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支撑技术AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究
1
作者 王勇 冯震 张志国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期49-51,56,共4页
报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3μm AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μm器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA。对器件的跨导特性进行了对比,得到最大跨导为306mS/mm的器件。同时对器件进行了微... 报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3μm AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μm器件的饱和电流为55.9mA,最大源漏电流为92.1mA。对器件的跨导特性进行了对比,得到最大跨导为306mS/mm的器件。同时对器件进行了微波小信号测试,推导出截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为18.5GHz和46GHz。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 跨导特性 直流特性
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基于Sentaurus的隧穿场效应晶体管仿真研究
2
作者 江瑞 《科技与创新》 2022年第7期174-177,共4页
隧穿场效应晶体管目前已成为低功耗器件的重要发展方向之一。提出了一种含pocket结构的新型异质结双栅隧穿场效应晶体管,基于Sentaurus TCAD仿真软件,将该新型器件与传统Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(Si/Ge_DGTFET)进行对比。研究... 隧穿场效应晶体管目前已成为低功耗器件的重要发展方向之一。提出了一种含pocket结构的新型异质结双栅隧穿场效应晶体管,基于Sentaurus TCAD仿真软件,将该新型器件与传统Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(Si/Ge_DGTFET)进行对比。研究两者能带结构、隧穿概率和跨导特性。仿真结果显示,新型器件的能带弯曲更加明显,更有利于隧穿的产生,新型器件的隧穿产生率是传统器件的数倍,其峰值达到1.497×10^(33) cm^(-3)·s^(-1),并且其跨导特性也要优于传统器件。 展开更多
关键词 异质结 隧穿场效应晶体管(TFET) 跨导特性 TCAD仿真
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