本研究制备了一系列Co-Cr-V合金,在1200℃下扩散处理259 200 s。利用电子探针显微分析(EPMA)技术测定了各扩散偶的浓度-距离曲线,并根据测得的浓度-距离曲线用Whittle and Green方法计算了Co-Cr-V三元系在1200℃下的互扩散系数。基于本...本研究制备了一系列Co-Cr-V合金,在1200℃下扩散处理259 200 s。利用电子探针显微分析(EPMA)技术测定了各扩散偶的浓度-距离曲线,并根据测得的浓度-距离曲线用Whittle and Green方法计算了Co-Cr-V三元系在1200℃下的互扩散系数。基于本研究的实验数据和文献报道的热力学信息和相关子二元系的动力学参数,利用DICTRA软件优化得到Co-Cr-V体系fcc相的原子迁移率参数。运用优化得到的原子迁移率参数计算互扩散系数,并与实验数据比对,取得较好的一致性,从而验证了所得迁移率参数的可靠性。同时运用该迁移率参数计算了各扩散偶的浓度-距离曲线和扩散路径,计算结果与实验数据均符合良好,进一步验证了参数的合理性和准确性。展开更多
基金International Science and Technology Cooperation Program of China(2014DFA53040)National Natural Science Foundation of China(51571168)
文摘本研究制备了一系列Co-Cr-V合金,在1200℃下扩散处理259 200 s。利用电子探针显微分析(EPMA)技术测定了各扩散偶的浓度-距离曲线,并根据测得的浓度-距离曲线用Whittle and Green方法计算了Co-Cr-V三元系在1200℃下的互扩散系数。基于本研究的实验数据和文献报道的热力学信息和相关子二元系的动力学参数,利用DICTRA软件优化得到Co-Cr-V体系fcc相的原子迁移率参数。运用优化得到的原子迁移率参数计算互扩散系数,并与实验数据比对,取得较好的一致性,从而验证了所得迁移率参数的可靠性。同时运用该迁移率参数计算了各扩散偶的浓度-距离曲线和扩散路径,计算结果与实验数据均符合良好,进一步验证了参数的合理性和准确性。
文摘由于受热力学基本定律的限制 ,Si集成电路技术的发展已经日益接近极限 ,而 Si Ge材料的引入使得占据小于 1GHz频段的 Si产品可以进一步覆盖 2～ 30 GHz的 RF和无线通信市场。根据前人的材料研究工作 ,在普通 Si器件性能模拟的基础上 ,进一步研究长沟应变 Si Ge器件的模拟 ,引入了插值所得的近似因子以修正 silvaco中隐含的 Si Ge能带模型和迁移率参数。然后依据修正后的模型对 Si Ge
