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半导体纳米颗粒载流子的超快弛豫过程
1
作者
黄曙亮
梁瑞生
+1 位作者
陈振宇
廖浩祥
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期607-612,共6页
分析了纳米颗粒的能级结构,建立了载流子弛豫的简化模型,运用数值模拟方法讨论了激发密度、表面态密度及俘获态电子的弛豫率对弛豫过程的影响。讨论结果表明,激发密度的增大及表面态的减少都会导致表面态上电子的饱和,使导带上出现电子...
分析了纳米颗粒的能级结构,建立了载流子弛豫的简化模型,运用数值模拟方法讨论了激发密度、表面态密度及俘获态电子的弛豫率对弛豫过程的影响。讨论结果表明,激发密度的增大及表面态的减少都会导致表面态上电子的饱和,使导带上出现电子的积累,导带电子寿命增大;深俘获态电子的弛豫是影响材料响应速度的主要因素。应用此模型对近红外泵浦探测实验的结果进行分析,表明模型可望在实验结果分析上得到应用。
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关键词
光电子学
半导体纳米颗粒
超快载流子弛豫
速率方程
泵浦探测
下载PDF
职称材料
题名
半导体纳米颗粒载流子的超快弛豫过程
1
作者
黄曙亮
梁瑞生
陈振宇
廖浩祥
机构
华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术广东省高校重点实验室
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第5期607-612,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划973项目(2007CB307002)资助课题
文摘
分析了纳米颗粒的能级结构,建立了载流子弛豫的简化模型,运用数值模拟方法讨论了激发密度、表面态密度及俘获态电子的弛豫率对弛豫过程的影响。讨论结果表明,激发密度的增大及表面态的减少都会导致表面态上电子的饱和,使导带上出现电子的积累,导带电子寿命增大;深俘获态电子的弛豫是影响材料响应速度的主要因素。应用此模型对近红外泵浦探测实验的结果进行分析,表明模型可望在实验结果分析上得到应用。
关键词
光电子学
半导体纳米颗粒
超快载流子弛豫
速率方程
泵浦探测
Keywords
optoelectronics
semiconductor nanoparticle
ultrafast carrier relaxation
rate equation
pumpprobe
分类号
O431 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体纳米颗粒载流子的超快弛豫过程
黄曙亮
梁瑞生
陈振宇
廖浩祥
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010
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