMOS
耗尽型场效应管
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Keywords
current flowing backwards
CMOS
depletion mode FET
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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