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PVT法生长6H-SiC单晶中平面六方空洞缺陷研究 被引量：2
1
作者 李翠 杨立文 +1 位作者 蒋秉轩 杨志民 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期942-946,共5页
平面六方空洞是SiC晶体中一种典型的体缺陷,其存在严重影响了晶片的质量。因此,研究和去除平面六方空洞缺陷对提高晶片质量有重要意义。使用物理气相输运法(physical vapor transport,PVT)制备了4块6H-SiC单晶,使用光学显微镜观察了平... 平面六方空洞是SiC晶体中一种典型的体缺陷,其存在严重影响了晶片的质量。因此,研究和去除平面六方空洞缺陷对提高晶片质量有重要意义。使用物理气相输运法(physical vapor transport,PVT)制备了4块6H-SiC单晶,使用光学显微镜观察了平面六方空洞的分布和形貌特征,并研究其形成机制。结果表明,平面六方空洞的形成主要由籽晶背向分解造成的。籽晶背向分解存在两个必要条件:籽晶背面存在与其相接触的气孔;气孔内与籽晶背面相接触的区域比其他区域温度高。籽晶背面的TaC致密膜层能够抑制籽晶背面的分解。结合使用在籽晶背面生成致密TaC膜层和粘结固定两种措施,有效地抑制了籽晶的背面分解,得到了无平面六方空洞缺陷的SiC晶体。 展开更多
关键词 PVT 6H-SiC单晶 平面六方空洞 背向分解
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