用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性 被引量：4

1

作者 陈蒲生 冯文修 +4 位作者 王川 王锋 刘小阳 田万廷 曾绍鸿 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期776-781,共6页

研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄... 研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化PECVD工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论． 展开更多

关键词 薄介质栅 薄膜晶体管 PECVD法 半导体薄膜技术

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TDDB击穿特性评估薄介质层质量 被引量：8

2

作者 胡恒升 张敏 林立谨 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期80-83,74,共5页

与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临界平均值 ρbd时 ,发生击穿 .击穿电量Qbd值表征了介质层的质... 与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临界平均值 ρbd时 ,发生击穿 .击穿电量Qbd值表征了介质层的质量 .Qbd值及其失效统计分布与测试电流密度、电场强度、温度及氧化层面积等有定量关系 .TDDB的早期失效分布可以反映工艺引入的缺陷 .TDDB可以直接评估氧化、氮化、清洗、刻蚀等工艺对厚度小于 10nm的栅介质质量的影响 .它是硅片级评估可靠性和预测EEPROM擦写次数的重要方法 . 展开更多

关键词 薄介质层 VLSI 集成电路 TDDB 击穿特性

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DLTS技术研究富氮SiO_xN_y薄介质膜的电学特性 被引量：2

3

作者 章晓文 陈蒲生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期20-23,28,共5页

采用深能级瞬态谱技术 （ＤＬＴＳ）， 测试了等离子体增强化学汽相淀积 （ＰＥＣＶＤ） 法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ 栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系），结果表明，采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工... 采用深能级瞬态谱技术 （ＤＬＴＳ）， 测试了等离子体增强化学汽相淀积 （ＰＥＣＶＤ） 法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ 栅介质膜的电学特性（界面态密度、俘获截面随禁带中能量的变化关系），结果表明，采用合适的ＰＥＣＶＤ低温工艺淀积ＳｉＯｘＮｙ 展开更多

关键词 电学特性 SiOxNy薄介质膜 DLTS PECVD

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厚铜电源板的薄介质技术 被引量：3

4

作者 曾福林 安维 李冀星 《电子工艺技术》 2022年第2期116-119,共4页

电源板由于载电流及耐电压的需求,对铜厚及介质层厚度都有着特殊的要求。随着电源产品大功率和小型化方向的发展,要求电源PCB的板厚要尽量小。重点研究了厚铜电源板薄介质的技术可行性,对厚铜板的设计选型具有重要指导意义。

关键词 PCB 厚铜 薄介质

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极化强度变化时薄介质园盘产生的电磁场

5

作者 柳福柱 王丽君 张柏英 《松辽学刊（自然科学版）》 1994年第3期72-75,共4页

本文根据任意介质中电磁场的Ｍａｘｗｅｌｌ方程解，求出了薄园盘介质在Ｐ不断改变情况下在远处所产生的电磁场．这种典型的计算方法，对于解决实际问题具有指导意义．

关键词 薄介质圆盘 极化强度 电磁场

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双面蚀刻薄介质材料埋容芯板可行性研究 被引量：2

6

作者 范海霞 王守绪 +4 位作者 何为 董颖韬 胡新星 苏新虹 刘丰 《印制电路信息》 2013年第5期76-79,共4页

用蚀刻薄膜材料法制作埋嵌式电容,其电容介质材料较薄,常用的电容介质材料厚度在8 m～50 m之间,因此在制作电容层图形时,容易出现皱折、破损的情况。目前可行的方法是用单面蚀刻法制作电容层图形。探讨运用双面蚀刻法制作电容层图形对... 用蚀刻薄膜材料法制作埋嵌式电容,其电容介质材料较薄,常用的电容介质材料厚度在8 m～50 m之间,因此在制作电容层图形时,容易出现皱折、破损的情况。目前可行的方法是用单面蚀刻法制作电容层图形。探讨运用双面蚀刻法制作电容层图形对电容值精度的影响及其可行性分析。 展开更多

关键词 埋嵌电容 薄介质 双面蚀刻

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非线性薄介质中的激光相移研究

7

作者 陈丽敏 杨少辰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期27-29,共3页

应用克尔介质中的动力学方程，根据薄介质近似，分别研究了三种情况下激光穿过薄介质后的相移。尤其研究了考虑非线性吸收和折射情况下，用求解贝努里方程的方法研究非线性相移的结果，该方法与以往的幂级数方法相比，具有数学模型直观... 应用克尔介质中的动力学方程，根据薄介质近似，分别研究了三种情况下激光穿过薄介质后的相移。尤其研究了考虑非线性吸收和折射情况下，用求解贝努里方程的方法研究非线性相移的结果，该方法与以往的幂级数方法相比，具有数学模型直观，物理意义清晰，求解过程简便的特点。 展开更多

关键词 非线性薄介质 吸收 折射 激光物理 激光相移

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PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

8

作者 陈蒲生 刘剑 +1 位作者 张昊 冯文修 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期71-75,共5页

对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室... 对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件。 展开更多

关键词 PECVD 等离子体增强化学汽相淀积 薄介质膜 击穿机理 电学性能

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制备工艺对薄介质MLCC介电强度的影响 被引量：5

9

作者 陆亨 《电子工艺技术》 2022年第1期26-28,35,共4页

为了满足电子设备对高容量高耐电压多层陶瓷电容器(MLCC)的要求,采用温度补偿型介质瓷粉匹配镍内电极浆料制备薄介质MLCC。研究了预烧工艺和生倒工艺对薄介质MLCC的介电强度的影响。结果发现:预烧可以减少生坯芯片中的残留碳,从而改善... 为了满足电子设备对高容量高耐电压多层陶瓷电容器(MLCC)的要求,采用温度补偿型介质瓷粉匹配镍内电极浆料制备薄介质MLCC。研究了预烧工艺和生倒工艺对薄介质MLCC的介电强度的影响。结果发现:预烧可以减少生坯芯片中的残留碳,从而改善介质致密性和电极连续性,有效提高薄介质MLCC的介电强度。设置合适的加湿气氛和预烧温度,才能将残留碳量降低到符合要求的范围。生倒将生坯芯片的圆角半径控制为105~143μm,可以防止陶瓷芯片损伤和镀液渗入,提高薄介质MLCC的击穿电压值。 展开更多

关键词 多层陶瓷电容器 薄介质 介电强度 击穿电压 预烧 碳残留 生倒

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军用薄介质多层陶瓷电容器保证技术研究 被引量：2

10

作者 焦强 王敬贤 +2 位作者 芮二明 田雨 韩福禹 《质量与可靠性》 2022年第4期54-58,共5页

随着欧美国家技术的成熟,薄介质多层陶瓷电容器(MLCC)已经在宇航和武器装备上广泛应用。随着薄介质MLCC的不断减薄,其应对电应力、热应力和机械应力的可靠性风险不断提升,并出现了新的失效模式。因此,传统的厚介质MLCC的考核已不适用薄... 随着欧美国家技术的成熟,薄介质多层陶瓷电容器(MLCC)已经在宇航和武器装备上广泛应用。随着薄介质MLCC的不断减薄,其应对电应力、热应力和机械应力的可靠性风险不断提升,并出现了新的失效模式。因此,传统的厚介质MLCC的考核已不适用薄介质MLCC。在分析MIL-PRF-123D、 MIL-PRF-55681G、 MIL-PRF-32535A等标准要求和考核试验的基础上,总结了厚介质和薄介质电容器考核要求的差异性,提出了建立薄介质MLCC军用通用规范的必要性和可行性,以便保证薄介质MLCC的高可靠应用,确保宇航和武器装备的高可靠性。 展开更多

关键词 电容器 薄介质 可靠性 保证

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含N薄栅介质的电离辐照及退火特性 被引量：9

11

作者 张国强 陆妩 +3 位作者 余学锋 郭旗 任迪远 严荣良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期437-440,共4页

对含Ｎ薄栅ＭＯＳ电容进行了６０Ｃｏγ辐照和１００℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中Ｎ的引入，能明显抑制辐射感生Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，减少初始固定正电荷和界面态，减小辐照后界面陷阱的退火速率．用一定模型... 对含Ｎ薄栅ＭＯＳ电容进行了６０Ｃｏγ辐照和１００℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中Ｎ的引入，能明显抑制辐射感生Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，减少初始固定正电荷和界面态，减小辐照后界面陷阱的退火速率．用一定模型解释了实验结果． 展开更多

关键词 MOS器件 电离辐照 N薄栅介质 退火

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薄层状介质中反射地震超前探测的特性分析 被引量：19

12

作者 胡运兵 吴燕清 宋劲 《河南理工大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第6期469-473,共5页

南方煤矿薄层状介质存在各向异性和横向各向同性并存的情况,其煤层的物性条件及其赋存情况的几何形态又有利于槽波的形成,且地层地质构造发育,瓦斯、水等灾害严重,这些特征造成了南方煤矿薄层状介质中反射地震超前探测技术的复杂性和特... 南方煤矿薄层状介质存在各向异性和横向各向同性并存的情况,其煤层的物性条件及其赋存情况的几何形态又有利于槽波的形成,且地层地质构造发育,瓦斯、水等灾害严重,这些特征造成了南方煤矿薄层状介质中反射地震超前探测技术的复杂性和特殊性.作者从薄层状介质模型出发,对地震波的传播特性及反射地震超前探测技术的特征进行分析认为:煤层近似于横向各向同性介质,因此反射地震超前探测的动态弹性常数反映的是前方介质的物理性质,在测线布置时应尽量布置在横向各向同性介质层中,而不能布置在两层不同的介质中,也不能布置在两层介质的交界面上;否则理论模型变得比较复杂,用数字描述的难度大,使资料解释的准确度和可信度降低. 展开更多

关键词 薄层状介质 超前探测 横向各向同性 南方地区

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薄栅介质TDDB效应 被引量：4

13

作者 刘红侠 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1592-1595,共4页

在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性 ,研究了 TDDB(Tim e Dependent DielectricBreakdown)的可靠性表征方法 .对相关击穿电荷量 QBD进行了实验测试和分析 .结果表明 :相关击穿电荷量 QBD除了与氧化层质量有关外 ,还与... 在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性 ,研究了 TDDB(Tim e Dependent DielectricBreakdown)的可靠性表征方法 .对相关击穿电荷量 QBD进行了实验测试和分析 .结果表明 :相关击穿电荷量 QBD除了与氧化层质量有关外 ,还与应力电压和应力电流密度以及栅氧化层面积有关 .对相关系数进行了拟合 ,给出了 QBD的解析表达式 .按照上述表达式外推的结果和实验值取得了很好的一致 .提出了薄栅介质 展开更多

关键词 TDDB效应 薄栅介质 集成电路

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氮化H_2-O_2合成薄栅介质的击穿特性

14

作者 刘运龙 刘新宇 +2 位作者 韩郑生 海潮和 钱鹤 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1207-1210,共4页

研究了 14～ 16nm的 H2 -O2 合成薄栅介质击穿特性 .实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性 .H2 -O2 合成法制备的样品 ,其击穿场强分布特性随测试 MOS电容面积的增加而变差 ,而氮化... 研究了 14～ 16nm的 H2 -O2 合成薄栅介质击穿特性 .实验发现 ,N2 O气氛氮化 H2 -O2 合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性 .H2 -O2 合成法制备的样品 ,其击穿场强分布特性随测试 MOS电容面积的增加而变差 ,而氮化 H2 -O2 合成薄栅介质的击穿特性随测试 MOS电容面积的增加基本保持不变 .对于时变击穿 。 展开更多

关键词 薄栅介质 氮化H2-03合成 零时间击穿 时变击穿 氮氧化栅 测试

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薄栅介质的电子俘获击穿机理及物理模型

15

作者 刘红侠 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期610-613,共4页

氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题．从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理，给出了相关的物理模型，同时指出了一些物理模型中存在的问题，为进一步研究氧化层的经时击穿机理及氧化层经时击穿可靠性的建模提... 氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题．从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理，给出了相关的物理模型，同时指出了一些物理模型中存在的问题，为进一步研究氧化层的经时击穿机理及氧化层经时击穿可靠性的建模提供了理论依据． 展开更多

关键词 电子陷阱 击穿机理 薄栅介质 物理模型 集成电路

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衬底热空穴导致的薄栅介质经时击穿的物理模型研究

16

作者 刘红侠 郝跃 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第7期982-986,共5页

该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步... 该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。 展开更多

关键词 衬底热空穴 薄栅介质 物理模型 薄栅氧化层 经时击穿

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薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析 被引量：1

17

作者 姚峰英 胡恒升 张敏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1522-1525,共4页

本文以高电场 ( >11 8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为 7 6、10 3、12 5、14 5nm薄氧化层的击穿统计特性 .实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时 ,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映... 本文以高电场 ( >11 8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为 7 6、10 3、12 5、14 5nm薄氧化层的击穿统计特性 .实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时 ,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映了栅介质层中带电陷阱的数量及其位置分布 ,可以表征栅介质层的质量和均匀性 .此外由Qbd和ΔVbd能够较合理地计算临界陷阱密度Nbd.实验结果表明本征击穿时Nbd与测试条件无关而随工艺和介质层厚度变化 .同样厚度时Nbd反映不同工艺生成的介质质量 .陷阱生成的随机性使Nbd随栅介质厚度减小而下降 .氧化层厚度约10nm时Nbd达到氧化层分子密度的 1%发生击穿 ( 10 2 0 cm-3) .Nbd的物理意义清楚 ,不象Qbd随测试应力条件变化 ,是薄栅介质层可靠性的较好的定量指标 . 展开更多

关键词 集成电路 薄栅介质 可靠性 缺陷统计分析

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薄层状介质中的AVO误差测量

18

作者 Swan.,HW 邵爱林 《石油物探快讯》 1991年第11期61-74,共14页

关键词 薄层状介质 AVO 误差 测量

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薄层状介质AVO测量的误差

19

作者 H. W. Swan 原余 《石油物探译丛》 1991年第5期1-14,共14页

引言自从当代Ostrander的经典文章发表以来(1984),人们一直把大量注意力放在作为碳氢化合物直接指示的泊松比使用上。一个反射面上泊松比值的变化直接影响到它的P波反射系数,而P波反射系数在叠前资料上是偏移距的函数,它可以展开成关于... 引言自从当代Ostrander的经典文章发表以来(1984),人们一直把大量注意力放在作为碳氢化合物直接指示的泊松比使用上。一个反射面上泊松比值的变化直接影响到它的P波反射系数,而P波反射系数在叠前资料上是偏移距的函数,它可以展开成关于入射角的幂级数。相对于包含有更多项的全Zoeppritz响应,这样的幂级数可以达到任意高的精度。在小于临界角时,通常只需二、三项就足够了。第一项系数称为零偏移距反射系数。 展开更多

关键词 薄层状介质 AVO 测量

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PECVD法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析 被引量：2

20

作者 陈蒲生 张昊 +3 位作者 冯文修 刘剑 刘小阳 王锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期73-76,共4页

采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。

关键词 PECVD法 SiOxNy薄介质膜 俄歇电子能谱 红外吸收光谱 微观组分 电学性能

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