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晶圆级薄膜铌酸锂波导制备工艺与性能表征
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作者 叶志霖 李世凤 +5 位作者 崔国新 尹志军 王学斌 赵刚 胡小鹏 祝世宁 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期426-433,共8页
随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制... 随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制备工艺进行了深入研究,在4英寸的薄膜铌酸锂晶圆上,基于深紫外光刻和电感耦合等离子体刻蚀技术,成功制备出了传输损耗低于0.15 dB/cm的波导,同时刻蚀深度误差控制在10%以内,极大地提高了波导结构的精确度。此外,本研究还提出了一种基于微环谐振腔的晶圆上波导损耗的表征方案,能更精确地评估波导性能。通过测试,发现所制备的波导合格率超过85%,显示出良好的可重复性和可靠性。本文中发展的晶圆级薄膜铌酸锂加工工艺,对推进铌酸锂波导的大规模制备和应用具有重要意义。 展开更多
关键词 薄膜铌酸锂 晶圆级加工 波导损耗测量 深紫外光刻 ICP刻蚀 集成光子技术
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低损耗薄膜铌酸锂光集成器件的研究进展
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作者 林锦添 高仁宏 +3 位作者 管江林 黎春桃 姚妮 程亚 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期372-394,共23页
近年来得益于薄膜铌酸锂晶圆离子切片技术和低损耗微纳刻蚀工艺的飞速发展,薄膜铌酸锂光集成结构提供了光场紧束缚、快速电光调谐、高效频率转换和声光转换的空前能力,各种高性能的薄膜铌酸锂光集成器件不断涌现,且朝着大规模光集成芯... 近年来得益于薄膜铌酸锂晶圆离子切片技术和低损耗微纳刻蚀工艺的飞速发展,薄膜铌酸锂光集成结构提供了光场紧束缚、快速电光调谐、高效频率转换和声光转换的空前能力,各种高性能的薄膜铌酸锂光集成器件不断涌现,且朝着大规模光集成芯片的方向迅猛发展,为高速信息处理、精密测量、量子信息、人工智能等重要应用提供了全新的发展动力。本文主要围绕铌酸锂晶体发展历史、薄膜铌酸锂离子切片技术发展历程、极低损耗微纳刻蚀技术演化进程,以及高性能的薄膜铌酸锂光集成器件进展进行总结,并展望了未来的发展趋势。 展开更多
关键词 薄膜铌酸锂 微纳加工 光集成器件 非线性光学 电光调制器 光频梳
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薄膜铌酸锂集成非线性光学:走向全光信息时代的新路径
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作者 郑远林 陈险峰 《物理》 CAS 北大核心 2024年第1期22-32,共11页
光芯片的强大信息处理能力令人期待,而集成光子学是光芯片的基础。铌酸锂号称“光学硅”,是一种综合性能优异的多功能晶体材料。新兴的薄膜铌酸锂解决了传统铌酸锂基光学集成的重大难题,为现有集成光子学器件发展提供了新的爆发点,也为... 光芯片的强大信息处理能力令人期待,而集成光子学是光芯片的基础。铌酸锂号称“光学硅”,是一种综合性能优异的多功能晶体材料。新兴的薄膜铌酸锂解决了传统铌酸锂基光学集成的重大难题,为现有集成光子学器件发展提供了新的爆发点,也为非线性光学的研究和应用提供了良好的平台,有望实现高效的片上全光信息处理。文章将介绍薄膜铌酸锂平台上非线性光学相关的最新重要突破和进展,并简述集成非线性光学如何助推未来光子学革命。 展开更多
关键词 薄膜铌酸锂 微纳光子学 非线性光学 光波导
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薄膜铌酸锂反向锥形端面耦合器 被引量:1
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作者 向美华 于硕 +1 位作者 李德阳 杨登才 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第7期737-745,共9页
薄膜铌酸锂波导与单模光纤在模场尺寸上存在很大差异,模场失配严重,导致两者直接耦合的效率低下。针对薄膜铌酸锂波导与超高数值孔径(ultra-high numerical aperture, UHNA)光纤的端面耦合问题,基于时域有限差分(finite difference time... 薄膜铌酸锂波导与单模光纤在模场尺寸上存在很大差异,模场失配严重,导致两者直接耦合的效率低下。针对薄膜铌酸锂波导与超高数值孔径(ultra-high numerical aperture, UHNA)光纤的端面耦合问题,基于时域有限差分(finite difference time domain, FDTD)法优化设计了反向锥形端面耦合器的结构参数,仿真实现了薄膜铌酸锂矩形波导与UHNA光纤的高效耦合。利用电子束曝光、电感耦合等离子体刻蚀等工艺,制备了反向锥形耦合器,设计并建立了端面耦合测试平台,完成了反向锥形耦合器的性能测试。实验结果表明,反向锥形耦合器近场输出光斑在水平和垂直方向的模场直径分别为3.3和3.6μm,水平和垂直方向的3 dB对准容差分别为3.0和3.2μm,单端插入损耗为6.24 dB/面,表明设计制作的反向锥形耦合器具有较好的耦合性能。该研究为大容量、高速率的集成光子器件与光纤之间的耦合提供了高耦合效率的光接口方案。 展开更多
关键词 光波导 超高数值孔径光纤 薄膜铌酸锂 时域有限差分法(FDTD) 端面耦合 反向锥形耦合器
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基于薄膜铌酸锂的模式色散相位匹配单光子源
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作者 余桂芳 李志浩 +2 位作者 肖天琦 冯田峰 周晓祺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第15期75-82,共8页
薄膜铌酸锂光学芯片因低损耗、高非线性系数及高电光调制带宽等特性,有望成为开展集成光学量子信息研究的理想实验平台.然而,到目前为止,基于薄膜铌酸锂的单光子源普遍采用周期性极化准相位匹配技术,该技术要求精确地制备电极并对铌酸... 薄膜铌酸锂光学芯片因低损耗、高非线性系数及高电光调制带宽等特性,有望成为开展集成光学量子信息研究的理想实验平台.然而,到目前为止,基于薄膜铌酸锂的单光子源普遍采用周期性极化准相位匹配技术,该技术要求精确地制备电极并对铌酸锂波导进行周期性极化,工艺复杂且对加工精度要求较高.本文提出了一种基于模式色散相位匹配的薄膜铌酸锂单光子源器件.该器件无需制作电极,具备加工简便和集成度更高的优势,同时单光子产率可达3.8×10^(7)/(s·mW),能够满足光学量子信息处理的需求.此器件有望替代传统准相位匹配单光子源,进一步推动基于薄膜铌酸锂芯片的光学量子信息研究的发展. 展开更多
关键词 单光子源 薄膜铌酸锂 模式色散相位匹配
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多通道薄膜铌酸锂阵列波导光栅研制
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作者 王琛全 何晓舟 +4 位作者 王子彦 钱坤 顾晓文 唐杰 钱广 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第2期187-190,共4页
基于薄膜铌酸锂材料平台,通过开发金属掩膜与ICP刻蚀相结合的波导制备工艺,研制出了8通道且通道间隔400 GHz的阵列波导光栅,器件整体尺寸为1.28 mm×1.38 mm。测试结果表明,该阵列波导光栅的串扰小于-15 dB,通道非均匀性小于0.5 dB... 基于薄膜铌酸锂材料平台,通过开发金属掩膜与ICP刻蚀相结合的波导制备工艺,研制出了8通道且通道间隔400 GHz的阵列波导光栅,器件整体尺寸为1.28 mm×1.38 mm。测试结果表明,该阵列波导光栅的串扰小于-15 dB,通道非均匀性小于0.5 dB。该器件为薄膜铌酸锂基波分复用技术积累了研制经验,并有望推进多通道微波光子模块的小型化应用。 展开更多
关键词 阵列波导光栅 薄膜铌酸锂 波分复用
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一种基于薄膜铌酸锂调制器芯片的新型电光调制器
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作者 杨鹏毅 李韬 姚宗影 《光通信技术》 2023年第1期73-76,共4页
针对传统铌酸锂电光调制器体积大、带宽小等技术问题,提出了一种基于薄膜铌酸锂调制器芯片的新型电光调制器的设计方法,给出了薄膜铌酸锂电光调制器高频传输仿真模型,详细介绍了薄膜铌酸锂电光调制器的高频信号馈入设计、过渡薄膜基板... 针对传统铌酸锂电光调制器体积大、带宽小等技术问题,提出了一种基于薄膜铌酸锂调制器芯片的新型电光调制器的设计方法,给出了薄膜铌酸锂电光调制器高频传输仿真模型,详细介绍了薄膜铌酸锂电光调制器的高频信号馈入设计、过渡薄膜基板高频阻抗匹配设计,并测试了40 GHz小尺寸薄膜铌酸锂电光调制器的核心指标。测试结果表明:设计的薄膜铌酸锂电光调制器插入损耗、半波电压、3 dB带宽、产品尺寸分别为4.1 dB、3.9 V、40 GHz、30 mm×10 mm×5 mm,比传统铌酸锂电光调制器性能优越。 展开更多
关键词 薄膜铌酸锂 电光调制器 光传输 微波光子
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薄膜铌酸锂电光调制器研究进展 被引量:2
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作者 秦妍妍 吴立枢 +3 位作者 陈泽贤 钱广 张晓阳 张彤 《光电子技术》 CAS 2021年第3期159-166,共8页
从铌酸锂电光调制器的工作原理出发,介绍了不同种类的薄膜铌酸锂波导技术和近年来部分具有代表性的薄膜铌酸锂电光调制器研究进展,并对未来发展所面临的挑战和前景进行了展望。
关键词 薄膜铌酸锂 电光调制器 光子集成
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薄膜铌酸锂光波导ICP刻蚀工艺研究
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作者 杨千泽 张鸿举 《电子技术与软件工程》 2022年第5期109-112,共4页
本文对刻蚀用掩膜、气体,以及气体总流量、ICP/RIE功率、反应室压力等工艺参数对刻蚀速率、刻蚀面粗糙度、脊波导侧壁角度的影响进行了研究,制备出粗糙度RMS值为1.90nm,深度为349nm,侧壁角度为75°的LNOI脊型波导。
关键词 薄膜铌酸锂 LNOI 光波导 ICP
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基于狭缝结构的异质集成薄膜铌酸锂电光调制器
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作者 李晓蔚 《科学技术创新》 2022年第7期9-12,共4页
电光调制器(Electro-optic modulator,EOM)在连接电场和光场方面发挥着至关重要的作用。本文中我们提出了一种基于绝缘体上铌酸锂(lithium niobate on insulator,LNOI)平台的异质集成EOM。主要的调制波导结构是通过在薄膜铌酸锂中嵌入... 电光调制器(Electro-optic modulator,EOM)在连接电场和光场方面发挥着至关重要的作用。本文中我们提出了一种基于绝缘体上铌酸锂(lithium niobate on insulator,LNOI)平台的异质集成EOM。主要的调制波导结构是通过在薄膜铌酸锂中嵌入硅纳米线形成具有光场增强作用的狭缝波导结构,而不是先前报道的铌酸锂薄膜脊型或无蚀刻型铌酸锂薄膜波导,这种结构可以有助于提高相应EOM的性能。本文所获得的器件性能如下:半波电压与电极长度乘积(VπL)为1.88 V·cm。若将双电容电极与波导结构联用,可进一步将VπL降低至1.35 V·cm。本文所用的场增强型狭缝波导结构和双电容电极结构将进一步促进基于LNOI平台的EOM发展。 展开更多
关键词 电光调制器 薄膜铌酸锂 狭缝波导结构 光子集成元件 电极结构
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薄膜铌酸锂光电器件与超大规模光子集成(特邀)
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作者 程亚 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期386-402,共17页
近年来,薄膜铌酸锂光子集成技术发展极为迅速,其背后有着深刻的物理、材料、技术原因。单晶薄膜铌酸锂为解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求提供了至今为止综合性能最优的解决方案。面向未来的新... 近年来,薄膜铌酸锂光子集成技术发展极为迅速,其背后有着深刻的物理、材料、技术原因。单晶薄膜铌酸锂为解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求提供了至今为止综合性能最优的解决方案。面向未来的新一代高速光电器件与超大规模光子集成芯片应用,本文回顾了薄膜铌酸锂光子技术的起源及其近期的快速发展,讨论了若干薄膜铌酸锂光子结构的加工技术,并展示了一系列当前性能最优的薄膜铌酸锂光子集成器件与系统,包括超低损耗可调光波导延时线、超高速光调制器、高效率量子光源,以及高功率片上放大器与片上激光器。这些器件以其体积小、质量轻、功耗低、性能好的综合优势,将对整个光电子产业产生难以估量的影响。 展开更多
关键词 光子集成 光波导 光调制器 微波光子学 光量子集成器件 薄膜 薄膜铌酸锂
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适温离子交换掺铒铌酸锂薄膜的制备研究
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作者 何雨轩 吴江威 +1 位作者 陈玉萍 陈险峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期441-448,共8页
本文通过制备KNO_(3)和Er(NO_(3))_(3)熔融混合物,将其与铌酸锂薄膜在高温管式炉中混合进行适温热扩散,并结合退火工艺,发明了一种直接在铌酸锂薄膜上掺杂Er^(3+)的方法。通过不断变换热扩散温度、掺杂试剂浓度比例和晶体切向等参数,用... 本文通过制备KNO_(3)和Er(NO_(3))_(3)熔融混合物,将其与铌酸锂薄膜在高温管式炉中混合进行适温热扩散,并结合退火工艺,发明了一种直接在铌酸锂薄膜上掺杂Er^(3+)的方法。通过不断变换热扩散温度、掺杂试剂浓度比例和晶体切向等参数,用控制变量法探究了不同参数对适温离子交换法掺杂Er^(3+)效果的影响,在热扩散和退火温度360℃及KNO_(3)和Er(NO_(3))_(3)质量比25∶1的参数设置下获得了表面形貌较佳的Z切掺铒铌酸锂薄膜。通过飞行时间二次离子质谱仪并利用已知掺杂浓度的薄膜进行定标,检测了所获得的掺铒铌酸锂薄膜中的Er^(3+)浓度情况,对所采用适温离子交换法的有效性进行了验证。这一方法大幅简化了铌酸锂薄膜掺杂的工艺,同时节约了成本,有助于后续在铌酸锂薄膜平台上实现分区掺杂的工作,为未来定制化铌酸锂光子集成平台的搭建提供参考。 展开更多
关键词 薄膜 Er^(3+) 适温离子交换 二次离子质谱仪
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铌酸锂晶体的缺陷结构
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作者 刘宏德 王维维 +4 位作者 张中正 郑大怀 刘士国 孔勇发 许京军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期355-371,共17页
铌酸锂是集电光、声光、压电和非线性等性能于一体的人工晶体,在光子学及光电子学等领域具有广泛的应用前景,被誉为“光学硅”或“光子学硅”。近年来随着基于薄膜铌酸锂的集成光子学的迅猛发展,铌酸锂晶体受到更加广泛的关注。然而铌... 铌酸锂是集电光、声光、压电和非线性等性能于一体的人工晶体,在光子学及光电子学等领域具有广泛的应用前景,被誉为“光学硅”或“光子学硅”。近年来随着基于薄膜铌酸锂的集成光子学的迅猛发展,铌酸锂晶体受到更加广泛的关注。然而铌酸锂是一种典型的非化学计量比晶体,其含有大量的本征缺陷,严重影响了晶体性能;同时,铌酸锂晶格对众多杂质离子都有良好的固溶性,而且晶体的性质随着杂质离子的种类和浓度不同产生显著变化。如同单晶硅等半导体材料的缺陷工程,缺陷已经并且必将继续对晶体的性能及铌酸锂集成光子学产生重要影响。本文对铌酸锂晶体的缺陷结构做了一个简要的回顾,尤其是近期涉及薄膜铌酸锂晶体的相关内容,涵盖了本征缺陷结构、非本征缺陷结构、缺陷结构的表征、缺陷结构的理论计算、缺陷结构与晶体性能的构效关系等方面,以期对当前的铌酸锂集成光子学研究贡献微薄之力。 展开更多
关键词 缺陷结构 薄膜铌酸锂 集成光子学 构效关系
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基于亚波长光栅辅助定向耦合器的集成铌酸锂偏振分束器
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作者 陈力 周旭东 +2 位作者 袁明瑞 肖恢芙 田永辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期465-471,共7页
绝缘体上铌酸锂(LNOI)是实现高速光子集成回路(PICs)的理想平台。通过充分利用铌酸锂(LN)的优势,LNOI平台能够实现高速电光和高效非线性光学集成器件。偏振分束器(PBS)作为分离和组合两种正交偏振光模式的关键无源器件之一,在实现片上... 绝缘体上铌酸锂(LNOI)是实现高速光子集成回路(PICs)的理想平台。通过充分利用铌酸锂(LN)的优势,LNOI平台能够实现高速电光和高效非线性光学集成器件。偏振分束器(PBS)作为分离和组合两种正交偏振光模式的关键无源器件之一,在实现片上偏振复用系统并提升光通信系统数据传输容量方面发挥着至关重要的作用。近年来,基于不同结构的PBS已经被成功实现,其中,基于亚波长光栅辅助定向耦合结构的PBS表现出优异的器件性能和紧凑的器件尺寸。本文基于氮化硅-铌酸锂异质集成的间接刻蚀方案,实现了一种亚波长光栅辅助定向耦合结构的高性能PBS。仿真结果表明,当波长在1500~1600 nm时,器件的偏振消光比均大于24.49 dB。实验数据进一步证实,当波长在1500~1580 nm时,器件偏振消光比均大于18.06 dB。 展开更多
关键词 薄膜铌酸锂集成光子学 氮化硅- 偏振调控器件 偏振分束器 亚波长光栅 定向耦合器
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紧凑型纳米薄膜铌酸锂复合波导光电子可逆逻辑门
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作者 陈直 《半导体光电》 CAS 北大核心 2023年第1期32-38,共7页
基于纳米薄膜铌酸锂与氮化硅复合波导结构,构建了光电子可逆逻辑门,应用于神经形态光子学和量子计算。该光电子可逆逻辑门的主体由两个马赫-曾德尔调制器级联而成,结构紧凑,全长仅为4.4 mm,是普通质子交换铌酸锂调制器长度的百分之一。... 基于纳米薄膜铌酸锂与氮化硅复合波导结构,构建了光电子可逆逻辑门,应用于神经形态光子学和量子计算。该光电子可逆逻辑门的主体由两个马赫-曾德尔调制器级联而成,结构紧凑,全长仅为4.4 mm,是普通质子交换铌酸锂调制器长度的百分之一。工作在1.55μm波长时,该马赫-曾德尔调制器仅需4.9 V电压就可以实现一次完整的功率交换,很好地与CMOS工艺相兼容。器件特性研究表明,该光电子可逆逻辑门能够实现可逆逻辑运算功能。此外,该器件在1.4~1.6μm波长范围内,插入损耗均值为0.6 dB,输出端口的最小串扰为-47 dB,消光比的最大值为41 dB;在4~6 V电压范围内,插入损耗均值为0.63 dB,输出端口的最小串扰为-26 dB,消光比的最大值为22 dB,显示出了良好的响应特性。 展开更多
关键词 纳米薄膜铌酸锂 -氮化硅复合波导 马赫-曾德尔调制器 可逆逻辑运算
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铌酸锂薄膜高速电光开关的设计与制备
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作者 唐杰 王子彦 +7 位作者 钱坤 何晓舟 潘时龙 王琛全 顾晓文 钱广 孔月婵 陈堂胜 《光电子技术》 CAS 2023年第1期7-10,16,共5页
基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作... 基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作对未来研制光学延时芯片和波束形成网络芯片具有重要的支撑意义。 展开更多
关键词 薄膜 电光开关 光学波束形成
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高效铌酸锂薄膜波导模斑转换器设计
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作者 丁国建 王晓晖 +4 位作者 冯琦 于萍 贾海强 陈弘 汪洋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期273-281,共9页
铌酸锂薄膜光子集成技术在高速光电子领域不断凸显,被广泛用于各种片上功能实现,如电光调制、光频梳、滤波器、非线性光学频率转换器、非线性量子光源、激光器等。在铌酸锂薄膜光子集成技术发展过程中,目前面临的一个重要的技术瓶颈就... 铌酸锂薄膜光子集成技术在高速光电子领域不断凸显,被广泛用于各种片上功能实现,如电光调制、光频梳、滤波器、非线性光学频率转换器、非线性量子光源、激光器等。在铌酸锂薄膜光子集成技术发展过程中,目前面临的一个重要的技术瓶颈就是铌酸锂薄膜纳米波导与单模光纤的高效耦合。针对这一问题,设计了一种基于SiO_(2)、SiON锥形结构以及双层铌酸锂锥形结构的模斑转换器,实现铌酸锂薄膜纳米波导与单模光纤之间模式和能量的高效传递与转换。采用三维有限差分光束传播法对器件结构进行了模拟仿真,并优化了结构参数,可实现与铌酸锂薄膜波导与单模光纤的高效耦合,耦合效率在82.2%~89.0%之间,同时,得到了±1.8μm光纤耦合对准容差,可为下一步制备出高效耦合的铌酸锂薄膜光子器件提供参考。 展开更多
关键词 集成光学 模斑转换器 三维有限差分光束传播法 薄膜 耦合效率 单模光纤
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基于铌酸锂薄膜波导的电光调谐光栅辅助定向耦合器研究 被引量:1
18
作者 李俊慧 姚昊 +1 位作者 邓佳瑶 陈开鑫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期189-198,共10页
提出并实验研究了一种基于铌酸锂薄膜光波导的电光调谐的光栅辅助定向耦合器。该耦合器由单模与双模脊形波导及制作于双模波导侧壁的长周期光栅构成。长周期光栅的引入补偿了单模与双模波导中基模的相位失配,可在共振波长实现两波导中... 提出并实验研究了一种基于铌酸锂薄膜光波导的电光调谐的光栅辅助定向耦合器。该耦合器由单模与双模脊形波导及制作于双模波导侧壁的长周期光栅构成。长周期光栅的引入补偿了单模与双模波导中基模的相位失配,可在共振波长实现两波导中基模的高效耦合。进一步地,在双模脊形波导两侧制作调谐电极实现了高速、低驱动电压的电光调谐功能。优化了器件的制作工艺,并采用单次干法刻蚀将耦合器的光栅与波导同步制作于X切铌酸锂薄膜上。测试结果表明所制作的器件在1595.3 nm波长处实现了14.8 dB的隔离度,其电光调谐效率为0.38 nm/V(1595.3 nm~1599.0 nm),热光调谐效率为0.14 nm/℃(25℃~50℃)。该器件可用于实现可调谐滤波、滤模、电光调制及高灵敏度温度传感等功能。 展开更多
关键词 光栅辅助的定向耦合器 长周期波导光栅 薄膜 电光调谐 热光调谐
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铌酸锂薄膜波导上二次谐波产生中的色散分析
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作者 董海阳 赵志超 +1 位作者 孙楠楠 赵翠莲 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期300-305,共6页
基于绝缘体上铌酸锂平台,设计了周期极化的铌酸锂薄膜波导结构,利用铌酸锂良好的非线性性质并结合灵活的相位匹配方案,分析了结构色散对极化周期的影响。此外,借助波导模式有效折射率随温度变化的不同,通过改变材料温度,有效扩展了频率... 基于绝缘体上铌酸锂平台,设计了周期极化的铌酸锂薄膜波导结构,利用铌酸锂良好的非线性性质并结合灵活的相位匹配方案,分析了结构色散对极化周期的影响。此外,借助波导模式有效折射率随温度变化的不同,通过改变材料温度,有效扩展了频率转换的带宽,实现了1.5~1.6μm范围内的倍频,最终获得562%的归一化转换效率,为芯片光子学参量转换的进一步研究提供了理论基础。 展开更多
关键词 薄膜 频率转换 色散 相位匹配 温度
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亚波长铌酸锂薄膜导模共振结构设计及二次谐波转化效率优化
20
作者 曹春雨 瞿敏妮 谢微 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期127-136,共10页
基于亚波长铌酸锂薄膜刻蚀导模共振超表面结构,理论模拟了超表面结构的光学响应特性,探讨了刻蚀微纳结构的周期、填充因子和刻蚀深度等参量对透射光谱的影响,同时研究了不同偏振态和入射角度的光源对光谱线宽的作用;利用非对称的光栅结... 基于亚波长铌酸锂薄膜刻蚀导模共振超表面结构,理论模拟了超表面结构的光学响应特性,探讨了刻蚀微纳结构的周期、填充因子和刻蚀深度等参量对透射光谱的影响,同时研究了不同偏振态和入射角度的光源对光谱线宽的作用;利用非对称的光栅结构设计,使连续谱中的束缚态(bound states in the continuum,BIC)衰退为高Q值(>10000)的准BIC模式;利用束缚态的局域场增强效应,将亚波长铌酸锂薄膜的二次谐波转化效率提升了5个数量级.模拟结果表明,当入射基频波的峰值功率密度在约1 GW/cm2量级时,可实现紫外波段二次谐波高效转化,即单次穿过亚波长铌酸锂薄膜后,出射的紫外波段二次谐波转化效率高达10–3量级.这为提升微纳结构、光学表界面体系的非线性响应特性提供了思路和设计方案. 展开更多
关键词 薄膜 光学超表面 导模共振 二次谐波
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