期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
新型聚硅氮氧烷的合成及其热解特性研究
1
作者 徐汇 杜贻昂 +4 位作者 王福稳 李威 徐娜娜 欧钰城 王兵 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第5期424-430,共7页
为了制备具有[SiN_(3)O]结构单元、陶瓷化温度低的聚硅氮氧烷(PSOZ)先驱体,以三异氰基甲基硅[MeSi(NCO)_(3))]为原料,采用部分水解和氨解反应,制备了PSOZ先驱体。通过控制MeSi(NCO)_(3)水解反应的pH(4.7、5.4、5.9)、物料比[n(H_(2)O)∶... 为了制备具有[SiN_(3)O]结构单元、陶瓷化温度低的聚硅氮氧烷(PSOZ)先驱体,以三异氰基甲基硅[MeSi(NCO)_(3))]为原料,采用部分水解和氨解反应,制备了PSOZ先驱体。通过控制MeSi(NCO)_(3)水解反应的pH(4.7、5.4、5.9)、物料比[n(H_(2)O)∶n(MeSi(NCO)_(3))=1∶3、1∶2、2∶3]和水解温度(-10、-20、-30、-40、-50℃),提高二硅氧烷中间体的产率,进而提高PSOZ先驱体的陶瓷产率,并研究了PSOZ的热解特性。结果表明:1)PSOZ在800℃时完成无机化,此时试样中的硅甲基(Si—CH_(3))和异氰基(—NCO)完全分解;经1400℃热处理后,产物开始陶瓷化转变,局部出现Si_(2)N_(2)O微晶;经1600℃热处理后,得到高结晶的Si_(2)N_(2)O陶瓷;2)在pH=4.7、n(H_(2)O)∶n(MeSi(NCO)_(3))=1∶2,水解温度为-40℃的条件下制备的PSOZ先驱体的陶瓷产率最高,为57.1%(w)。 展开更多
关键词 聚硅氮氧烷 无机化 异氰基 陶瓷化
下载PDF
聚硅氧硅氮烷改性烯丙基酚醛杂化树脂的研究 被引量：12
2
作者 郑知敏 胡继东 +3 位作者 赵彤 罗永明 徐彩虹 谢择民 《有机硅材料》 CAS 2007年第5期253-257,共5页
采用二苯基硅二醇与含乙烯基的聚硅氮烷(SiN08)反应,合成了三种含二苯基硅氧链节的聚硅氧硅氮烷MPSZ-1、MPSZ-2、MPSZ-3;并用于烯丙基酚醛(AP)树脂的改性。与纯AP树脂相比,聚硅氧硅氮烷改性烯丙基酚醛树脂(MPSZ/AP)的热分解温度和高温... 采用二苯基硅二醇与含乙烯基的聚硅氮烷(SiN08)反应,合成了三种含二苯基硅氧链节的聚硅氧硅氮烷MPSZ-1、MPSZ-2、MPSZ-3;并用于烯丙基酚醛(AP)树脂的改性。与纯AP树脂相比,聚硅氧硅氮烷改性烯丙基酚醛树脂(MPSZ/AP)的热分解温度和高温残余质量分数都有较大提高。在N2气氛中,AP的质量损失率为5%时的温度为383℃,900℃残余质量分数为33.0%;MPSZ-1/AP的质量损失率为5%时的温度为465℃,900℃残余质量分数为74.4%。在空气气氛中,AP的900℃残余质量分数仅1.5%,MPSZ-1/AP的900℃残余质量分数为33.8%。MPSZ-1/AP体系的热分解温度和高温残余质量分数与SiN08/AP体系相当,而其固化质量损失率较低,仅为4.4%,适合采用树脂传递模塑(RTM)成形工艺制成复合材料。对聚硅氮烷/AP树脂固化过程的初步研究表明,Si—N键在固化过程中起主要作用。 展开更多
关键词 聚硅氧硅氮烷 烯丙基酚醛树脂 杂化树脂 二苯基硅二醇
下载PDF
聚硅氧硅氮烷胶黏剂耐湿热老化研究 被引量：2
3
作者 许文 张欢 +1 位作者 张新兰 邹士文 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期52-54,共3页
对聚硅氧硅氮烷胶黏剂进行了高温高湿环境条件下的加速老化试验。经过90 d加速老化试验,胶黏剂试样拉剪强度增长了50%以上。在高温高湿条件下,高温对胶黏剂的后固化增强作用和湿度对粘接界面的弱化作用同时存在,但增强作用远大于弱化作... 对聚硅氧硅氮烷胶黏剂进行了高温高湿环境条件下的加速老化试验。经过90 d加速老化试验,胶黏剂试样拉剪强度增长了50%以上。在高温高湿条件下,高温对胶黏剂的后固化增强作用和湿度对粘接界面的弱化作用同时存在,但增强作用远大于弱化作用。胶黏剂的90 d加速老化试验结果以及老化机理表明,聚硅氧硅氮烷胶黏剂具有很好的耐高温高湿性能,说明其具有较长的贮存寿命。 展开更多
关键词 聚硅氧硅氮烷 胶黏剂 老化试验 寿命
下载PDF
SiON/SiO_2复合膜层对太阳能电池阵板间电缆的表面改性及其耐空间环境性能 被引量：2
4
作者 曹章轶 吴敏 +3 位作者 马聚沙 陈萌炯 王训春 张宗波 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期55-62,共8页
在空间站工作的太阳电池阵板间电缆上下表面为聚酰亚胺薄膜,在低轨运行时会受到原子氧的强烈侵蚀,需要采取措施对其进行保护。采用射频磁控溅射法在电缆表面制备了颗粒尺寸均匀、排列致密的SiO_2膜层。通过表征空间环境试验前后样品发... 在空间站工作的太阳电池阵板间电缆上下表面为聚酰亚胺薄膜,在低轨运行时会受到原子氧的强烈侵蚀,需要采取措施对其进行保护。采用射频磁控溅射法在电缆表面制备了颗粒尺寸均匀、排列致密的SiO_2膜层。通过表征空间环境试验前后样品发现由于电缆表面的凸起颗粒等缺陷无法完全被SiO_2膜层覆盖,导致原子氧会对缺陷位置产生侵蚀作用。采用全氢聚硅氮烷溶液对板间电缆基底进行表面改性处理,制备的聚硅氧氮烷涂层(SiON)可以有效地覆盖电缆基底表面的凸起颗粒等缺陷,使得其上溅射的SiO_2膜层表面光滑平整。经原子氧暴露试验,SiON/SiO_2层内部没有受到其侵蚀作用,可以防止原子氧对电缆基底的破坏。经多次冷热循环试验,SiON/SiO_2复合膜层仍然具备良好的结构特性与结合性能。 展开更多
关键词 聚硅氧氮烷 SIO2 复合膜层 表面改性 板间电缆
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部