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基于双曲函数的通用型荷控忆阻器电路等效模型分析 被引量:2
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作者 孙军伟 杨建领 +1 位作者 刘鹏 王延峰 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第2期725-733,共9页
目前,忆阻器模拟器的研究主要集中在磁控忆阻器,对荷控忆阻器模拟器的研究不多,双曲函数型的荷控忆阻器模拟器也很少涉及。因此,该文提出一种基于双曲函数的通用型荷控忆阻器模拟器。模拟器通过电压-电流的相互转换电路,实现电路中电压... 目前,忆阻器模拟器的研究主要集中在磁控忆阻器,对荷控忆阻器模拟器的研究不多,双曲函数型的荷控忆阻器模拟器也很少涉及。因此,该文提出一种基于双曲函数的通用型荷控忆阻器模拟器。模拟器通过电压-电流的相互转换电路,实现电路中电压和电流信号之间的相互转换,再通过电路中对应的电路模块对产生的信号进行计算,最终得到通用型双曲荷控忆阻器模型。模拟器能够实现双曲正弦、双曲余弦以及双曲正切函数对应的荷控忆阻器模型。通用型双曲函数荷控忆阻器模拟器对应的等效电路,主要由运算放大器、电阻、电容、三极管等基本元件组成。分析模拟器在不同幅值以及不同频率的输入信号下的伏安特性曲线,得出荷控忆阻器模拟器符合记忆元件的基本特性。该文提出的通用型双曲函数荷控忆阻器模型,对忆阻器模型的发展具有一定的参考意义。 展开更多
关键词 荷控忆阻器 电路模型 双曲函数 伏安特性曲线
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基于荷控忆阻器的蔡氏对偶混沌电路分析 被引量:2
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作者 王廷江 《西南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期144-149,共6页
在现有磁控型忆阻器蔡氏混沌电路研究基础上,用荷控型忆阻器构建了与磁控忆阻器的蔡氏电路成对偶关系的新超混沌系统.动力学研究发现,该系统与磁控型忆阻器蔡氏电路具有一些共性,如平衡点仍是一系列点集,动力学行为除了与电路参数有关外... 在现有磁控型忆阻器蔡氏混沌电路研究基础上,用荷控型忆阻器构建了与磁控忆阻器的蔡氏电路成对偶关系的新超混沌系统.动力学研究发现,该系统与磁控型忆阻器蔡氏电路具有一些共性,如平衡点仍是一系列点集,动力学行为除了与电路参数有关外,还极端依赖于电路初始条件,仍存在瞬态混沌和状态转移等奇异非线性现象.还发现一些新特征:在确定电路参数下改变初始值,所出现混沌普遍具有暂态性,最终将演化为稳定周期运动状态;当初始值靠近平衡点的稳定区,系统却呈现截然不同的两种状态. 展开更多
关键词 荷控忆阻器 对偶电路 暂态混沌
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含两个荷控忆阻器的五阶混沌电路研究 被引量:3
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作者 王维 陈争 +1 位作者 李鑫 曾以成 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第7期91-97,共7页
忆阻器作为一种具有记忆功能的新型非线性元件,被广泛应用于非线性电路系统设计中。利用两个基于荷控光滑模型的忆阻器以及采用常见的线性电子元件电感、电容、负电阻等设计了一种新的五阶混沌振荡电路。采用常规的系统动力学分析方法,... 忆阻器作为一种具有记忆功能的新型非线性元件,被广泛应用于非线性电路系统设计中。利用两个基于荷控光滑模型的忆阻器以及采用常见的线性电子元件电感、电容、负电阻等设计了一种新的五阶混沌振荡电路。采用常规的系统动力学分析方法,分析了系统平衡点稳定性、相图、李雅普诺夫指数谱和分叉图,研究了系统随电路参数和荷控忆阻器初始状态变量变化的非线性动力学特性。Matlab数值仿真结果验证了理论分析的正确性。 展开更多
关键词 混沌电路 相图 动力学 荷控忆阻器 非线性系统 数值仿真
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一种镜像电流源荷控忆阻器及其Lorenz混沌电路研究
4
作者 代云中 庄圣贤 李美容 《电子制作》 2022年第22期20-26,共7页
针对现有运放忆阻器存在积分漂移的缺陷,本文首先提出了一种基于镜像电流源的新型荷控忆阻器。然后,将新型荷控忆阻器与电感串联,再与Lorenz电路中的电容并联构成一种含荷控忆阻Lorenz (Lorenz with Charge-Controlled Memristor, Loren... 针对现有运放忆阻器存在积分漂移的缺陷,本文首先提出了一种基于镜像电流源的新型荷控忆阻器。然后,将新型荷控忆阻器与电感串联,再与Lorenz电路中的电容并联构成一种含荷控忆阻Lorenz (Lorenz with Charge-Controlled Memristor, Lorenz-CCM)混沌系统。接着,通过分岔图、Lyapunov指数和时域图对提出的Lorenz-CCM系统的动力学行为进行了数值仿真,结果表明Lorenz-CCM系统动力学行为不仅与电路参数有关,对电路初始状态的敏感性,且存在瞬态混沌现象。最后通过搭建硬件实验系统验证了Lorenz-CCM混沌系统理论演绎与电路设计的正确性。 展开更多
关键词 镜像电流源 荷控忆阻器 Lorenz-CCM混沌电路 瞬态混沌
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基于荷控忆阻器的四阶混沌电路
5
作者 王欢欢 《电子质量》 2015年第5期69-72,75,共5页
近年来,基于忆阻器的混沌电路受到国内外学者的广泛关注。然而现阶段的研究,大都采用通过磁控忆阻器和负电导并联构成的有源忆阻器替代蔡氏电路中蔡氏二极管的方法。而采用荷控忆阻器的混沌电路大都同时使用荷控忆阻器与磁控忆阻器构成... 近年来,基于忆阻器的混沌电路受到国内外学者的广泛关注。然而现阶段的研究,大都采用通过磁控忆阻器和负电导并联构成的有源忆阻器替代蔡氏电路中蔡氏二极管的方法。而采用荷控忆阻器的混沌电路大都同时使用荷控忆阻器与磁控忆阻器构成的五阶双忆阻器混沌电路。该文在蔡氏电路的基础上,采用荷控忆阻器与电感串联的形式构造了一个新的四阶忆阻混沌电路,并提出改进的忆阻器非线性特性曲线,通过数值仿真的方法进行了验证。最后,对这个新的四阶忆阻混沌电路进行动力学特性分析,主要通过李雅普诺夫指数和吸引子在相平面的投影。 展开更多
关键词 混沌电路 荷控忆阻器 动力学分析
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荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性分析
6
作者 程晓东 姜竹楠 《电子测试》 2020年第17期58-60,共3页
荷孔忆阻器是一种具有记忆功能的二端式电路元件,按照Φ-q关系式与泰勒级数模式所构建的荷控忆阻器等效电路分析模型,对三次非线性荷控忆阻器模型进行深入探究分析,面向基于不同参数条件的荷控忆阻器特性开展研究,即是否有源性以及伏安... 荷孔忆阻器是一种具有记忆功能的二端式电路元件,按照Φ-q关系式与泰勒级数模式所构建的荷控忆阻器等效电路分析模型,对三次非线性荷控忆阻器模型进行深入探究分析,面向基于不同参数条件的荷控忆阻器特性开展研究,即是否有源性以及伏安关系等等。经过分析可以得出,忆阻器伏安关系拥有斜体8字形紧磁滞的回线特点,随着参数符号改变,荷控忆阻器同样会于有源性与无源性间实时转换,使得电路特性也随之变化。相比无源性荷控忆阻器,有源性荷控忆阻器更加适用于二次谐波信号。 展开更多
关键词 等效电路 模型 荷控忆阻器 电路特性
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荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究 被引量:15
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作者 胡丰伟 包伯成 +1 位作者 武花干 王春丽 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第21期396-403,共8页
忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件.根据-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型,以三次非线性荷控忆阻器模型为例,对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析.... 忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件.根据-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型,以三次非线性荷控忆阻器模型为例,对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析.结果表明:荷控忆阻器的伏安关系具有斜体"8"字形紧磁滞回线特性,随其参数符号的不同,荷控忆阻器呈现出无源性和有源性,导致其电路特性发生相应的变化;相比无源荷控忆阻器,有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用.制作了荷控忆阻器特性分析等效电路的实验电路,实验测量结果很好地验证了理论分析结果. 展开更多
关键词 荷控忆阻器 等效电路 伏安关系 电路特性
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基于蔡氏电路的荷控忆阻混沌电路设计与实现
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作者 王兆壮 陈恒 +2 位作者 郭栋 陈文博 马书轶 《无线互联科技》 2021年第17期52-53,共2页
忆阻器是一种具有阻值记忆的新型电子器件,具有无源记忆与非线性的特点。为了研究荷控忆阻器的混沌特性,文章在蔡氏电路的基础上对电路进行改进,得到了一个基于忆阻器的混沌系统。使用Matlab对系统的时域信号、动力学特性以及平衡点集... 忆阻器是一种具有阻值记忆的新型电子器件,具有无源记忆与非线性的特点。为了研究荷控忆阻器的混沌特性,文章在蔡氏电路的基础上对电路进行改进,得到了一个基于忆阻器的混沌系统。使用Matlab对系统的时域信号、动力学特性以及平衡点集进行理论分析与求证,经过对分岔图和Lyapunov Exponent的分析,得出此系统存在着周期特性以及混沌特性。 展开更多
关键词 混沌系统 共存
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忆阻器混沌电路产生的共存吸引子与Hopf分岔 被引量:8
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作者 王伟 曾以成 +1 位作者 陈争 孙睿婷 《计算物理》 CSCD 北大核心 2017年第6期747-756,共10页
利用荷控忆阻器和一个电感串联设计一种新型浮地忆阻混沌电路.用常规动力学分析方法研究该系统的基本动力学特性,发现系统可以产生一对关于原点对称的"心"型吸引子.将观察混沌吸引子时关注的电压、电流推广到功率和能量信号,... 利用荷控忆阻器和一个电感串联设计一种新型浮地忆阻混沌电路.用常规动力学分析方法研究该系统的基本动力学特性,发现系统可以产生一对关于原点对称的"心"型吸引子.将观察混沌吸引子时关注的电压、电流推广到功率和能量信号,观察到蝴蝶结型奇怪吸引子的产生.理论分析Hopf分岔行为并通过数值仿真进行验证,结果表明系统随电路参数变化能产生Hopf分岔、反倍周期分岔两种分岔行为.相对于其它忆阻混沌电路该电路采用的是一个浮地型忆阻器,并且在初始状态改变时,能产生共存吸引子和混沌吸引子与周期极限环共存现象. 展开更多
关键词 荷控忆阻器 混沌电路 动力学 HOPF分岔 共存吸引子
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基于双忆阻混沌电路的分析及应用 被引量:3
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作者 袁延超 袁方 李玉霞 《山东科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第6期85-97,共13页
设计了一个磁控忆阻器仿真器和一个有源荷控忆阻器仿真器,并基于这两种忆阻器设计了一个新的五维混沌电路系统。对系统进行动力学特性分析,包括平衡点集的求解、稳定性、分岔图、Lyapunov指数谱、共存分岔及多稳定性。结果表明,当参数... 设计了一个磁控忆阻器仿真器和一个有源荷控忆阻器仿真器,并基于这两种忆阻器设计了一个新的五维混沌电路系统。对系统进行动力学特性分析,包括平衡点集的求解、稳定性、分岔图、Lyapunov指数谱、共存分岔及多稳定性。结果表明,当参数变化时,系统存在单周期、倍周期及混沌态。特别地,当取不同的初值时,系统出现共存混沌吸引子、共存倍周期和共存单周期的现象。通过分析随初值变化的Lyapunov指数谱与分岔图,表明系统具有多稳定性。对混沌电路进行Multisim电路仿真,仿真结果与Matlab数值仿真一致。此外,用实际器件搭建了硬件电路,该电路结构简单、易于制作,实验结果验证了数值仿真与电路仿真的正确性。最后,基于双忆阻混沌硬件电路实现,设计了一个随机信号发生器。该系统具有良好的初值灵敏性,可以与加密算法相结合,应用在信息加密和保密通信领域。 展开更多
关键词 荷控忆阻器 Multisim电路仿真 硬件电路 随机信号发生
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含两个忆阻器的隐藏吸引子及其Hamilton能量控制
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作者 慕娜娜 安新磊 续浩南 《山东大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2019年第9期91-97,共7页
以Kirchhoff定律为理论基础,设计含磁控、荷控两种忆阻器的非线性电路模型。分析系统的平衡点特性时,发现此忆阻系统存在隐藏吸引子,通过仿真关于参数的分岔图、相轨迹、Poincaré映射图,发现其具有丰富的动力学特性,比如,存在混沌... 以Kirchhoff定律为理论基础,设计含磁控、荷控两种忆阻器的非线性电路模型。分析系统的平衡点特性时,发现此忆阻系统存在隐藏吸引子,通过仿真关于参数的分岔图、相轨迹、Poincaré映射图,发现其具有丰富的动力学特性,比如,存在混沌、超混沌、暂态混沌、周期等非线性现象。根据Helmholtz定理计算得出此忆阻系统的Hamilton能量函数,讨论了系统的电容在充放电过程中电流随时间变化时与产生的能量变化关系并提出新的Hamilton能量控制法,通过选择不同的控制参数将忆阻系统的控制到期望的状态。 展开更多
关键词 荷控忆阻器 Helmholtz定理 Hamilton能量 Hamilton能量制法
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