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中频脉冲溅射制备绒面ZnO透明导电薄膜 被引量：4
1
作者 刘佳宇 杨瑞霞 +3 位作者 牛晨亮 薛俊明 赵颖 耿新华 《微纳电子技术》 CAS 2006年第4期186-189,共4页
采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。电阻率为5.57×10-4Ω·cm,载流子浓度2.2×1020cm-3,霍尔迁移率40.1cm2/V·s,可见光范围内(400～800nm)的平均透过率大于85%。用酸腐蚀的方法可以获得... 采用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。电阻率为5.57×10-4Ω·cm,载流子浓度2.2×1020cm-3,霍尔迁移率40.1cm2/V·s,可见光范围内(400～800nm)的平均透过率大于85%。用酸腐蚀的方法可以获得绒面效果。分析了气压和温度对绒面结构的影响,获得了适合薄膜太阳能电池要求的绒面ZnO透明导电薄膜。 展开更多
关键词 中频脉冲溅射 绒面氧化锌 透明导电膜
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脉冲溅射功率对含硅量子点SiC_x薄膜的结构和光学特性的影响 被引量：1
2
作者 赵飞 杨雯 +2 位作者 莫镜辉 张志恒 杨培志 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期9-14,共6页
采用射频和脉冲磁控共溅射法并结合快速光热退火法制备了含硅量子点的SiC_x薄膜.采用掠入射X射线衍射、喇曼光谱、紫外-可见-近红外分光光度计和透射电子显微镜对薄膜进行表征.研究了脉冲溅射功率对薄膜中硅量子点数量、尺寸、晶化率和... 采用射频和脉冲磁控共溅射法并结合快速光热退火法制备了含硅量子点的SiC_x薄膜.采用掠入射X射线衍射、喇曼光谱、紫外-可见-近红外分光光度计和透射电子显微镜对薄膜进行表征.研究了脉冲溅射功率对薄膜中硅量子点数量、尺寸、晶化率和薄膜光学带隙的影响.结果表明:当溅射功率从70 W增至100 W时,硅量子点数量增多,尺寸增至5.33nm,晶化率增至68.67%,而光学带隙则减至1.62eV;随着溅射功率进一步增至110 W时,硅量子点数量减少,尺寸减至5.12nm,晶化率降至55.13%,而光学带隙却增至2.23eV.在本实验条件下,最佳溅射功率为100 W. 展开更多
关键词 脉冲溅射功率 硅量子点 SiCx薄膜 磁控溅射 快速光热退火
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脉冲溅射电源的设计及其应用 被引量：1
3
作者 刘云峰 陈国平 《电子器件》 CAS 1998年第4期223-227,共5页
设计研制了脉冲溅射电源并用此电源制备了Ａｌ２Ｏ３薄膜。实验表明采用脉冲电源可以抑制溅射靶面的异常放电。
关键词 脉冲溅射 电源 设计 化合物薄膜
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脉冲溅射技术在氧化铝薄膜沉积中的应用 被引量：3
4
作者 茅昕辉 蔡炳初 陈国平 《微细加工技术》 2001年第2期35-39,共5页
脉冲溅射是一种新型的、用于消除直流反应溅射中异常放电的技术。通过采用金属铝靶和自制的脉冲电源进行了氧化铝薄膜的脉冲磁控反应溅射沉积实验 ,讨论了脉冲溅射参数对异常放电的抑制效果 ,以及对氧化铝薄膜的沉积速率和折射率的影响。
关键词 脉冲溅射 氧化铝薄膜 反射溅射 沉积
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N2流量对脉冲溅射CrNx薄膜结构和耐蚀性的影响 被引量：1
5
作者 鲁媛媛 丁旭 +1 位作者 罗甲文 吴坤尧 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期2599-2603,共5页
采用脉冲磁控溅射法在不同氮气流量下制备出CrN_x薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和电化学工作站对薄膜进行了系统分析,以研究氮气流量对其微观结构和耐蚀性的影响规律。结果表明:氮气流量较低时,薄膜... 采用脉冲磁控溅射法在不同氮气流量下制备出CrN_x薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和电化学工作站对薄膜进行了系统分析,以研究氮气流量对其微观结构和耐蚀性的影响规律。结果表明:氮气流量较低时,薄膜的物相为Cr_2N^+CrN的复合相,当氮气流量增加至150sccm,物相转变为CrN单相;表面和截面形貌照片显示,随着氮气流量的增多,薄膜的表面粗糙度逐渐减小、致密度也得到改善。物相的变化和致密度的改善,使得腐蚀电流密度随氮气流量的增加而降低,即腐蚀速度逐渐减小,当氮气流量为150sccm时薄膜表现出最好的耐蚀性。 展开更多
关键词 脉冲溅射 CrNx 薄膜 氮气流量 微观结构 耐蚀性
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高功率脉冲磁控溅射技术制备ta-C膜及性能改性研究
6
作者 冯利民 史敬伟 +2 位作者 何哲秋 李建中 石俊杰 《材料保护》 CAS CSCD 2024年第7期23-29,共7页
硬质合金表面沉积四面体非晶碳膜(ta-C薄膜)的结合力和摩擦性能影响着其在切削刀具和耐磨零部件领域的应用效果。基于高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)制备了ta-C薄膜,通过调节C2H2流量对ta-C薄膜进行了改性研究。利用SEM对薄膜厚度进行... 硬质合金表面沉积四面体非晶碳膜(ta-C薄膜)的结合力和摩擦性能影响着其在切削刀具和耐磨零部件领域的应用效果。基于高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)制备了ta-C薄膜,通过调节C2H2流量对ta-C薄膜进行了改性研究。利用SEM对薄膜厚度进行观察,通过拉曼和XPS对其结构进行研究,通过纳米压痕对其硬度进行表征,通过纳米划痕对薄膜的结合力进行研究并通过摩擦磨损试验对薄膜的耐磨性进行探究。结果表明,通入C2H2气体可有效改善ta-C薄膜的结构、硬度、结合力和耐磨性能。改变C2H2流量可调控ta-C薄膜的性能,随着C2H2流量的逐渐增大,薄膜的各项性能呈现先增大后减小的趋势,当C2H2流量为15 cm^(3)/min时,薄膜的各项性能都达到较为优异的结果,ta-C薄膜厚度达655.9 nm,硬度提高到43.633 GPa,结合力提升到19.2 N,此时sp3键含量为70.19%,ta-C薄膜表面均匀、致密,且性能优良。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 四面体非晶碳膜 C2H2 薄膜性能
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脉冲频率对高脉冲磁控溅射Cr/C镀层组织结构和耐蚀性的影响
7
作者 鲁媛媛 吴坤尧 +3 位作者 罗发 杨超群 刘伟锋 曹悦悦 《西安航空学院学报》 2024年第3期44-49,共6页
为研究磁控溅射脉冲频率对镀层组织结构和耐蚀性的影响,以200、300、400、500和600 Hz脉冲频率下制备的Cr/C镀层为对象,采用XRD、SEM、电化学工作站对其相组成、微观组织和耐蚀性进行了表征分析。结果表明:不同脉冲频率下制备的Cr/C镀... 为研究磁控溅射脉冲频率对镀层组织结构和耐蚀性的影响,以200、300、400、500和600 Hz脉冲频率下制备的Cr/C镀层为对象,采用XRD、SEM、电化学工作站对其相组成、微观组织和耐蚀性进行了表征分析。结果表明:不同脉冲频率下制备的Cr/C镀层相组成相同,均为Cr_(7)C_(3);Cr/C镀层的表面形貌均为菜花状颗粒,截面组织均为柱状晶;随着脉冲频率的增加,Cr/C镀层的组织变粗,柱状晶之间的空隙增大,致密性降低,表面粗糙度增加,镀层的厚度增大,镀层的平均沉积速率从18.45 nm·min^(-1)增大到28.08 nm·min^(-1);脉冲频率为500 Hz时镀层的腐蚀电位最高、腐蚀电流最低,腐蚀速率仅为0.00296 mm·a^(-1)。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 脉冲频率 Cr/C镀层 组织结构 耐蚀性
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阴极弧蒸发和高功率脉冲磁控溅射TiAlN涂层的性能研究 被引量：2
8
作者 吴明晶 王北川 +2 位作者 张国飞 李佳 陈利 《硬质合金》 CAS 2023年第3期181-186,共6页
为对比研究阴极弧蒸发(CAE)和高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)两种工艺对TiAlN涂层结构、硬度、热稳定性及抗氧化性能的影响,本文采用两种方法制备了成分相同的Ti_(0.38)Al_(0.62)N涂层,使用能量色散X射线光谱仪(EDX)、X射线衍射仪(XRD)、... 为对比研究阴极弧蒸发(CAE)和高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)两种工艺对TiAlN涂层结构、硬度、热稳定性及抗氧化性能的影响,本文采用两种方法制备了成分相同的Ti_(0.38)Al_(0.62)N涂层,使用能量色散X射线光谱仪(EDX)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、纳米压痕仪分析了涂层的成分、微观结构、力学性能、热稳定性和抗氧化性。两种涂层均呈面心立方结构;CAE涂层呈现大量的“液滴”缺陷,而HiPIMS涂层表面质量更优;CAE涂层硬度(~32.7GPa)略高于HiPIMS涂层(~31.8 GPa);HiPIMS涂层具有更高的热稳定性,CAE涂层在800℃达到硬度最高值~36.2 GPa,而HiPIMS涂层在900℃硬度达到最高~34.3 GPa,且随温度的升高,CAE涂层硬度下降更快。HiPIMS涂层表现出更好的抗氧化性能,在800℃氧化30 h后,CAE和HiPIMS制备的两种涂层的氧化层厚度分别为~630.7 nm和~589.3 nm。 展开更多
关键词 TIALN涂层 阴极弧蒸发 高功率脉冲磁控溅射 硬度 热稳定性 抗氧化性
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溅射电压对高功率脉冲磁控溅射Cu箔微观结构及性能的影响
9
作者 余康元 何玉丹 +1 位作者 杨波 罗江山 《真空》 CAS 2023年第3期1-4,共4页
采用高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)工艺制备出铜(Cu)箔,研究了溅射电压对Cu箔微观结构和性能的影响。结果表明:在溅射电压700~950V范围内,Cu箔均呈现出明显的(111)晶面择优取向,其晶粒尺寸在27.7~36.5nm之间,相对密度在96.1%~98.5%之间,... 采用高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)工艺制备出铜(Cu)箔,研究了溅射电压对Cu箔微观结构和性能的影响。结果表明:在溅射电压700~950V范围内,Cu箔均呈现出明显的(111)晶面择优取向,其晶粒尺寸在27.7~36.5nm之间,相对密度在96.1%~98.5%之间,明显优于普通直流磁控溅射制备的Cu箔;随着溅射电压的增大,Cu箔由韧性逐渐向脆性转变,其电阻率逐渐降低至2.38μΩ·cm,接近纯Cu的本体电阻率。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 Cu箔 微观织构 相对密度 电阻率
原文传递
靶电流对高功率脉冲磁控溅射WS_(2)-Ti固体润滑涂层微观组织及力学性能的影响研究
10
作者 孙含影 殷俊 +6 位作者 张平 应普友 吴建波 黄敏 林长红 杨涛 Vladimir Levchenko 《工具技术》 北大核心 2023年第10期44-48,共5页
过渡金属硫化物涂层的耐磨性能与其微观结构、力学性能有关,而其结构与溅射能量有关。高能脉冲磁控溅射(HiPIMS)具有离化率高和沉积能量高的特性,其沉积能量受控于靶电流。采用HiPIMS技术,通过改变Ti靶电流制备了WS_(2)-Ti涂层,并利用... 过渡金属硫化物涂层的耐磨性能与其微观结构、力学性能有关,而其结构与溅射能量有关。高能脉冲磁控溅射(HiPIMS)具有离化率高和沉积能量高的特性,其沉积能量受控于靶电流。采用HiPIMS技术,通过改变Ti靶电流制备了WS_(2)-Ti涂层,并利用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪和纳米压痕仪表征涂层的微观组织结构和力学性能。分析结果表明,采用HiPIMS制备WS_(2)-Ti涂层可以有效细化晶粒并抑制其柱状生长,所制备的涂层结构致密且以非晶态为主;随着靶电流的增加,可进一步细化WS_(2)-Ti涂层晶粒,提高其致密度;涂层硬度随靶电流的增大呈先上升再下降的趋势,而其约化弹性模量先下降再上升;相应塑性因子H/E_(r)和H_(3)/E_(r)^(2)先变大后变小,在靶电流为50A时达到最高。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 WS_(2)-Ti涂层 靶电流 微观结构 力学性能
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带有反向正脉冲的HiPIMS技术制备ta-C膜及性能研究
11
作者 何哲秋 冯利民 +2 位作者 李建中 石俊杰 高宣雯 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期96-103,共8页
目的提高切削刀具和耐磨零件的表面硬度和摩擦性能,延长工具的使用寿命。方法基于高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS),在每个脉冲周期尾部施加反向正脉冲,控制ta-C沉积过程,通过电镜测试、拉曼测试、XPS测试、纳米压痕硬度测试、摩擦磨损... 目的提高切削刀具和耐磨零件的表面硬度和摩擦性能,延长工具的使用寿命。方法基于高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS),在每个脉冲周期尾部施加反向正脉冲,控制ta-C沉积过程,通过电镜测试、拉曼测试、XPS测试、纳米压痕硬度测试、摩擦磨损实验分别分析脉冲频率、反向正脉冲能量对ta-C薄膜沉积速度、膜结构、硬度、结合强度、耐磨性能的影响。结果采用钨钢为基体进行实验,将频率从4000 Hz到1500 Hz依次降低,制备涂层。在频率为4000 Hz的处理条件下制备涂层时,ta-C膜层的厚度为479.2 nm,通过XPS可知,此时sp^(3)的原子数分数达到59.53%,硬度为32.65 GPa,且得到的薄膜在12.7 N时失效,耐磨性较差,摩擦因数约为0.163。在频率为1500 Hz的处理条件下制备涂层时,涂层各项性能均有所提升,ta-C膜层的厚度为488.6 nm,通过XPS可知,此时sp^(3)的原子数分数达到63.74%,硬度为40.485 GPa,且薄膜在14.9 N时失效,耐磨性较优,摩擦因数约为0.138。结论通过调节脉冲频率,可以有效提高ta-C薄膜的沉积效率,改善膜的结构和性能。随着沉积ta-C薄膜频率的降低,薄膜中sp^(3)的含量呈现增大趋势,摩擦因数也随之降低,有效改善了ta-C膜的耐磨性。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射技术 类金刚石膜 脉冲频率 结合力 硬度 耐磨性
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同步脉冲偏压对低温制备的CrSiN薄膜结构及性能的影响研究
12
作者 贵宾华 张腾飞 +6 位作者 刘铭 周晖 马占吉 杨拉毛草 汪科良 鲜昌卫 蒋钊 《真空与低温》 2024年第1期48-56,共9页
利用高功率脉冲磁控溅射技术,研究了同步脉冲偏压对低温沉积的CrSiN薄膜的组织结构、力学、摩擦学及耐腐蚀性能的影响。研究表明,随着同步脉冲偏压升高,荷能离子轰击对薄膜表面的溅射作用增强,薄膜中的轻质元素含量略有下降,同时c-CrN(1... 利用高功率脉冲磁控溅射技术,研究了同步脉冲偏压对低温沉积的CrSiN薄膜的组织结构、力学、摩擦学及耐腐蚀性能的影响。研究表明,随着同步脉冲偏压升高,荷能离子轰击对薄膜表面的溅射作用增强,薄膜中的轻质元素含量略有下降,同时c-CrN(111)晶面衍射峰消失,薄膜呈明显的(200)晶面择优取向,晶粒细化,致密度提高。在−500 V偏压下沉积的薄膜硬度最大,达到16.5 GPa,腐蚀电流密度可达2.09×10^(−10)A/cm^(2);磨粒磨损及黏着磨损为CrSiN薄膜的主要磨损机制。调控同步脉冲偏压实现了低温下具有优良力学性能和耐蚀性能的CrSiN薄膜的可控制备,为拓宽CrSiN薄膜在温度敏感基体上的适用性提供了新的研究思路与解决途径。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 同步脉冲偏压 组织结构 摩擦学性能 耐腐蚀性能
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单极性脉冲磁控溅射MoS_(2)涂层制备及性能研究
13
作者 但敏 陈伦江 +5 位作者 贺岩斌 万俊豪 张虹 张珂嘉 杨莹 金凡亚 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期3187-3193,共7页
为满足ITER屏蔽包层中第一壁连接组件的固体润滑要求,采用单极性脉冲磁控溅射方法,在A286镍基合金基体上制备了不同脉冲偏压及不同占空比下MoS_(2)低摩擦系数涂层。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原位纳米力学测试系统研究涂层的微... 为满足ITER屏蔽包层中第一壁连接组件的固体润滑要求,采用单极性脉冲磁控溅射方法,在A286镍基合金基体上制备了不同脉冲偏压及不同占空比下MoS_(2)低摩擦系数涂层。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原位纳米力学测试系统研究涂层的微观组织、形貌及力学性能受工艺参数的影响规律;利用球-盘式摩擦磨损试验机考察涂层在大气环境下的摩擦学性能。结果表明,随偏压的增加,MoS_(2)涂层择优取向发生了(002)向(100)转变,又恢复(002)择优取向的过程,晶粒尺寸呈先增大后减小趋势,不同脉冲偏压下,晶粒尺寸随占空比增加呈现不同的趋势;其中S-2样品具有较好的承载性能及弹性恢复能力,弹性模量为63.45 GPa,硬弹比为0.80;接触赫兹应力为1500 MPa时,该涂层在大气环境下具有最低的平均摩擦系数(0.054)和最低的磨损率[2.11×10^(-5)mm^(3)/(Nm],仅为基体的5.49%。 展开更多
关键词 单极性脉冲磁控溅射 MoS_(2) 微观结构 力学性能 摩擦学性能
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铝靶脉冲反应溅射沉积氧化铝薄膜中的迟滞回线的研究 被引量：17
14
作者 茅昕辉 刘云峰 +1 位作者 张浩康 陈国平 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期88-91,共4页
采用脉冲磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验 ,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。通过给出靶面刻蚀区氧化层厚度与氧分压之间的关系 ,解释了薄膜沉积速率变化的原因。
关键词 迟滞回线 反应溅射 脉冲溅射 氧化铝薄膜
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《材料保护》“高功率脉冲磁控溅射技术与应用”专栏征稿启事
15
《材料保护》 CAS CSCD 2023年第10期218-218,共1页
高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)作为一种新型PVD技术,因其离化率高,且易于实现致密、光滑、大面积均匀的高质量薄膜制备,备受国内外研究学者的广泛关注。为进一步推动高功率脉冲磁控溅射技术领域的发展,借助“2023高功率脉冲磁控溅射技术... 高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)作为一种新型PVD技术,因其离化率高,且易于实现致密、光滑、大面积均匀的高质量薄膜制备,备受国内外研究学者的广泛关注。为进一步推动高功率脉冲磁控溅射技术领域的发展,借助“2023高功率脉冲磁控溅射技术与应用专题会议”召开的契机,西南大学孙德恩教授和《材料保护》编辑部于近期共同策划出版“高功率脉冲磁控溅射技术与应用”专栏,旨在征集该技术领域的最新研究论文和综述。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 薄膜制备 专题会议 离化率 策划出版 技术与应用
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2023高功率脉冲磁控溅射技术与应用专题会议(重庆)通知
16
作者 无 《材料保护》 CAS CSCD 2023年第9期10-10,共1页
以高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)为代表的高离化磁控溅射技术作为一种新的物理气相沉积技术,可以明显提高薄膜结构可控性,进而获得优异的薄膜性能,在国内外研究领域和工业界受到了广泛关注和重视。为推动该技术的进步,国际上已经形成... 以高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)为代表的高离化磁控溅射技术作为一种新的物理气相沉积技术,可以明显提高薄膜结构可控性,进而获得优异的薄膜性能,在国内外研究领域和工业界受到了广泛关注和重视。为推动该技术的进步,国际上已经形成了HiPIMS Today等一系列的国际会议对该技术放电机理、脉冲形式、等离子体输运与诊断、以及薄膜/涂层沉积与应用等多个方面进行专题研讨,为其发展与应用带来了蓬勃动力! 展开更多
关键词 物理气相沉积 磁控溅射技术 薄膜性能 高功率脉冲磁控溅射 结构可控性 PIMS 放电机理 专题会议
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2023高功率脉冲磁控溅射技术与应用专题会议成功召开
17
《材料保护》 CAS CSCD 2023年第11期153-153,共1页
2023年10月20~22日,由中国机械工程学会表面工程分会主办,西南大学材料与能源学院承办的“2023高功率脉冲磁控溅射技术与应用专题会议”在重庆成功召开。此次会议采取线上线下相结合的方式进行,众位嘉宾共话HiPIMS技术的发展与未来。会... 2023年10月20~22日,由中国机械工程学会表面工程分会主办,西南大学材料与能源学院承办的“2023高功率脉冲磁控溅射技术与应用专题会议”在重庆成功召开。此次会议采取线上线下相结合的方式进行,众位嘉宾共话HiPIMS技术的发展与未来。会议场面热烈,共吸引了190多位行业领域内人士现场参会。会议开幕式由哈尔滨工业大学田修波教授主持,中国机械工程学会表面工程分会主任委员、大连理工大学雷明凯教授代表主办方对到会的代表表示欢迎。 展开更多
关键词 表面工程 分会主任委员 专题会议 高功率脉冲磁控溅射 哈尔滨工业大学 线上线下相结合 发展与未来
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《材料保护》“高功率脉冲磁控溅射技术与应用”专栏征稿启事
18
《表面工程与再制造》 2023年第6期83-83,共1页
高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)作为一种新型PVD技术,因其离化率高,且易于实现致密、光滑、大面积均匀的高质量薄膜制备,备受国内外研究学者的广泛关注。为进一步推动高功率脉冲磁控溅射技术领域的发展,借助“2023高功率脉冲磁控溅射技术... 高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)作为一种新型PVD技术,因其离化率高,且易于实现致密、光滑、大面积均匀的高质量薄膜制备,备受国内外研究学者的广泛关注。为进一步推动高功率脉冲磁控溅射技术领域的发展,借助“2023高功率脉冲磁控溅射技术与应用专题会议”召开的契机,西南大学孙德恩教授和《材料保护》编辑部于近期共同策划出版“高功率脉冲磁控溅射技术与应用”专栏,旨在征集该技术领域的最新研究论文和综述。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 薄膜制备 专题会议 离化率 策划出版 技术与应用
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2023高功率脉冲磁控溅射技术与应用专题会议(重庆)通知
19
作者 无 《表面工程与再制造》 2023年第4期72-73,共2页
以高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)为代表的高离化磁控溅射技术作为一种新的物理气相沉积技术,可以明显提高薄膜结构可控性,进而获得优异的薄膜性能,在国内外研究领域和工业界受到了广泛关注和重视。为推动该技术的进步,国际上已经形成... 以高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)为代表的高离化磁控溅射技术作为一种新的物理气相沉积技术,可以明显提高薄膜结构可控性,进而获得优异的薄膜性能,在国内外研究领域和工业界受到了广泛关注和重视。为推动该技术的进步,国际上已经形成了HiPIMS Today等一系列的国际会议对该技术放电机理、脉冲形式、等离子体输运与诊断、以及薄膜/涂层沉积与应用等多个方面进行专题研讨,为其发展与应用带来了蓬勃动力! 展开更多
关键词 物理气相沉积 磁控溅射技术 薄膜性能 高功率脉冲磁控溅射 结构可控性 PIMS 放电机理 专题会议
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高功率脉冲磁控溅射沉积原理与工艺研究进展 被引量：25
20
作者 吴志立 朱小鹏 雷明凯 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期15-20,共6页
高功率脉冲磁控溅射技术是一种峰值功率超过平均功率2个量级、溅射靶材原子高度离化的脉冲溅射技术,作为一种新的离子化物理气相沉积技术,已成为国际研究的热点,有关高功率脉冲放电、等离子体特性、薄膜及其工艺等方面的研究进展十分迅... 高功率脉冲磁控溅射技术是一种峰值功率超过平均功率2个量级、溅射靶材原子高度离化的脉冲溅射技术,作为一种新的离子化物理气相沉积技术,已成为国际研究的热点,有关高功率脉冲放电、等离子体特性、薄膜及其工艺等方面的研究进展十分迅速。文中从高功率脉冲磁控溅射的原理出发,介绍10多年来高功率脉冲电源的发展,从高功率脉冲放电等离子体特性与放电物理、等离子体模型,以及沉积速率和薄膜特性等方面综述技术的研究进展。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 等离子体 薄膜 研究进展
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