超宽禁带半导体闪烁晶体氧化镓的研究进展 被引量：5

1

作者 唐慧丽 刘波 +1 位作者 徐军 欧阳晓平 《现代应用物理》 2021年第2期1-10,共10页

作为一种新型超宽禁带半导体闪烁材料,β-Ga_(2)O_(3)具有以下显著特点:室温下可获得几纳秒的快发光成分;理论光产额可达40800 MeV^(-1);斯托克斯位移大;自吸收弱;晶体不易潮解;可以采用熔体法生长大尺寸单晶。本文详细介绍了β-Ga_(2)O... 作为一种新型超宽禁带半导体闪烁材料,β-Ga_(2)O_(3)具有以下显著特点:室温下可获得几纳秒的快发光成分;理论光产额可达40800 MeV^(-1);斯托克斯位移大;自吸收弱;晶体不易潮解;可以采用熔体法生长大尺寸单晶。本文详细介绍了β-Ga_(2)O_(3)闪烁晶体的基本性质、制备方法和闪烁性能,着重分析了其作为新型半导体闪烁体的独特优势及未来需要解决的关键科学问题和技术难点。 展开更多

关键词 闪烁体 超宽禁带半导体 氧化镓 快衰减 闪烁机理

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超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)相关研究进展 被引量：5

2

作者 王新月 张胜男 +3 位作者 霍晓青 周金杰 王健 程红娟 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第11期1995-2012,共18页

氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本。21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量β-Ga_(2)O_(3)单晶晶圆,京都大学开展了β-Ga_(2)O_(3)薄膜外延研究并获得了高质量的同质外延片... 氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本。21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量β-Ga_(2)O_(3)单晶晶圆,京都大学开展了β-Ga_(2)O_(3)薄膜外延研究并获得了高质量的同质外延片。在此基础上,日本信息通信研究机构于2012年构建了第一个β-Ga_(2)O_(3)金属半导体场效应晶体管(MESFET),证明了β-Ga_(2)O_(3)在功率器件领域拥有巨大潜能,开启了β-Ga_(2)O_(3)研发的新纪元。此后,国际上众多机构加入了β-Ga_(2)O_(3)单晶、外延、器件的研发潮流。随着研发工艺的进步,β-Ga_(2)O_(3)基功率器件的耐压上限一次次被刷新。本文梳理了β-Ga_(2)O_(3)单晶、外延、器件发展的时间线,汇总分析了β-Ga_(2)O_(3)功率器件的研究现状,指出存在的问题和可能的解决方案,并对其未来进行了展望,期望为以后的技术发展提供参考。 展开更多

关键词 氧化镓 晶体生长 外延 功率器件 浮区法 导模法超宽禁带半导体

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超宽禁带半导体氧化镓基X射线探测器的研究进展 被引量：1

3

作者 李志伟 唐慧丽 +1 位作者 徐军 刘波 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期523-537,570,共16页

X射线具有波长短、穿透能力强等优点,在医学成像、安全检查、科学研究、空间通信等领域具有重要作用。半导体X射线探测器可以将X射线转换为电流信号,具有易集成、空间分辨率高、能量分辨率高、响应速度快等优点。高性能的X射线探测器应... X射线具有波长短、穿透能力强等优点,在医学成像、安全检查、科学研究、空间通信等领域具有重要作用。半导体X射线探测器可以将X射线转换为电流信号,具有易集成、空间分辨率高、能量分辨率高、响应速度快等优点。高性能的X射线探测器应具备暗电流低、灵敏度高、响应速度快、可长时间稳定工作等特点,因此制备X射线探测器的半导体材料应具有电阻率高、缺陷少、抗辐照能力强、禁带宽度宽等性质。氧化镓(Ga_(2)O_(3))是一种新型宽禁带半导体材料,具有超宽禁带宽度、高击穿场强、高X射线吸收系数、耐高温、可采用熔体法生长大尺寸单晶等优点,是一种适合制备X射线探测器的新型材料,近年来基于Ga_(2)O_(3)的X射探测器成为辐射探测领域的研究热点之一。本文主要介绍了Ga_(2)O_(3)半导体的物理性质及其在X射线探测器方面的研究进展,分析了影响X射线探测器性能的物理机制,为提高Ga_(2)O_(3)基X射探测器的性能提供了思路。 展开更多

关键词 氧化镓 超宽禁带半导体 X射线探测器 半导体探测器 响应速度 灵敏度 单晶 薄膜

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超宽禁带半导体材料检测标准研究

4

作者 曹可慰 《电子工业专用设备》 2019年第5期48-52,共5页

系统梳理了半导体材料和金刚石等超宽禁带半导体材料现行国际和国内标准体系,总结半导体材料标准化经验,结合超宽禁带半导体材料发展阶段和现阶段标准化需求,提出了超宽禁带半导体材料检测方法标准先行的发展思路,并具体提出了热导率、... 系统梳理了半导体材料和金刚石等超宽禁带半导体材料现行国际和国内标准体系,总结半导体材料标准化经验,结合超宽禁带半导体材料发展阶段和现阶段标准化需求,提出了超宽禁带半导体材料检测方法标准先行的发展思路,并具体提出了热导率、电学性质、位错密度、几何尺寸和表面粗糙度五项超宽禁带半导体材料检测标准需求。 展开更多

关键词 超宽禁带半导体材料 检测标准 检测方法

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超宽禁带半导体Ga2O3微电子研究分析

5

作者 翁蕾舒 《产业科技创新》 2019年第33期93-95,共3页

超宽禁带半导体材料是目前技术发展的一个新兴材料,随着直接带宽超宽禁带氧化物半导体发展技术的不断提高,该种材料在目前的智能化生产当中有着广泛的应用,基于此,文章主要分析超宽禁带半导体微电子的相关研究进展,探讨其材料学特性,分... 超宽禁带半导体材料是目前技术发展的一个新兴材料,随着直接带宽超宽禁带氧化物半导体发展技术的不断提高,该种材料在目前的智能化生产当中有着广泛的应用,基于此,文章主要分析超宽禁带半导体微电子的相关研究进展,探讨其材料学特性,分析相关技术难点以及创新思路,探讨微电子领域的技术发展未来,以提高智能化制造的实际水平。 展开更多

关键词 超宽禁带半导体 肖特基二极管 金属氧化物半导体

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宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展 被引量：20

6

作者 郝跃 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期58-61,共4页

宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点,概述了半导体材料的划代,综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展,并展望了未来的发展方向和前景。

关键词 宽禁带半导体 超宽禁带半导体 金刚石 氧化镓

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新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望 被引量：3

7

作者 刁华彬 杨凯 +1 位作者 赵超 罗军 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第11期875-887,901,共14页

Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga... Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga2O3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga2O3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。总结回顾了β-Ga2O3SBD和MOSFET近年来的研究进展,比较了不同结构器件的特性,并分析了目前β-Ga2O3功率器件存在的问题。分析表明,β-Ga2O3用于高功率和高压电子器件具有巨大潜力。 展开更多

关键词 β-Ga2O3 超宽禁带半导体 功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)

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氧化镓半导体核辐射探测器研究现状

8

作者 周磊簜 陈亮 +1 位作者 卢星 欧阳晓平 《现代应用物理》 2022年第1期1-19,共19页

超宽禁带氧化镓(Ga_(2)O_(3))半导体具有击穿电场强度、本征载流子浓度低和抗辐照性能良好等特性,且易于商业化生产,是在高性能核辐射探测器领域中应用的研究热点。本文介绍了Ga_(2)O_(3)半导体材料的物理特性、制备方法和器件类型;简述... 超宽禁带氧化镓(Ga_(2)O_(3))半导体具有击穿电场强度、本征载流子浓度低和抗辐照性能良好等特性,且易于商业化生产,是在高性能核辐射探测器领域中应用的研究热点。本文介绍了Ga_(2)O_(3)半导体材料的物理特性、制备方法和器件类型;简述了Ga_(2)O_(3)半导体器件在核辐射探测领域中的国内外研究现状;总结了肖特基结型和高阻型2种辐射探测器的特性及应用方向;分析了影响Ga_(2)O_(3)半导体核辐射探测器性能的关键因素,指出Ga_(2)O_(3)半导体核辐射探测器目前研究面临的主要问题;提出了Ga_(2)O_(3)半导体核辐射探测器研究与发展方向的建议。 展开更多

关键词 超宽禁带半导体 Ga_(2)O_(3) 半导体探测器 辐射测量

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切割角蓝宝石基氧化镓薄膜MOCVD外延及日盲紫外光电探测器制备

9

作者 汪正鹏 张崇德 +8 位作者 孙新雨 胡天澄 崔梅 张贻俊 巩贺贺 任芳芳 顾书林 张荣 叶建东 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1007-1015,共9页

本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射... 本文使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在不同切割角的c面蓝宝石衬底上外延氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶薄膜,揭示了衬底切割角对外延薄膜晶体质量的影响规律。研究表明,当衬底切割角为6°时,β-Ga_(2)O_(3)外延膜具有较小的X射线摇摆曲线半峰全宽(1.10°)和最小的表面粗糙度(7.7 nm)。在此基础上,采用光刻、显影、电子束蒸发及剥离工艺制备了金属-半导体-金属结构的日盲紫外光电探测器,器件的光暗电流比为6.2×10^(6),248 nm处的峰值响应度为87.12 A/W,比探测率为3.5×10^(15) Jones,带外抑制比为2.36×10^(4),响应时间为226.2μs。 展开更多

关键词 超宽禁带半导体 氧化镓薄膜 金属有机物化学气相沉积 日盲紫外光电探测器 切割角 外延

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非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展

10

作者 肖演 杨斯铄 +2 位作者 程凌云 周游 钱凌轩 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1-20,共20页

日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。... 日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。相较于单晶和外延氧化镓材料,非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))的制备温度更低,工艺相对简单,且衬底的适用范围更广,因此近些年成为Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测领域新的研究热点。本文旨在对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器的研究进展与现状进行介绍。首先介绍了a-Ga_(2)O_(3)的基本特性以及几种常见的制备方法,进而介绍了各种适用的器件类型、结构及性能。目前,a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器主要分为MSM型、结型、TFT型和阵列型等几大类,通过器件结构优化,进一步提升探测性能。其中,MSM型器件结构简单,响应度高,应用最为广泛;结型器件通过构建肖特基结和异质结等,具有响应速度快、暗电流低和自供电的特点;TFT型器件能够在抑制暗电流的同时放大增益,且可以通过施加栅压脉冲来提升响应速度;阵列型器件主要用于大面积成像。最后,本文对a-Ga_(2)O_(3)日盲紫外探测器未来的发展趋势进行了总结和展望。 展开更多

关键词 非晶氧化镓 光电探测器 光电晶体管 薄膜晶体管探测 日盲紫外 超宽禁带半导体

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亚稳相Ga_(2)O_(3)异质外延的研究进展

11

作者 汪正鹏 叶建东 +6 位作者 郝景刚 张贻俊 况悦 巩贺贺 任芳芳 顾书林 张荣 《电子与封装》 2023年第1期96-108,共13页

作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga_(2)O_(3))被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga_(2)O_(3),亚稳相Ga_(2)O_(3)表现出更为新颖的物理性质,逐渐受到关注。通过异质外延生长高质... 作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga_(2)O_(3))被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga_(2)O_(3),亚稳相Ga_(2)O_(3)表现出更为新颖的物理性质,逐渐受到关注。通过异质外延生长高质量的亚稳相Ga_(2)O_(3)单晶薄膜是实现亚稳相Ga_(2)O_(3)基功率电子、微波射频和深紫外光电信息感知器件的重要前提。重点阐述了亚稳相Ga_(2)O_(3)的晶体结构、电子能带结构以及相关物理性质,总结了近年来亚稳相Ga_(2)O_(3)异质外延和能带工程的研究进展,并对未来亚稳相Ga_(2)O_(3)材料和器件的发展趋势进行了展望。 展开更多

关键词 超宽禁带半导体 亚稳相Ga_(2)O_(3) 异质外延 能带工程

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镓酸锌薄膜材料的制备及研究进展

12

作者 徐梦凡 李阳 +3 位作者 谢佳慧 穆文祥 贾志泰 陶绪堂 《微纳电子与智能制造》 2023年第3期1-13,共13页

镓酸锌(ZnGa_(2)O_(4))作为尖晶石双金属氧化物,禁带宽度可达4.9 eV,具有优异的荧光性质、良好的化学稳定性和热稳定性,具有广泛的应用前景。ZnGa_(2)O_(4)可应用于光电领域,制备深紫外光探测器、NO传感器、金属氧化物半导体场效应晶体... 镓酸锌(ZnGa_(2)O_(4))作为尖晶石双金属氧化物,禁带宽度可达4.9 eV,具有优异的荧光性质、良好的化学稳定性和热稳定性,具有广泛的应用前景。ZnGa_(2)O_(4)可应用于光电领域,制备深紫外光探测器、NO传感器、金属氧化物半导体场效应晶体管,还可作荧光粉发光。为全面了解材料性质,本文详细介绍了ZnGa_(2)O_(4)的晶体结构、禁带宽度、光学等性能;相比块状、粉末,ZnGa_(2)O_(4)薄膜性能更加突出,因而本文重点介绍ZnGa_(2)O_(4)薄膜的制备及应用:总结了目前几种常见的外延ZnGa_(2)O_(4)薄膜的生长方法,讨论发展趋势、分析优劣的同时对比不同外延方法并探讨温度、氧分压、锌镓比等参数对制备高质量ZnGa_(2)O_(4)薄膜的影响;汇总讨论了目前ZnGa_(2)O_(4)薄膜制备的主流器件,对其未来前景进行展望,指出问题以期为后续的技术发展提供参考。 展开更多

关键词 ZnGa_(2)O_(4) 薄膜外延 超宽禁带半导体 氧化物半导体

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氧化镓材料的研究进展及发展趋势

13

作者 张露 《中国粉体工业》 2023年第3期5-6,4,共3页

氧化镓被称之为下一代半导体材料,相比碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体材料,其拥有4.8eV的超大带隙,有望成为高压、大功率、低损耗功率器件和深紫外光电子器件的优选材料。文章主要介绍了氧化镓的性能特点及应用,阐述了氧化镓... 氧化镓被称之为下一代半导体材料,相比碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体材料,其拥有4.8eV的超大带隙,有望成为高压、大功率、低损耗功率器件和深紫外光电子器件的优选材料。文章主要介绍了氧化镓的性能特点及应用,阐述了氧化镓的产业现状,汇总氧化镓的研究进展,并展望了氧化镓材料未来的发展趋势。 展开更多

关键词 氧化镓 功率器件 超宽禁带半导体材料

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立方氮化硼的研究进展 被引量：6

14

作者 刘彩云 高伟 殷红 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第5期781-800,共20页

立方氮化硼(c-BN)作为闪锌矿面心立方结构的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,是第三代半导体中禁带宽度最大的材料,还具有高热导率、高硬度、耐高温、耐氧化、化学稳定性好、透光波长范围广、可实现p型或n型掺杂等一系列性能优点,不仅作为超硬磨料在... 立方氮化硼(c-BN)作为闪锌矿面心立方结构的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,是第三代半导体中禁带宽度最大的材料,还具有高热导率、高硬度、耐高温、耐氧化、化学稳定性好、透光波长范围广、可实现p型或n型掺杂等一系列性能优点,不仅作为超硬磨料在各行业的加工领域有广泛的应用,而且作为极端电子学材料在大功率半导体和光电子器件等领域也具有潜在的应用价值,使其适用于高温、高功率、高压、高频以及强辐射等极端环境。本文综述了历年来国内外制备c-BN晶体和外延生长c-BN薄膜的发展历程,重点关注了生长技术进步和晶体质量提高的代表性成果,并对c-BN的机械性能、光学性能以及电学性能方面的研究进展进行阐述,最后对全文内容进行总结并对c-BN应用所面临的挑战进行展望。 展开更多

关键词 立方氮化硼 晶体 外延生长 超硬材料 超宽禁带半导体

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温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理 被引量：1

15

作者 牛慧丹 孔苏苏 +7 位作者 杨少延 刘祥林 魏鸿源 姚威振 李辉杰 陈庆庆 汪连山 王占国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期1739-1747,共9页

氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制备过程是氮化处理后以700~1100℃的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌。结果表明,生长温度... 氮化铝(AlN)是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制备过程是氮化处理后以700~1100℃的不同温度生长,得到四组不同温度下的表面形貌。结果表明,生长温度对AlN的生长形貌和生长模式具有重要的影响。AlN的生长形貌体现在纳米尺度和微米尺度的形貌差异,该结果归因于受生长温度主导的Al原子的表面迁移能力和位错演化。另外,在900℃生长温度下得到具有倒金字塔结构的V坑形貌。V坑面为{10-11}半极性面,并遵循三维(3D)生长模式。这种具有半极性面微观形貌的AlN可作为模板进行半极性紫外LED器件结构或其他Ⅲ族氮化物外延生长,在光电子器件和电子器件研制方面具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 超宽禁带半导体材料 氮化铝 氢化物气相外延 生长温度 表面形貌

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Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势 被引量：7

16

作者 孙学耕 张智群 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期241-249,284,共10页

氧化镓（Ga2O3）超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研... 氧化镓（Ga2O3）超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研发现状。详细介绍了目前Ga2O3肖特基势垒二极管（SBD）、Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）以及新型Ga2O3功率器件的最新研究成果。归纳出提高Ga2O3单晶和外延材料质量、优化Ga2O3功率器件结构和制造工艺是Ga2O3功率器件未来的主要发展趋势,高功率、高效率、高可靠性和低成本是Ga2O3功率器件未来的主要发展目标。最后总结了我国与美国、日本在Ga2O3功率半导体领域的技术发展差距,以及对未来我国在Ga2O3功率半导体技术方面的发展提出了建议。 展开更多

关键词 GA2O3 超宽禁带半导体 功率器件 Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD) Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

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单晶金刚石p型和n型掺杂的研究

17

作者 牛科研 张璇 +4 位作者 崔博垚 马永健 唐文博 魏志鹏 张宝顺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第5期841-851,共11页

超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在... 超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。 展开更多

关键词 金刚石 离子注入 化学气相沉积 超宽禁带半导体 掺杂 N型 P型

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基于氧化镓日盲紫外光电探测器的研究进展 被引量：23

18

作者 王江 罗林保 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期1-31,共31页

日盲紫外探测器以其较高的探测灵敏度和较低的背景噪声广泛应用于导弹制导、空间安全通信、臭氧层空洞监测和火焰检测等军事和民用领域。氧化镓(Ga_(2)O_(3))是一种典型的超宽禁带半导体材料,其较大的禁带宽度(4.2~5.3 eV)几乎占据太阳... 日盲紫外探测器以其较高的探测灵敏度和较低的背景噪声广泛应用于导弹制导、空间安全通信、臭氧层空洞监测和火焰检测等军事和民用领域。氧化镓(Ga_(2)O_(3))是一种典型的超宽禁带半导体材料,其较大的禁带宽度(4.2~5.3 eV)几乎占据太阳光谱的整个日盲波段,被认为是制备日盲紫外探测器的理想材料。主要介绍了Ga_(2)O_(3)。的不同晶体结构和基本特性,并综述了基于多种Ga_(2)O_(3)。结构的日盲紫外探测器的研究进展。基于Ga_(2)O_(3)。纳米线的器件的最大光响应度R>10^(3)A/W,外量子效率能达到10^(5)%;Ga_(2)O_(3)单晶器件的光响应度高达10^(3)~10^(5)A/W,外量子效率超过10^(6)%,响应速度较快(μs级)。Ga_(2)O_(3)基异质结、p-n结和肖特基结的日盲探测器表现出的自驱动特性使其在无需外加电源条件下就能正常工作,这在特殊环境下具有较大的应用潜力。 展开更多

关键词 光电探测器 氧化镓﹔超宽禁带半导体 日盲紫外 光响应

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六方氮化硼中子探测器的研究进展

19

作者 范子阳 陈曦 +2 位作者 陈占国 赵江滨 何高魁 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第3期479-489,共11页

六方氮化硼中子探测器具有泄漏电流小、体积小、响应速度快、探测效率高、对γ射线不灵敏等优点,有望取代传统的^(3)He气体探测器和微结构半导体中子探测器而得到广泛应用。文章介绍了六方氮化硼中子探测器的原理,从制备工艺、探测器结... 六方氮化硼中子探测器具有泄漏电流小、体积小、响应速度快、探测效率高、对γ射线不灵敏等优点,有望取代传统的^(3)He气体探测器和微结构半导体中子探测器而得到广泛应用。文章介绍了六方氮化硼中子探测器的原理,从制备工艺、探测器结构、探测器性能等方面综述了六方氮化硼中子探测器近年来的研究进展。 展开更多

关键词 超宽禁带半导体 六方氮化硼 中子探测器 探测效率

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位置敏感日盲深紫外光电探测器

20

作者 廖梅勇 《中国科学：物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2021年第2期155-156,共2页

超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)的带隙约为4.9 eV,是理想的日盲深紫外光电探测材料.最近,研究者利用β-Ga_(2)O_(3)薄膜,成功研制了四象限结构位置敏感日盲深紫外光电探测器.该研究为Ga_(2)O_(3)在深紫外光、X射线定位或成像等领域的实... 超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)的带隙约为4.9 eV,是理想的日盲深紫外光电探测材料.最近,研究者利用β-Ga_(2)O_(3)薄膜,成功研制了四象限结构位置敏感日盲深紫外光电探测器.该研究为Ga_(2)O_(3)在深紫外光、X射线定位或成像等领域的实际应用提供了思路. 展开更多

关键词 光电导 超宽禁带半导体 位置敏感探测器

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