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磁控溅射法制备的硫化镉缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能
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作者 陈玉飞 廖华 +2 位作者 周志能 赵永刚 王书荣 《云南师范大学学报(自然科学版)》 2024年第2期18-21,共4页
利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光... 利用磁控溅射法制备硫化镉薄膜,研究硫化镉薄膜作为缓冲层的铜锌锡硫薄膜太阳电池性能.进一步地,采用双功率溅射的方法,减轻溅射过程对吸收层的损伤,增加了铜锌锡硫薄膜太阳电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率,最终获得了光电转换效率为7.0%的铜锌锡硫薄膜太阳电池. 展开更多
关键词 铜锌锡硫薄膜太阳电池 硫化镉缓冲层 磁控溅射法 双功率溅射
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薄膜太阳电池技术发展趋势浅析 被引量:11
2
作者 李微 黄才勇 刘兴江 《中国电子科学研究院学报》 2012年第4期344-350,共7页
低成本、高效率的薄膜太阳电池是未来光伏产业发展的重要方向之一。主要介绍了目前备受关注的薄膜太阳电池,包括硅基薄膜太阳电池、铜铟镓硒与铜锌锡硫薄膜太阳电池,及砷化镓薄膜太阳电池等,简述了它们的各自特点、研究现状、主要技术... 低成本、高效率的薄膜太阳电池是未来光伏产业发展的重要方向之一。主要介绍了目前备受关注的薄膜太阳电池,包括硅基薄膜太阳电池、铜铟镓硒与铜锌锡硫薄膜太阳电池,及砷化镓薄膜太阳电池等,简述了它们的各自特点、研究现状、主要技术路线和产业化发展等情况。最后展望了薄膜太阳电池未来的发展趋势。 展开更多
关键词 硅基薄膜太阳电池 铜铟镓硒薄膜太阳电池 铜锌锡硫薄膜太阳电池 砷化镓薄膜太阳电池
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薄膜太阳电池的研究现状与发展趋势 被引量:8
3
作者 赵颖 戴松元 +1 位作者 孙云 冯良桓 《自然杂志》 北大核心 2010年第3期156-160,142,共6页
笔者主要对目前薄膜电池研究和产业化的主流技术进行论述,包括硅基薄膜太阳电池、碲化镉与铜铟镓硒等化合物薄膜太阳电池、以及染料敏化电池等,对每种技术分别从国内外研究现状以及产业化状况进行介绍。
关键词 硅基薄膜太阳电池 碲化镉薄膜太阳电池 铜铟镓硒薄膜太阳电池 染料敏化太阳电池
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新型硒化锑薄膜太阳电池背接触优化
4
作者 李学锐 林俊辉 +5 位作者 唐戎 郑壮豪 苏正华 陈烁 范平 梁广兴 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期215-224,共10页
硒化锑(Sb_(2)Se_(3))具有低毒、原材料丰富和光电性能优异等优点,被认为是最具有发展潜力的薄膜太阳电池光吸收层材料之一.但目前Sb_(2)Se_(3)薄膜太阳电池光电转换效率与碲化镉、铜铟镓硒和钙钛矿等太阳电池相比仍存在较大差距.限制Sb... 硒化锑(Sb_(2)Se_(3))具有低毒、原材料丰富和光电性能优异等优点,被认为是最具有发展潜力的薄膜太阳电池光吸收层材料之一.但目前Sb_(2)Se_(3)薄膜太阳电池光电转换效率与碲化镉、铜铟镓硒和钙钛矿等太阳电池相比仍存在较大差距.限制Sb_(2)Se_(3)薄膜太阳电池光电转换效率进一步提升的关键因素之一是,太阳电池结构中Mo背电极和Sb_(2)Se_(3)薄膜构建的背接触界面处容易形成较高的势垒,降低载流子的抽取效率.本工作则对Mo背电极进行热处理生成缓冲层MoO_(2)薄膜,发现缓冲层MoO_(2)的引入,可有效地促进Sb_(2)Se_(3)薄膜的择优取向生长,同时实现太阳电池Mo/MoO_(2)/Sb_(2)Se_(3)背接触势垒降低,相应的填充因子、开路电压和短路电流密度均获得显著提高,构建的太阳电池光电转换效率从5.04%提升至7.05%. 展开更多
关键词 硒化锑 薄膜太阳电池 背接触势垒 光电转换效率
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以GeSe为光吸收层的薄膜太阳电池模拟优化研究
5
作者 韩莹健 吴海峰 +3 位作者 王丹丹 邢美波 李子睿 王瑞祥 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期66-71,共6页
针对GeSe薄膜作为吸收层的薄膜太阳电池,利用Scaps-1D太阳电池模拟软件研究电池的吸收层参数对光电性能的影响,以最大光电转化效率(PCE)为优化目标,确定吸收层厚度、缺陷态密度、掺杂浓度以及电子亲和势等参数,获得0.77 V的开路电压,38.... 针对GeSe薄膜作为吸收层的薄膜太阳电池,利用Scaps-1D太阳电池模拟软件研究电池的吸收层参数对光电性能的影响,以最大光电转化效率(PCE)为优化目标,确定吸收层厚度、缺陷态密度、掺杂浓度以及电子亲和势等参数,获得0.77 V的开路电压,38.55 mA/cm^(2)的短路电流,85.21%的填充因子以及25.3%的光电转化效率。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 太阳电池效率 数值模拟 GeSe吸收层 参数优化
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基于Bezier曲线的薄膜太阳电池参数逆最小二乘辨识 被引量:1
6
作者 朱显辉 高彬 +2 位作者 师楠 朱晓强 钟敬文 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期204-212,共9页
针对光伏参数求解繁琐、准确度不高、需要实验测试的弊端,提出一种利用两条二阶Bezier曲线和逆最小二乘法相结合的薄膜太阳电池参数辨识方法。首先,构造过最大功率点且平行于开路电压点和短路电流点连线的平行线,并在该平行线上寻找两... 针对光伏参数求解繁琐、准确度不高、需要实验测试的弊端,提出一种利用两条二阶Bezier曲线和逆最小二乘法相结合的薄膜太阳电池参数辨识方法。首先,构造过最大功率点且平行于开路电压点和短路电流点连线的平行线,并在该平行线上寻找两条二阶Bezier函数的最佳控制点,进而给出控制位置与薄膜太阳电池填充因子的线性规律,实现对I-V曲线简单、准确地刻画;然后,利用等效变换简化薄膜太阳电池输出特性超越方程,引入5个新的变量将超越方程改造为代数方程,随机选取Bezier曲线上的5个点,通过代数计算和欧几里得范数的(伪)解给出5个变量的值,并基于所得的变量结果,利用逆最小二乘法反向求解出超越方程的5个参数。最后,以5种不同型号薄膜太阳电池为例,对不同条件下的参数和求解时间进行对比和分析,验证该方法具备快速性、准确性和适用性。 展开更多
关键词 太阳电池 参数辨识 薄膜太阳电池 Bezier函数 逆最小二乘法
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铜锑硫薄膜太阳电池的数值模拟研究
7
作者 佟蕾 国嘉嵘 +3 位作者 李清 苗佳怡 李春然 钟敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第10期1773-1779,共7页
用SCAPS构建了铜锑硫薄膜太阳电池模型,计算了器件的性能。分别研究了吸收层厚度、载流子浓度、缺陷密度和背电极功函数对器件性能的影响。结果表明,过薄的吸收层对绿光和红光吸收不充分,1.5~3μm厚的吸收层能满足光谱吸收要求。当受主... 用SCAPS构建了铜锑硫薄膜太阳电池模型,计算了器件的性能。分别研究了吸收层厚度、载流子浓度、缺陷密度和背电极功函数对器件性能的影响。结果表明,过薄的吸收层对绿光和红光吸收不充分,1.5~3μm厚的吸收层能满足光谱吸收要求。当受主浓度为2×10^(18)cm^(-3)时,器件光电转换效率最高。缺陷密度大于10^(-14)cm^(-3)时,器件的光电转换效率急剧降低。贫铜富硫气氛制备铜锑硫可以提高受主浓度,减小开路电压亏损,也可以抑制硫空位缺陷形成,从而提高器件的光电转换效率。功函数较高的材料能降低背电极势垒,减少载流子在背电极复合。材料参数优化后,器件的光电转换效率最高为21.74%。 展开更多
关键词 铜锑硫 薄膜太阳电池 SCAPS 开路电压亏损 缺陷密度 背电极
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基于氯化铯背接触处理优化硒化锑薄膜太阳电池性能
8
作者 赵聪 郭华飞 +2 位作者 邱建华 丁建宁 袁宁一 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第4期636-644,共9页
本文使用气相输运沉积的方式制备了硒化锑(Sb_(2)Se_(3))薄膜太阳电池,并采用氯化铯(CsCl)溶液对器件上界面进行处理,同时对薄膜和器件进行了一系列表征。研究发现,CsCl溶液的背接触处理不仅可以提高器件的载流子收集以及降低上界面复合... 本文使用气相输运沉积的方式制备了硒化锑(Sb_(2)Se_(3))薄膜太阳电池,并采用氯化铯(CsCl)溶液对器件上界面进行处理,同时对薄膜和器件进行了一系列表征。研究发现,CsCl溶液的背接触处理不仅可以提高器件的载流子收集以及降低上界面复合,还可以优化薄膜的结晶性、表面粗糙度和光电性能。基于FTO/CdS/Sb_(2)Se_(3)/CsCl/Au的器件结构,得到了转换效率为6.32%的高效Sb_(2)Se_(3)薄膜太阳电池,比基础器件效率提升了12%。本文的工作对Sb_(2)Se_(3)薄膜太阳电池未来的研究有一定的指导作用,其他同类型半导体光伏器件也可借鉴。 展开更多
关键词 硒化锑 氯化铯 背接触处理 薄膜太阳电池 气相输运沉积技术 薄膜光电性能
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Cr应力缓释层对柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)薄膜太阳电池性能的影响
9
作者 陈春阳 唐正霞 +2 位作者 孙孪鸿 王威 赵毅杰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期482-487,共6页
柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池中的应力是阻碍其发展的一大瓶颈。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极之间引入不同厚度的Cr缓释层,研究其对CZTSSe薄膜应力的影响。结果表明,当Cr应力缓释层厚度为80 nm时,薄膜的结晶... 柔性Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池中的应力是阻碍其发展的一大瓶颈。采用磁控溅射法在柔性Ti衬底和Mo背电极之间引入不同厚度的Cr缓释层,研究其对CZTSSe薄膜应力的影响。结果表明,当Cr应力缓释层厚度为80 nm时,薄膜的结晶质量最好,电池具有最佳的光电性能,相比没有Cr应力缓释层存在的情况,薄膜的残余应力从-7.15 GPa降低至-3.61 GPa,电池的光电转换效率(PCE)从2.89%提高至4.65%,增加了60.9%。Cr应力缓释层的引入不会影响CZTSSe薄膜的晶体结构,相反可有效提高薄膜的结晶质量,降低薄膜的残余应力,最终提高电池的光电性能。 展开更多
关键词 柔性Cu_(2)ZnSn(S Se)_(4)(CZTSSe)薄膜太阳电池 Cr应力缓释层 残余应力 光电转换效率(PCE) 结晶质量
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CdTe薄膜太阳电池及组件的产业化进展与应用方向分析
10
作者 钱双 殷新建 +1 位作者 陈瑛 宋杰林 《太阳能》 2023年第7期5-12,共8页
对CdTe薄膜太阳电池的理论研究和产业化的进展与展望进行重点阐述,概括了此类太阳电池未来的研究重点,并对CdTe薄膜光伏组件在“双碳”目标下的应用情况进行分析探讨。结果显示:(1)经过几十年的发展,截至2022年5月,CdTe薄膜太阳电池实... 对CdTe薄膜太阳电池的理论研究和产业化的进展与展望进行重点阐述,概括了此类太阳电池未来的研究重点,并对CdTe薄膜光伏组件在“双碳”目标下的应用情况进行分析探讨。结果显示:(1)经过几十年的发展,截至2022年5月,CdTe薄膜太阳电池实验室最高光电转换效率仍为2016年得到的22.1%,与其理论最大光电转换效率(32%)相比还有很大的突破空间;(2)未来CdTe薄膜太阳电池性能提升的关键将是进行有效p型掺杂、提高CdTe薄膜载流子寿命、通过制备欧姆接触电极提高开路电压,从而改善CdTe薄膜太阳电池的性能。以期该研究可为中国加快CdTe薄膜太阳电池及组件产业化发展提供参考方向。 展开更多
关键词 碲化镉薄膜太阳电池 碲化镉薄膜光伏组件 研究进展 产业化进展 市场应用
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界面层对CIGS薄膜太阳电池电性能影响的数值模拟研究
11
作者 王志永 《太阳能》 2023年第2期32-39,共8页
通过在铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池中分别插入RbInSe_(2)薄膜和MoSe_(2)薄膜作为界面层,设计出新的电池结构,然后使用模拟软件wxAMPS研究了界面层对CIGS薄膜太阳电池电性能的影响。研究结果表明:RbInSe_(2)薄膜对CIGS薄膜太阳电池电性... 通过在铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池中分别插入RbInSe_(2)薄膜和MoSe_(2)薄膜作为界面层,设计出新的电池结构,然后使用模拟软件wxAMPS研究了界面层对CIGS薄膜太阳电池电性能的影响。研究结果表明:RbInSe_(2)薄膜对CIGS薄膜太阳电池电性能的提高效果不明显,且随着RbInSe_(2)薄膜厚度的增加,电池电性能呈先升高后降低的趋势。MoSe_(2)薄膜对CIGS薄膜太阳电池的电性能有显著的提高作用,主要原因是该薄膜与CIGS薄膜构成的异质结在电池内部附加了一个电场。该电场能够将向MoSe_(2)薄膜运动的电子“反射”回CIGS薄膜中,降低载流子的界面复合速度,进而提高光生电流。以分析获得的最优参数进行数值模拟,同时插入MoSe_(2)薄膜和RbInSe_(2)薄膜的CIGS薄膜太阳电池的最高光电转换效率可达25.0%,这为实验室及实际生产制备出高效CIGS薄膜太阳电池提供了一条可能的技术路径。 展开更多
关键词 CIGS 薄膜太阳电池 数值模拟 界面层 电性能
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薄膜太阳电池的最新进展 被引量:21
12
作者 王育伟 刘小峰 +2 位作者 陈婷婷 姜春萍 王瑞林 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期151-157,195,共8页
介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的地位,概述了包括多晶硅、非晶硅、CdTe、CuIn1-xGaxSe2(CIGS)在内的薄膜太阳电池的发展状况。多晶硅,非晶硅太阳电池的生产技术成熟,商业化程度高,是目前太阳电池开发与应用的重点,随着技术和工艺水平... 介绍了薄膜太阳电池在光伏技术中的地位,概述了包括多晶硅、非晶硅、CdTe、CuIn1-xGaxSe2(CIGS)在内的薄膜太阳电池的发展状况。多晶硅,非晶硅太阳电池的生产技术成熟,商业化程度高,是目前太阳电池开发与应用的重点,随着技术和工艺水平的提高,CdTe和CIGS等新型太阳电池商业化必将带来能源领域的新变革。文章同时还给出了这些太阳电池的未来研究方向。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 多晶硅 非晶硅 碲化镉 铜铟镓锡
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颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研制 被引量:7
13
作者 梁宗存 许颖 +3 位作者 公延宁 沈辉 李仲明 李戬洪 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期45-48,共4页
以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带 (SSP) ,对颗粒硅带表面形态进行分析。以SSP为衬底 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法生长多晶硅薄膜 ,并以此制作出效率为 2 93%的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池 ,这在国内属首先。并报道了对以SSP为... 以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带 (SSP) ,对颗粒硅带表面形态进行分析。以SSP为衬底 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法生长多晶硅薄膜 ,并以此制作出效率为 2 93%的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池 ,这在国内属首先。并报道了对以SSP为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的初步研究结果 ,同时讨论了该类电源的结构。 展开更多
关键词 颗粒硅带 快速热化学气相沉积 RTCVD 多晶硅薄膜太阳电池 SSP 电源结构 工艺 改进措施
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薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究 被引量:5
14
作者 陈新亮 王斐 +6 位作者 闫聪博 李林娜 林泉 倪牮 张晓丹 耿新华 赵颖 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第18期73-77,共5页
阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构... 阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点。 展开更多
关键词 镀膜技术 TCO薄膜 绒面结构 高迁移率 缓冲层 梯度掺杂 薄膜太阳电池
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CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析 被引量:5
15
作者 薛玉明 孙云 +4 位作者 李凤岩 朴英美 刘维一 周志强 李长健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期841-844,共4页
本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGs)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值△EC、△EV。其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对... 本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGs)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值△EC、△EV。其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0-0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好。 展开更多
关键词 铜铟硒薄膜太阳电池 异质结 结构 制备 半导体材料 能带边失调值
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微晶硅锗薄膜作为近红外光吸收层在硅基薄膜太阳电池中的应用 被引量:5
16
作者 曹宇 薛磊 +3 位作者 周静 王义军 倪牮 张建军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第14期209-216,共8页
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了具有一定晶化率不同Ge含量的氢化微晶硅锗(μcSi1-xGex:H)薄膜.通过Ⅹ射线荧光谱、拉曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外谱、吸收系数谱和电导率的测试,表征了μc-Si_(1-x)Ge_x:H的材料微结构... 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了具有一定晶化率不同Ge含量的氢化微晶硅锗(μcSi1-xGex:H)薄膜.通过Ⅹ射线荧光谱、拉曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外谱、吸收系数谱和电导率的测试,表征了μc-Si_(1-x)Ge_x:H的材料微结构随Ge含量的演变.研究表明:提高Ge含量可以增强μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜的吸收系数.将其应用到硅基薄膜太阳电池的本征层中可以有效提高电池的短路电流密度(J_(sc)).特别是在电池厚度较薄或陷光不充分的情况下,长波响应的提高会更为显著.应用ZnO衬底后,在Ge含量分别为9%和27%时,μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池的转换效率均超过了7%.最后,将μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池应用在双结叠层太阳电池的底电池中,发现μc-Si_(0.73)Ge_(0.27):H底电池在厚度为800 nm时即可得到比1700 nm厚微晶硅(μc-Si:H)底电池更高的长波响应.以上结果体现μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池作为高效近红外光吸收层,在硅基薄膜太阳电池中应用的前景. 展开更多
关键词 氢化微晶硅锗 近红外响应 硅基薄膜太阳电池 等离子体增强化学气相沉积
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染料敏化纳米薄膜太阳电池的新型对电极研究 被引量:14
17
作者 方晓明 张正国 马婷丽 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期111-115,共5页
研究了用金属基板和塑料薄膜制作的4种新型对电极和由这些对电极构成的染料敏化纳米薄膜太阳电池的性能。由不锈钢、镍片和导电聚合物膜为基材的对电极构成的太阳电池的光电转换效率近5%;不锈钢对电极可以通过降低内阻来改善大面积染... 研究了用金属基板和塑料薄膜制作的4种新型对电极和由这些对电极构成的染料敏化纳米薄膜太阳电池的性能。由不锈钢、镍片和导电聚合物膜为基材的对电极构成的太阳电池的光电转换效率近5%;不锈钢对电极可以通过降低内阻来改善大面积染料敏化纳米薄膜太阳电池的光电转换效率。此外,测试了这些金属基板和塑料薄膜在电解质溶液中的耐腐蚀性和稳定性;考察了由不锈钢和导电聚合物膜对电极构成的染料敏化纳米薄膜太阳电池的长期性能稳定性,并提出了改善这些新型对电极的长期性能稳定性的途径。 展开更多
关键词 染料敏化纳米薄膜太阳电池 对电极 金属基板 塑料薄膜 表面阻抗
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Zn_(1–x)Mg_xO能带结构及作为窗口层的CdTe薄膜太阳电池的SCAPS仿真应用 被引量:3
18
作者 何旭 任胜强 +3 位作者 李春秀 武莉莉 张静全 都政 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期635-640,共6页
采用第一性原理广义梯度近似+U(GGA+U)方法计算了纤锌矿结构Zn_(1–x)Mg_xO(ZMO)(0≤x≤0.25)合金的能带结构。计算表明:随着Mg组分增加,ZMO化合物的导带底及费米能级均向真空能级方向移动,带隙增宽。基于理论计算得到ZMO的能带结构参数... 采用第一性原理广义梯度近似+U(GGA+U)方法计算了纤锌矿结构Zn_(1–x)Mg_xO(ZMO)(0≤x≤0.25)合金的能带结构。计算表明:随着Mg组分增加,ZMO化合物的导带底及费米能级均向真空能级方向移动,带隙增宽。基于理论计算得到ZMO的能带结构参数,使用SCAPS软件对ZMO作窗口层的CdTe薄膜太阳电池的性能进行了仿真模拟,并将研究结果与CdS作窗口层的CdTe太阳电池的性能进行了比较。结果表明:Mg在ZMO中的含量0≤x≤0.125时,ZMO/CdTe太阳电池具有比CdS/CdTe太阳电池更高的开路电压和短路电流密度;ZMO的导带底高出CdTe导带底约0.13 e V时,CdTe薄膜太阳电池的转换效率最高,达到18.29%。这些结果为高效率碲化镉薄膜太阳电池的结构设计和器件制备提供了理论指导。 展开更多
关键词 Zn1–xMgxO 能带结构 薄膜太阳电池 转换效率
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快速汽相沉积法制备硅薄膜太阳电池 被引量:3
19
作者 王文静 许颖 +3 位作者 罗欣莲 于民 于元 赵玉文 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期404-407,共4页
对在重掺杂抛光单晶硅衬底上用RTCVD法形成硅薄膜太阳电池进行了研究。衬底为〈100〉晶向p+ + 型重掺硅片,电阻率为5×10- 3Ωcm 。主要工艺过程为:在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼,膜厚38μm ,扩磷制备... 对在重掺杂抛光单晶硅衬底上用RTCVD法形成硅薄膜太阳电池进行了研究。衬底为〈100〉晶向p+ + 型重掺硅片,电阻率为5×10- 3Ωcm 。主要工艺过程为:在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼,膜厚38μm ,扩磷制备p-n 结,背面蒸Al及Ti/Pd/Ag 制背电极,正表面在扩散后生长一层SiO2 ,前面用光刻剥离法制备Ti/Pd/Ag 电极,制成的1cm 2 太阳电池,开路电压VOC= 612.8m V,短路电流ISC= 29.3m A,填充因子FF= 0.7579,效率η= 13.61。对一些影响电池特性的因素进行了研究,发现硅薄膜的掺杂浓度、发射层的掺杂浓度以及减反射层都对太阳电池的特性有较大影响。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 单晶硅 汽相沉积法 太阳电池
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a-Si∶H叠层薄膜太阳电池的最佳设计的计算机模拟 被引量:5
20
作者 王红成 林璇英 曾晓华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期673-675,共3页
 为了更好地利用太阳光谱,提高电池效率,可以在单结电池最佳设计的基础上采用叠层技术。本文对a Si∶H叠层薄膜太阳电池进行了计算机模拟,提出各层电池的禁带宽度最佳匹配以及各层电池本征层的最佳厚度的设计方案。计算表明,当单结电...  为了更好地利用太阳光谱,提高电池效率,可以在单结电池最佳设计的基础上采用叠层技术。本文对a Si∶H叠层薄膜太阳电池进行了计算机模拟,提出各层电池的禁带宽度最佳匹配以及各层电池本征层的最佳厚度的设计方案。计算表明,当单结电池效率为12.09%时,三叠层电池的效率增加至16.93%,但进一步增加电池的层数,电池效率的增加变得缓慢。另外,禁带宽度对本征层最佳厚度也有一定的依赖关系。禁带宽度越大,本征层最佳厚度也越大。 展开更多
关键词 叠层太阳电池 本征层最佳厚度 禁带宽度 非晶硅氢合金薄膜 计算机模拟 薄膜太阳电池
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