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量子线材料折射率变化偏振相关性研究
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作者 周熠 缪庆元 +1 位作者 何平安 王宝龙 《光学与光电技术》 2019年第3期60-65,共6页
有源区载流子浓度变化导引的折射率变化是许多新型光通信器件的工作机理,对量子线材料折射率变化偏振相关性的研究有利于改善器件的性能。首先分析了线区材料组分、垒区材料组分、柱状量子线直径和载流子浓度对量子线材料TE模和TM模折... 有源区载流子浓度变化导引的折射率变化是许多新型光通信器件的工作机理,对量子线材料折射率变化偏振相关性的研究有利于改善器件的性能。首先分析了线区材料组分、垒区材料组分、柱状量子线直径和载流子浓度对量子线材料TE模和TM模折射率变化的影响。以此为基础,提出了一种实现量子线材料折射率变化低偏振相关的多参数调配方法,并设计出C波段(1 530~1 565 nm)内折射率变化低偏振相关(<1%)的InGaAs/InGaAsP量子线材料,表明该多参数调配方法对量子线材料折射率变化低偏振相关的设计具有指导作用。 展开更多
关键词 量子线 载流子引导 折射率变化 偏振相关 多参数调配
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