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硅应力缓冲衬底上GaAs薄层转移探索
1
作者
孙钟林
耿卫东
陆靖谷
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第12期1244-1246,共3页
本文研究晶格失配较大的 - 族化合物向 Si基底转移薄层的技术 ,为此制备了 Si/ Si O2 / Si结构的应力缓冲衬底。利用智能切割 (smart- cut)技术制备薄层 Ga As并以低温 Si O2 层过渡与应力缓冲衬底相键合 ,达到 Ga As向 Si基底的转移...
本文研究晶格失配较大的 - 族化合物向 Si基底转移薄层的技术 ,为此制备了 Si/ Si O2 / Si结构的应力缓冲衬底。利用智能切割 (smart- cut)技术制备薄层 Ga As并以低温 Si O2 层过渡与应力缓冲衬底相键合 ,达到 Ga As向 Si基底的转移目的。并对结果进行了分析和讨论 ,认为该技术是可行的。同时特别强调了低温淀积 Si O2 层的完美性对最终转移的 Ga
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关键词
砷化镓
薄层转移
薄膜
硅应力
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职称材料
SOI技术的新进展
被引量：
9
2
作者
林成鲁
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期39-43,共5页
综述了SOI技术的发展历程,SOI的主流技术,SOI技术发展的新动向,SOI技术的应用进展,并介绍了上海微系统与信息技术研究所和上海新傲科技有限公司的SOI研发和产业化情况。
关键词
SOI技术
绝缘层上硅
离子注入
注氧隔离
薄层转移
硅集成电路
下载PDF
职称材料
题名
硅应力缓冲衬底上GaAs薄层转移探索
1
作者
孙钟林
耿卫东
陆靖谷
机构
南开大学光电子所
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第12期1244-1246,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目 (699760 15 )
文摘
本文研究晶格失配较大的 - 族化合物向 Si基底转移薄层的技术 ,为此制备了 Si/ Si O2 / Si结构的应力缓冲衬底。利用智能切割 (smart- cut)技术制备薄层 Ga As并以低温 Si O2 层过渡与应力缓冲衬底相键合 ,达到 Ga As向 Si基底的转移目的。并对结果进行了分析和讨论 ,认为该技术是可行的。同时特别强调了低温淀积 Si O2 层的完美性对最终转移的 Ga
关键词
砷化镓
薄层转移
薄膜
硅应力
Keywords
Arsenic
Cutting
Gallium
Silicon
Thin films
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SOI技术的新进展
被引量：
9
2
作者
林成鲁
机构
中科院上海微系统与信息技术研究所
上海新傲科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期39-43,共5页
文摘
综述了SOI技术的发展历程,SOI的主流技术,SOI技术发展的新动向,SOI技术的应用进展,并介绍了上海微系统与信息技术研究所和上海新傲科技有限公司的SOI研发和产业化情况。
关键词
SOI技术
绝缘层上硅
离子注入
注氧隔离
薄层转移
硅集成电路
Keywords
silicon-on-insulator
ion implantation
separation by implanted O+
layertransfer
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅应力缓冲衬底上GaAs薄层转移探索
孙钟林
耿卫东
陆靖谷
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
下载PDF
职称材料
2
SOI技术的新进展
林成鲁
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
9
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职称材料
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