期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
拓扑近藤绝缘体SmB_(6)中的奇异电子性质
1
作者 赵淦 张明远 +2 位作者 王佳敏 张旺 苗霖 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2021年第6期231-253,共23页
拓扑近藤绝缘体是一种本征的强关联拓扑电子体系,其体能隙来源于近藤关联效应。自2010年拓扑近藤绝缘体的理论概念被提出后,六硼化钐(SmB_(6))作为第一种被预测为拓扑近藤绝缘体的材料在这十多年中被多种实验手段反复研究验证,被广泛接... 拓扑近藤绝缘体是一种本征的强关联拓扑电子体系,其体能隙来源于近藤关联效应。自2010年拓扑近藤绝缘体的理论概念被提出后,六硼化钐(SmB_(6))作为第一种被预测为拓扑近藤绝缘体的材料在这十多年中被多种实验手段反复研究验证,被广泛接受认为是第一种拓扑近藤绝缘体。在这篇综述中,我们回顾了关于SmB_(6)的一些重要实验结果,比如电输运测量,角分辨光电子能谱(ARPES),表面形貌分析(STM)等,并论述了如何通过这些关键的实验证据证实SmB_(6)的拓扑近藤绝缘物相。同时,我们也展示了SmB_(6)这一关联电子体系的其他奇异物性,包括中间价态在表面和体内的分离现象,以及量子振荡发现的体振荡信号等等。这些性质表明我们对SmB_(6)这一材料的理解仍然不充分,其中还有更为丰富的物理值得挖掘。 展开更多
关键词 拓扑近藤绝缘体 六硼化钐 角分辨光电子能谱 表面态
下载PDF
SmB6单晶纳米结构的可控制备及场发射特性研究
2
作者 张彤 黎子娟 +6 位作者 郭泽堃 田颜 林浩坚 许宁生 陈军 邓少芝 刘飞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期199-204,共6页
作为一种典型的近藤拓扑绝缘体,近年来六硼化钐(SmB6)材料受到了凝聚态物理和材料科学领域研究者的广泛关注。与块体材料相比,SmB6纳米材料由于具有更大的比表面积而拥有更为丰富的表面电子态,因此被认为是一个研究表面量子效应和物理... 作为一种典型的近藤拓扑绝缘体,近年来六硼化钐(SmB6)材料受到了凝聚态物理和材料科学领域研究者的广泛关注。与块体材料相比,SmB6纳米材料由于具有更大的比表面积而拥有更为丰富的表面电子态,因此被认为是一个研究表面量子效应和物理机制的理想平台。由于场发射电流主要来源于纳米材料的表面态,所以研究SmB6纳米材料的场发射特性可以为研究其表面量子特性提供有益的参考。本研究利用化学气相沉积法,通过控制实验条件在硅衬底上分别实现了SmB6纳米带和纳米线薄膜的生长。研究结果表明:所制备的SmB6纳米线和纳米带分别为沿着[100]和[110]方向生长的立方单晶结构。场发射特性的测试结果发现:SmB6纳米带薄膜的开启电场为3.24 V/μm,最大电流密度达到了466.16μA/cm2,其场发射性能要优于纳米线薄膜。同时考虑到SmB6拥有很低的电子亲和势、高电导率和丰富的表面电子态,所以若可以进一步提高其场发射特性,那么很可能在冷阴极电子源领域有潜在应用。 展开更多
关键词 六硼化钐 近藤拓扑绝缘体 纳米线 纳米带 场致电子发射
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部