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H型栅PMOS跨导双峰效应建模
被引量：
1
1
作者
彭宏伟
曹梦玲
+3 位作者
黄天
王青松
朱少立
徐大为
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期947-952,共6页
H型栅SOI PMOS结构因为其抗辐照能力强,对称性较好,在SOI电路设计中得到广泛应用。但其跨导在栅电压变化时具有明显的双峰效应,而通用的BSIMSOI模型无法反映出该类器件的跨导双峰效应,为器件特性的仿真和预测带来了挑战。针对此问题,基...
H型栅SOI PMOS结构因为其抗辐照能力强,对称性较好,在SOI电路设计中得到广泛应用。但其跨导在栅电压变化时具有明显的双峰效应,而通用的BSIMSOI模型无法反映出该类器件的跨导双峰效应,为器件特性的仿真和预测带来了挑战。针对此问题,基于BSIMSOI仿真模型,利用子电路定义了两条并联的晶体管沟道,建立了H型栅PMOS结构的SPICE模型。该模型可有效表现SOI工艺下的PMOS器件的双峰效应。实验结果表明,与BSIMSOI相比,该文提出的模型误差均方根值(RMS)从6.91%下降至1.91%,同时,利用BSIMSOI的bin参数后,将W较小尺寸的模型RMS值降低了60%以上,可以良好地适用于SOI工艺H型栅PMOS结构建模和电路设计当中。
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关键词
BSIMSOI
器件建模
H型栅PMOS
跨导双峰
下载PDF
职称材料
题名
H型栅PMOS跨导双峰效应建模
被引量：
1
1
作者
彭宏伟
曹梦玲
黄天
王青松
朱少立
徐大为
机构
中国电子科技集团第五十八研究所
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第6期947-952,共6页
文摘
H型栅SOI PMOS结构因为其抗辐照能力强,对称性较好,在SOI电路设计中得到广泛应用。但其跨导在栅电压变化时具有明显的双峰效应,而通用的BSIMSOI模型无法反映出该类器件的跨导双峰效应,为器件特性的仿真和预测带来了挑战。针对此问题,基于BSIMSOI仿真模型,利用子电路定义了两条并联的晶体管沟道,建立了H型栅PMOS结构的SPICE模型。该模型可有效表现SOI工艺下的PMOS器件的双峰效应。实验结果表明,与BSIMSOI相比,该文提出的模型误差均方根值(RMS)从6.91%下降至1.91%,同时,利用BSIMSOI的bin参数后,将W较小尺寸的模型RMS值降低了60%以上,可以良好地适用于SOI工艺H型栅PMOS结构建模和电路设计当中。
关键词
BSIMSOI
器件建模
H型栅PMOS
跨导双峰
Keywords
BSIMSOI
device modeling
H-gate PMOS
transconductance bimodal
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
H型栅PMOS跨导双峰效应建模
彭宏伟
曹梦玲
黄天
王青松
朱少立
徐大为
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
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