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超级结MOSFET特性仿真分析
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作者 王卉如 张治国 +4 位作者 祝永峰 贾文博 李颖 任向阳 钱薪竹 《微处理机》 2023年第2期27-30,共4页
为实现硅基MOSFET功率器件低导通电阻和高击穿电压的折衷优化,在传统MOSFET漂移区中引入周期性排列的P区和N区,增加垂直分布的PN结结构,设计一种具有1200V耐压的超级结MOSFET。基于对工作原理的分析,使用Silvaco TCAD软件建立结构模型,... 为实现硅基MOSFET功率器件低导通电阻和高击穿电压的折衷优化,在传统MOSFET漂移区中引入周期性排列的P区和N区,增加垂直分布的PN结结构,设计一种具有1200V耐压的超级结MOSFET。基于对工作原理的分析,使用Silvaco TCAD软件建立结构模型,仿真该器件的电流-电压特性、转移特性以及耐压特性。由仿真结果归纳出所设计超级结MOSFET工作原理,并与传统MOSFET进行对比。实验结果显示该超级结MOSFET在诸多方面均存在优势,为新型硅基功率半导体器件的设计改进提供了新的思路。 展开更多
关键词 超级结mosfet TCAD仿真 电流-电压特性 转移特性 耐压特性
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一种适合于OLED电视电源应用的新型超级结MOSFET
2
作者 王俊生 肖胜安 彭俊彪 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期948-956,共9页
提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容... 提出了一种新型超级结MOSFET结构,通过优化Si表面漂移区的杂质分布以抑制器件的结型场效应管(JFET)效应,改善器件特性。首先通过技术计算机辅助设计(TCAD)模拟并对比了新型超级结MOSFET和现有超级结MOSFET的电场强度分布、栅漏耦合电容随漏极电压的变化和开关过程,发现600 V新型超级结MOSFET比现有600 V超级结MOSFET的击穿电压提高了15 V、比导通电阻减小约3%,开关特性得到了大幅改善,器件关断时漏极电压尖峰降低41 V,栅极电压尖峰降低10 V。该新型超级结MOSFET在国内晶圆制造平台上成功制作,获得了优异的器件性能。在300 W有机发光二极管(OLED)电视电源板上进行替代纵向双扩散MOSFET(VDMOSFET)的对比测试,发现电源系统使用该新型超级结MOSFET比使用现有超级结MOSFET,其电磁干扰(EMI)性能改善了4.32~5.8 dB;与使用VDMOSFET相比,在保持EMI性能同等水平的同时,系统效率提高了0.52%。 展开更多
关键词 超级结mosfet 纵向双扩散mosfet(VDmosfet) 电磁干扰(EMI) 有机发光二极管(OLED)电视电源
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