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脉冲激光沉积法制备YSZ薄膜的导电机制
1
作者 张靖松 曹林洪 +3 位作者 王进 符亚军 蒋玉苹 唐维 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期442-448,455,共8页
YSZ薄膜氧气传感器的微型化和高灵敏度是其未来的发展趋势,厘清氧离子在薄膜中的输运机制是提高氧气传感性能的关键。鉴于此,本研究采用脉冲激光沉积技术在单晶Si(100)衬底上制备了YSZ薄膜,并采用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电... YSZ薄膜氧气传感器的微型化和高灵敏度是其未来的发展趋势,厘清氧离子在薄膜中的输运机制是提高氧气传感性能的关键。鉴于此,本研究采用脉冲激光沉积技术在单晶Si(100)衬底上制备了YSZ薄膜,并采用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱等技术研究了薄膜制备工艺对其成分、结构和导电特性的影响。研究结果显示YSZ薄膜结构呈多晶立方相,退火温度对YSZ薄膜的性质有显著的调控作用。一方面,高温退火使薄膜的平均晶粒尺寸显著增大,因而能大幅提高薄膜的电导率;另一方面,退火又调控了薄膜中的Zr、Y、O元素的含量比,且当O含量增加时,薄膜的电导率降低。此外,本研究还表明,YSZ薄膜经高温退火(T≥1073 K)后,呈现典型固体电解质的离子导电特性。进一步地,在313 K至873 K范围内,YSZ薄膜具有两个温度拐点,预示其存在三种导电机制。经计算,YSZ薄膜在高温段的激活能与文献报道相符。本研究对脉冲激光沉积制备特定需求的YSZ薄膜提供了一定的技术参数。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 YSZ薄膜 离子电导 退火温度
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脉冲激光沉积过程中TiO_(2)等离子体状态诊断及薄膜特性的研究
2
作者 王源 高亚青 +2 位作者 蔡芸丽 苏茂根 董晨钟 《西北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2024年第2期51-57,共7页
脉冲激光沉积技术由于具有较高的沉积速率和良好的兼容性,已广泛应用于各种纳米薄膜材料的制备.探究激光等离子体状态与沉积薄膜特性之间的关系,有助于进一步调控与优化脉冲激光技术对薄膜材料的沉积.本文将等离子体状态诊断与沉积薄膜... 脉冲激光沉积技术由于具有较高的沉积速率和良好的兼容性,已广泛应用于各种纳米薄膜材料的制备.探究激光等离子体状态与沉积薄膜特性之间的关系,有助于进一步调控与优化脉冲激光技术对薄膜材料的沉积.本文将等离子体状态诊断与沉积薄膜性能相结合,讨论了不同脉冲激光能量下等离子体状态对沉积薄膜性能的影响.结果表明,低烧蚀能量下产生的等离子体更有助于获得质地更好,且与靶材晶相一致的优良薄膜材料.该结果也为探索和调控沉积过程提供参考. 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 激光等离子体诊断 光学发射光谱 TiO_(2)薄膜表征
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脉冲激光沉积ZnSe:Co_(x)纳米晶薄膜的微结构及光学性质研究
3
作者 李树锋 王丽 高东文 《真空》 2024年第1期41-46,共6页
采用脉冲激光沉积技术在基片温度为800℃条件下制备了不同Co含量的ZnSe:Co_(x)(x=0.1,0.3,0.5)微晶薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜、X射线光电子能谱、红外透射光谱及光致发光光谱分析了薄膜的微结构及光学特性。结果表明:所制备的... 采用脉冲激光沉积技术在基片温度为800℃条件下制备了不同Co含量的ZnSe:Co_(x)(x=0.1,0.3,0.5)微晶薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜、X射线光电子能谱、红外透射光谱及光致发光光谱分析了薄膜的微结构及光学特性。结果表明:所制备的纳米晶薄膜结晶质量优秀,具有(111)择优取向,薄膜结晶质量、光谱透射率和光学带隙均随Co含量的增加而减小;薄膜在波长约700~850 nm处存在一吸收带,这源于Co^(2+)在周围Se^(2-)构成的四面体晶场中^(4)A_(2)(^(4)F)→^(4)T_(1)(4P)能级之间的跃迁;当Co掺入量x=0.5时,薄膜达到过掺杂状态,α-Co杂质相出现,薄膜红外光致发光谱大幅降低。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 硒化锌掺钴 薄膜 光学性质
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脉冲激光沉积法制备Ga掺杂ZnO薄膜结构、光学和电学性能研究
4
作者 周同 杨晓漫 刘亲壮 《淮北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2024年第3期23-29,共7页
为探究掺杂含量及薄膜厚度对Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜各性能的影响,利用脉冲激光沉积法在MgO衬底上制备一系列Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜。X射线衍射结果表明,所有薄膜均沿z轴择优生长,结晶质量和透光率随掺杂含量的增加而降低。Ga掺杂含量为3%的... 为探究掺杂含量及薄膜厚度对Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜各性能的影响,利用脉冲激光沉积法在MgO衬底上制备一系列Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜。X射线衍射结果表明,所有薄膜均沿z轴择优生长,结晶质量和透光率随掺杂含量的增加而降低。Ga掺杂含量为3%的薄膜获得最佳电学性能。薄膜结晶质量随厚度增加而提高,在250 nm获得最低电阻率1.34×10^(-4)Ω·cm和最高迁移率26.48 cm^(2)/Vs。3%组分不同厚度的薄膜可见光范围内光透过率均高于80%。Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜是替代传统铟锡氧化物的良好候选材料。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 Ga_(x)Zn_(1-x)O薄膜 电学性能 X射线衍射
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脉冲激光沉积过程虚拟仿真实验设计及教学模式探索 被引量：1
5
作者 雷姗 孙立忠 +1 位作者 王鑫铭 郭进伟 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2023年第5期243-246,共4页
脉冲激光沉积(PLD)薄膜制备技术是物理气相沉积技术中先进的工艺和手段之一,也是材料学科实验教学的重要内容,但该实验所需实验仪器精密、操作复杂、耗材昂贵且用量大,严重制约其有效开展。基于此,自主开发设计了PLD过程虚拟仿真实验项... 脉冲激光沉积(PLD)薄膜制备技术是物理气相沉积技术中先进的工艺和手段之一,也是材料学科实验教学的重要内容,但该实验所需实验仪器精密、操作复杂、耗材昂贵且用量大,严重制约其有效开展。基于此,自主开发设计了PLD过程虚拟仿真实验项目,完整模拟了PLD薄膜制备的工艺流程及关键控制条件,实现虚实结合。通过线上、线下结合的教学模式,实现沉浸式漫游、互动式学习、自主选择练习,达到激发兴趣、提升能力、提高效率的教学目标,有效培养学生的创新意识。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 虚拟仿真 实验设计 教学模式
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基片温度对脉冲激光沉积ZnS:Co薄膜微结构及光学性质的影响研究 被引量：1
6
作者 李树锋 王丽 高东文 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期738-744,共7页
采用脉冲激光沉积技术在石英基片上制备了ZnS:Co薄膜,改变制备过程中石英基片的温度TS,研究了基片温度对薄膜微结构及光学特性的影响。随着基片温度的升高,薄膜的厚度减小,结晶质量得到提升,并朝着(111)方向择优生长。受量子限域效应的... 采用脉冲激光沉积技术在石英基片上制备了ZnS:Co薄膜,改变制备过程中石英基片的温度TS,研究了基片温度对薄膜微结构及光学特性的影响。随着基片温度的升高,薄膜的厚度减小,结晶质量得到提升,并朝着(111)方向择优生长。受量子限域效应的影响,薄膜的光学带隙在基片温度为TS=25℃时最大为3.83 eV,光学带隙先随基片温度增大而减小,并在基片温度为400℃时取得最小值3.5 eV,此后随基片温度增大而增大。此外,薄膜的折射率、消光系数、介电系数等光学参数随基片温度升高均有增大趋势。实验表明在基片温度达到400℃以上时,可以获得综合性能较好的微晶薄膜。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 硫化锌掺钴 薄膜 基片温度
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脉冲激光沉积技术制备超导薄膜的研究进展
7
作者 林泽丰 孙伟轩 +10 位作者 刘天想 涂思佳 倪壮 柏欣博 赵展艺 张济全 陈赋聪 胡卫 冯中沛 袁洁 金魁 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1036-1051,共16页
超导薄膜不仅在超导应用方面扮演着举足轻重的角色,而且是超导机理研究的良好载体,是连接超导应用和机理的桥梁。脉冲激光沉积(PLD)是最常用的超导薄膜制备技术之一。本文综述了PLD技术制备铜氧化物、铁基、氮化物、钛氧化物等超导薄膜... 超导薄膜不仅在超导应用方面扮演着举足轻重的角色,而且是超导机理研究的良好载体,是连接超导应用和机理的桥梁。脉冲激光沉积(PLD)是最常用的超导薄膜制备技术之一。本文综述了PLD技术制备铜氧化物、铁基、氮化物、钛氧化物等超导薄膜的研究进展,并介绍了与高温超导薄膜应用相关的两种PLD新技术:超导带材和大面积薄膜制备。最后,本文介绍了基于材料基因工程的高通量组合薄膜技术在高温超导研究上的典型成功案例。继续发展和使用该实验技术,构建与高温超导相关的高维相图和定量规律,有望实现机理研究实验上从量变到质变的全面突破。 展开更多
关键词 超导薄膜 脉冲激光沉积 超导机理 超导应用 高温超导 高通量组合薄膜
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压强对脉冲激光沉积ZnSe:Co薄膜性质的影响研究
8
作者 李树锋 王丽 高东文 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第12期1041-1047,共7页
采用脉冲激光沉积技术在真空腔中制备了ZnSe:Co薄膜。研究了沉积压强对等离子体羽辉传播、薄膜表面形貌,微结构以及光学性质的影响。结果表明,随着压强的增大,等离子体羽辉在空间的传播距离减小,薄膜沉积方式由溅射式沉积转变为吸附式沉... 采用脉冲激光沉积技术在真空腔中制备了ZnSe:Co薄膜。研究了沉积压强对等离子体羽辉传播、薄膜表面形貌,微结构以及光学性质的影响。结果表明,随着压强的增大,等离子体羽辉在空间的传播距离减小,薄膜沉积方式由溅射式沉积转变为吸附式沉积,薄膜的结晶质量得到大幅提升。此外,薄膜的光学带隙随压强的增大而减小,低压条件下制备的薄膜具有较大的带隙值,这与量子限域效应有关。当压强增大到10 Pa时,得到了沿(111)方向择优生长且结晶质量优秀的微晶薄膜。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 硒化锌掺钴 薄膜 压强
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氧气压强对脉冲激光沉积法制备的CuO薄膜性能的影响
9
作者 向玉春 朱建雷 袁亚 《真空》 CAS 2023年第3期42-45,共4页
采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上沉积CuO薄膜,研究了氧气压强对CuO薄膜结构和光学、电学性能的影响。结果表明:在氧压为3×10^(-3)Pa,3~5Pa,和8~12Pa时,沉积的薄膜分别为单一Cu_(2)O相、混合Cu_(2)O/CuO相和单一CuO相;当氧压从... 采用脉冲激光沉积法(PLD)在玻璃衬底上沉积CuO薄膜,研究了氧气压强对CuO薄膜结构和光学、电学性能的影响。结果表明:在氧压为3×10^(-3)Pa,3~5Pa,和8~12Pa时,沉积的薄膜分别为单一Cu_(2)O相、混合Cu_(2)O/CuO相和单一CuO相;当氧压从5Pa增加到8Pa时,CuO薄膜的取向从(111)变化到(002);霍尔测试表明,在3~5Pa下沉积的CuO薄膜为p型,而在8~12Pa下沉积的薄膜为n型;氧气压强为5Pa时,薄膜电阻率较小,载流子浓度最大。 展开更多
关键词 氧化铜薄膜 半导体 脉冲激光沉积法 电学性能 光学性能
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脉冲激光沉积镀膜实验虚拟仿真教学的设计与实践 被引量：1
10
作者 郭纪源 厉淑贞 +2 位作者 韩汝取 万佳 王芳 《实验科学与技术》 2023年第3期77-81,107,共6页
薄膜制备是“实施好产业基础再造工程,打牢基础零部件”的重要基础工艺。但因薄膜制备技术存在的先进性和复杂性,给该技术的实验教学带来困扰。该文针对这一难题,采用虚拟仿真技术,创设教学情境、融入教学氛围、兼顾实验开放共享,结合... 薄膜制备是“实施好产业基础再造工程,打牢基础零部件”的重要基础工艺。但因薄膜制备技术存在的先进性和复杂性,给该技术的实验教学带来困扰。该文针对这一难题,采用虚拟仿真技术,创设教学情境、融入教学氛围、兼顾实验开放共享,结合“能实不虚、虚实结合、优化资源和规范流程”的原则,设计了脉冲激光沉积镀膜虚拟实验系统。该系统注重培养学生的自主学习能力,培养学生养成源头控制、过程管理和末端处理的工程实践能力。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积镀膜实验 虚拟仿真技术 薄膜制备 自主学习
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脉冲激光沉积薄膜技术研究新进展 被引量：31
11
作者 敖育红 胡少六 +2 位作者 龙华 徐业斌 王又青 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期453-456,459,共5页
脉冲激光沉积薄膜是近年来发展起来的使用范围最广、最有希望的制膜技术。陈述了其原理、特点、研究方法 ,总结了超快脉冲激光、脉冲激光真空弧。
关键词 超快脉冲激光沉积 双光束脉冲激光沉积 脉冲激光真空弧薄膜制备 薄膜技术
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脉冲激光沉积技术及其应用 被引量：25
12
作者 陈传忠 包全合 +1 位作者 姚书山 雷廷权 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期443-446,共4页
薄膜材料已在微电子元件、超导材料、生物材料等方面得到广泛应用 ,为了得到高质量的薄膜材料 ,脉冲激光沉积技术受到了广泛的关注。介绍了脉冲激光沉积技术的原理、特点 ,综述了其在制备半导体、高温超导、类金刚石、铁电、生物陶瓷薄... 薄膜材料已在微电子元件、超导材料、生物材料等方面得到广泛应用 ,为了得到高质量的薄膜材料 ,脉冲激光沉积技术受到了广泛的关注。介绍了脉冲激光沉积技术的原理、特点 ,综述了其在制备半导体、高温超导、类金刚石、铁电、生物陶瓷薄膜等方面的应用和研究现状 。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 薄膜 应用 研究现状
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脉冲激光沉积(PLD)法生长高质量ZnO薄膜及其发光性能 被引量：13
13
作者 边继明 杜国同 +2 位作者 胡礼中 李效民 赵俊亮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期958-962,共5页
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌。优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底... 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌。优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀。室温光致发光(PL)谱分析结果表明,随着薄膜生长时O2分压的增大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰之比显著增强,表明薄膜的结晶性能和化学计量比都有了很大的改善。O2分压为20Pa时所生长的ZnO薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 脉冲激光沉积 光致发光
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脉冲激光沉积法(PLD)生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能 被引量：9
14
作者 叶志高 朱丽萍 +3 位作者 彭英姿 叶志镇 何海平 赵炳辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期486-490,共5页
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结... 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中。霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7cm2/V·s以上。实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性。 展开更多
关键词 氧化锌 磁性 CO掺杂 脉冲激光沉积
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脉冲激光沉积La_(1/3)(Ca_(2/3)Sr_(1/3))_(2/3)MnO_3薄膜结构及输运特性的研究 被引量：8
15
作者 王永仓 陈长乐 +3 位作者 高国棉 陈钊 李润玲 宋宙模 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1854-1856,共3页
采用PLD法在LaAlO_3(012)单晶衬底上外延生长了高、双掺杂La_(1／3)(Ca_(2／3)Sr_(1／3))(2／3)MnO_3(LCSMO)薄膜。薄膜的X射线衍射谱表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且具有(012)方向的择优取向；用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了... 采用PLD法在LaAlO_3(012)单晶衬底上外延生长了高、双掺杂La_(1／3)(Ca_(2／3)Sr_(1／3))(2／3)MnO_3(LCSMO)薄膜。薄膜的X射线衍射谱表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且具有(012)方向的择优取向；用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面相对比较平坦；在密封的液氮杜瓦瓶里用四探针法对薄膜的输运特性进行了测试,电阻-温度试验曲线表明,在温度77K～400K的范围内薄膜呈现类半导体特性,没有金属-绝缘体转变温度(T_(Ml))出现；薄膜的红外透射谱在606cm^(-1)处有一个很强的吸收峰,由红外透射谱计算出光学能隙E_(opt)大约为0.7eV,薄膜的光学折射率为1.373。分析认为LCSMO薄膜的类半导体特性是由于A离子半径变化引起晶格畸变造成的。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(PLD) LCSMO薄膜 钙钛矿结构
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脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜 被引量：9
16
作者 黄继颇 王连卫 +2 位作者 祝向荣 多新中 林成鲁 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第5期387-389,419,共4页
ｃ轴取向的ＡｌＮ 具有优异的压电性和声表面波传输特性，已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用ＫｒＦ脉冲准分子激光沉积工艺，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备了ｃ轴取向的ＡｌＮ晶态薄膜。Ｘ射线衍射与傅里叶变换红外光谱的... ｃ轴取向的ＡｌＮ 具有优异的压电性和声表面波传输特性，已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用ＫｒＦ脉冲准分子激光沉积工艺，在Ｓｉ（１００）衬底上成功地制备了ｃ轴取向的ＡｌＮ晶态薄膜。Ｘ射线衍射与傅里叶变换红外光谱的结果表明，在３００ °Ｃ～８００ °Ｃ衬底温度下，薄膜均只有（００２）一个衍射峰，但随着温度的升高，薄膜的结晶质量变好；原子力显微镜对８００ °Ｃ沉积薄膜观察结果显示，薄膜具有高度一致的柱状结构，平均晶粒大小为２５０ ｎｍ 。 展开更多
关键词 氮化铝 脉冲激光沉积 压电性 半导体薄膜技术
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氧气流量对脉冲激光沉积ZnO薄膜的形貌及光学性质影响 被引量：7
17
作者 曹培江 林传强 +5 位作者 曾玉祥 柳文军 贾芳 朱德亮 马晓翠 吕有明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期239-242,共4页
使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶Si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量50sccm时制备的ZnO薄膜具有较好的结晶质量、较高的光学透过率(≥80%)、较高的氧含量(... 使用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英(SiO2)和单晶Si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量50sccm时制备的ZnO薄膜具有较好的结晶质量、较高的光学透过率(≥80%)、较高的氧含量(～40.71%)、较快的生长速率(～252nm/h)和较好的发光特性:450～580nm附近发射峰最弱,同时～378nm附近的紫外发光峰最强,表明薄膜材料中含有较少的氧空位等缺陷。 展开更多
关键词 氧气流量 脉冲激光沉积 ZNO薄膜
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脉冲激光沉积(PLD)的研究动态与新发展 被引量：5
18
作者 高国棉 陈长乐 +4 位作者 陈钊 李谭 王永仓 金克新 赵省贵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期69-71,共3页
介绍了脉冲激光沉积薄膜技术的原理、特点,详细探讨了脉冲激光沉积的研究动态和发展趋势。大量研究表明,PLD 技术是目前制备薄膜的最好方法之一。
关键词 PLD 脉冲激光沉积 薄膜技术 原理 研究动态 新发展
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脉冲激光沉积法沉积类金刚石薄膜的实验研究 被引量：6
19
作者 罗乐 赵读亮 +3 位作者 储雅琼 汪毅 马跃 陶汝华 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期759-763,共5页
为了研究脉冲激光沉积法中衬底温度和距离对类金刚石薄膜的影响,首先温度保持在200℃,靶和衬底间的距离分别取25.0 mm和30.0 mm来沉积类金刚石膜。其次温度保持在400℃,距离分别取25.0 mm和30.0 mm来沉积类金刚石膜。用Raman光谱仪对薄... 为了研究脉冲激光沉积法中衬底温度和距离对类金刚石薄膜的影响,首先温度保持在200℃,靶和衬底间的距离分别取25.0 mm和30.0 mm来沉积类金刚石膜。其次温度保持在400℃,距离分别取25.0 mm和30.0 mm来沉积类金刚石膜。用Raman光谱仪对薄膜的微观结构进行检测,用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行检测。实验结果表明:距离增加或者温度升高都会导致类金刚石薄膜的密度和sp^3/sp^2的比值减小,薄膜中石墨晶粒的数量增多和体积增大。近距离时温度的变化和低温时距离的变化对薄膜微观结构产生的影响更明显。距离和温度的变化对类金刚石薄膜的表面形貌也产生显著的影响。 展开更多
关键词 激光技术 脉冲激光沉积法 类金刚石薄膜 微观结构 表面形貌
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脉冲激光沉积(La(0．2)Bi(0．8)FeO3)(0．8)-(NiFe2O4)(0．2)薄膜及其多铁性能研究 被引量：5
20
作者 李享成 杨光 +4 位作者 戴能利 陈爱平 龙华 姚凯伦 陆培祥 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期897-901,共5页
采用脉冲激光沉积法,在(100)SrTiO_3基底上,制备了(La_(0.2)Bi_(0.8)FeO_3)_(0.8)-(NiFe_2O_4)_(0.2)(LBFO-NFO)多铁薄膜,通过X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜确定了LBFO-NFO多铁薄膜的显微结构,通过标准铁电测试系统(RT-66A)和振动... 采用脉冲激光沉积法,在(100)SrTiO_3基底上,制备了(La_(0.2)Bi_(0.8)FeO_3)_(0.8)-(NiFe_2O_4)_(0.2)(LBFO-NFO)多铁薄膜,通过X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜确定了LBFO-NFO多铁薄膜的显微结构,通过标准铁电测试系统(RT-66A)和振动样品磁强计(VSM)分别测试了LBFO-NFO多铁薄膜的铁电性能和铁磁性能.研究发现:多铁薄膜中LBFO和NFO二相均沿(100)方向外延生长,晶粒尺寸在100～150nm之间;薄膜具有明显的电滞回线(P_=7.6μC/cm^2)和磁滞回线(M_s=4.12×10~4A/m),显示出明显的铁电铁磁共存特性.通过对薄膜生长条件的控制,可削除杂质相,减小LBFO-NFO薄膜的漏电流,提高铁电及铁磁性能. 展开更多
关键词 多铁薄膜 外延生长 脉冲激光沉积 漏电流
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