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DILAS推出新型准连续高功率半导体激光器垂直叠阵
1
《光机电信息》 2009年第7期50-50,共1页
德国半导体激光有限公司日前推出了DILAS新型准连续高功率半导体垂直叠阵。该叠阵结构紧凑,可实现波长范围在808nm至900多nm之间,每个阵列的输出峰值功率高达300W,快轴准直可选。
关键词 高功率半导体激光器 准连续 垂直 结构紧凑 波长范围 峰值功率 快轴准直 阵列
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基于金刚石膜热沉的高功率半导体激光器封装技术研究
2
作者 张扬 高鑫 巨一洋咏 《微型计算机》 2025年第7期124-126,共3页
高功率半导体激光器因其独特的性能优势在工业加工、医疗和通信等领域得到越来越广泛的应用。然而,高功率激光器在工作过程中产生的大量热量成为制约其性能提升和可靠性的关键瓶颈。传统的热沉材料和封装结构已难以满足高功率器件的散... 高功率半导体激光器因其独特的性能优势在工业加工、医疗和通信等领域得到越来越广泛的应用。然而,高功率激光器在工作过程中产生的大量热量成为制约其性能提升和可靠性的关键瓶颈。传统的热沉材料和封装结构已难以满足高功率器件的散热需求。本文针对高功率半导体激光器热管理难题,提出采用金刚石薄膜作为新型热沉材料的创新方案。在分析高功率激光器热特性和散热挑战的基础上,从热沉材料、界面热阻、结构设计、集成工艺等方面系统开展金刚石膜热沉的研究,构建热⁃力多场耦合分析模型,优化热沉结构参数。通过散热性能测试、功率及光束质量表征评估金刚石膜热沉对器件性能的提升作用,并进行长期可靠性验证。 展开更多
关键词 高功率半导体激光器 热管理 金刚石薄膜
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高功率半导体激光器过渡热沉封装技术研究 被引量：1
3
作者 周小舒 黄庆 《科技资讯》 2024年第18期84-86,共3页
首先,通过有效改善激光器的热管理和稳定性能,包括热沉设计、封装材料选择、界面优化等,这些措施共同作用于激光器的热管理系统中,以确保激光器在高功率运行下仍能保持稳定和高效的性能。其次,通过热分析和模拟,优化过渡热沉与激光器芯... 首先,通过有效改善激光器的热管理和稳定性能,包括热沉设计、封装材料选择、界面优化等,这些措施共同作用于激光器的热管理系统中,以确保激光器在高功率运行下仍能保持稳定和高效的性能。其次,通过热分析和模拟,优化过渡热沉与激光器芯片之间的界面接触,降低接触热阻,提高热传导效率。最后,通过仿真计算和实验验证,评估技术的性能和优化效果。研究表明,这些技术对提高激光器的散热效果和长期稳定性具有重要意义,并推动激光器技术的发展。 展开更多
关键词 过渡热沉 高功率半导体激光器 焊料 材料热阻
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941nm连续波高功率半导体激光器线阵列 被引量：4
4
作者 辛国锋 花吉珍 +3 位作者 陈国鹰 康志龙 安振峰 冯荣珠 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2004年第2期269-272,共4页
用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长、为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A... 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长、为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为77％),最高转换效率超过45％,阈值电流密度为117A/cm^2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。 展开更多
关键词 高功率 金属有机化合物气相淀积 半导体激光器阵列 单量子阱
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高功率高亮度半导体激光器合束进展 被引量：26
5
作者 王立军 彭航宇 +2 位作者 张俊 秦莉 佟存柱 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第4期1-10,共10页
半导体激光器体积小、效率高,但单元输出功率低、光束质量差限制了其应用。介绍了提升半导体激光器功率及光束质量的最新进展,对各种技术途径和实验结果进行了综述报道,并具体介绍了中国科学院长春光学精密机械与物理研究所近年来在高... 半导体激光器体积小、效率高,但单元输出功率低、光束质量差限制了其应用。介绍了提升半导体激光器功率及光束质量的最新进展,对各种技术途径和实验结果进行了综述报道,并具体介绍了中国科学院长春光学精密机械与物理研究所近年来在高亮度半导体激光器芯片及合束方面取得的进展。 展开更多
关键词 半导体激光器 高功率 高亮度 激光合束
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高功率半导体激光器技术发展与研究 被引量：13
6
作者 刘国军 薄报学 +2 位作者 曲轶 辛德胜 姜会林 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期272-274,共3页
高功率半导体激光器及阵列具有可用激光波长丰富、电光转换效率高、调制特性好等许多优点,特别是作为固体激光器和光纤激光器的高效率泵浦源而获得的全固态紧凑型激光器,持续受到极大的关注,得到快速发展。近年来在高功率阵列半导体激... 高功率半导体激光器及阵列具有可用激光波长丰富、电光转换效率高、调制特性好等许多优点,特别是作为固体激光器和光纤激光器的高效率泵浦源而获得的全固态紧凑型激光器,持续受到极大的关注,得到快速发展。近年来在高功率阵列半导体激光器模块化技术、超高效率、高效冷却技术、半导体激光器及阵列的光束质量优化、高效电源驱动技术等方面都取得了长足的进步,促进了其广泛应用。将结合高功率半导体激光国家重点实验室的研究工作,概述近年来国内外半导体激光器技术的研究进展状况和发展趋势。 展开更多
关键词 高功率 半导体激光器 阵列 效率
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基于ZEMAX高功率半导体激光器光纤耦合设计 被引量：11
7
作者 周泽鹏 薄报学 +4 位作者 高欣 王文 许留洋 王云华 周路 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1208-1212,共5页
随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将12只波长为808 nm、输出功率... 随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将12只波长为808 nm、输出功率为10 W的单管半导体激光器通过合束方法高效率耦合进光纤。耦合光纤芯径为150μm、数值孔径为0.22,光纤输出功率为116.2 W,耦合效率为96.8%。 展开更多
关键词 半导体激光器 ZEMAX 高效率 高功率 光纤耦合
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高功率1060nm半导体激光器波导结构优化 被引量：10
8
作者 李特 郝二娟 +3 位作者 李再金 王勇 芦鹏 曲轶 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期226-230,共5页
针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源区的位置进行了优化,... 针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源区的位置进行了优化,并设计了非对称、宽波导结构.对不同模式的限制因子进行了计算,结果表明,优化后的非对称波导结构能够在降低基模的限制因子的同时,增加高阶模式的损耗. 展开更多
关键词 高功率半导体激光器 1060nm 波导宽度 模式
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高功率高亮度半导体激光器件 被引量：11
9
作者 顾媛媛 彭航宇 +5 位作者 王祥鹏 单肖楠 尹红贺 刘云 宁永强 王立军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第3期481-484,共4页
由于半导体激光器在光电转换效率、输出功率、使用寿命等方面的优势,广泛应用于军事领域。为提高输出功率,将两束同一波长不同偏振态的激光束耦合以获得更高功率输出,是目前国际研究的热点之一。进行国内连续808nm两半导体激光迭阵耦合... 由于半导体激光器在光电转换效率、输出功率、使用寿命等方面的优势,广泛应用于军事领域。为提高输出功率,将两束同一波长不同偏振态的激光束耦合以获得更高功率输出,是目前国际研究的热点之一。进行国内连续808nm两半导体激光迭阵耦合实验。采用自行设计光学系统对光束进行扩束聚焦,可耦合输出光斑2mm×2mm,总体输出效率大于50%。国内没有对迭阵进行耦合实验的报道。为达到耦合器件的输出效率自行设计耦合选择器的镀膜材料体系,并将此研究应用于光电对抗实验中。 展开更多
关键词 光电对抗 半导体激光器 偏振耦合技术 高功率
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高功率半导体激光器光纤耦合实验研究 被引量：8
10
作者 余俊宏 郭林辉 +2 位作者 高松信 谭昊 尹新启 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期28-31,共4页
为进一步提高光纤耦合半导体激光器的输出功率,提出了一种多单管半导体激光器通过台阶分布、光束精密准直及自由空间合束实现高功率光纤耦合输出的方法,该方法具有结构简单、光学元件易于加工、耦合效率高等优点。采用这种方法对5只封... 为进一步提高光纤耦合半导体激光器的输出功率,提出了一种多单管半导体激光器通过台阶分布、光束精密准直及自由空间合束实现高功率光纤耦合输出的方法,该方法具有结构简单、光学元件易于加工、耦合效率高等优点。采用这种方法对5只封装在次热沉上的单管半导体激光器开展了芯径100μm、数值孔径0.22多模光纤的耦合实验研究,当工作电流为7.0 A时,光纤连续输出功率为21.8 W,亮度为1.83 MW/(cm^2·sr),耦合效率为70.32%。 展开更多
关键词 高功率激光 半导体激光器 光纤耦合 空间合束
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808nm高占空比大功率半导体激光器阵列 被引量：5
11
作者 李再金 胡黎明 +5 位作者 王烨 张星 王祥鹏 秦莉 刘云 王立军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1615-1618,共4页
采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构,通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流,从而提高半导体激光器阵列的输出功率;同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度,优化N面合金条件,降低... 采用渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构,通过降低非辐射复合、有源层载流子泄露、散射和吸收损耗来提高出射效率和降低激光阈值电流,从而提高半导体激光器阵列的输出功率;同时使P面具有更高的粒子掺杂数密度,优化N面合金条件,降低半导体激光器的串联电阻,降低焦耳热,提高了半导体激光器阵列的转换效率。利用金属有机化学气相淀积技术生长GaInAsP/InGaP/AlGaAs渐变折射率分别限制单量子阱宽波导结构激光器材料,利用该材料制成半导体激光线阵列在20%高占空比的输入电流下,半导体激光器的输出峰值功率达到189.64 W(180 A),斜率效率为1.1 W/A,中心波长为805.0 nm,阈值电流为7.6 A,电光转换效率最高可达55.4%;在1%占空比的输入电流下,阵列的输出峰值功率可达324.9 W(300 A),斜率效率为1.11 W/A,阈值电流为7.8 A,电光转化效率最高达55.6%,中心波长为804.5 nm。 展开更多
关键词 半导体激光器 大功率 高占空比 激光器阵列
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高功率线阵半导体激光器光纤耦合设计 被引量：10
12
作者 武德勇 高松信 +1 位作者 严地勇 唐淳 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期19-20,共2页
本文通过分析高功率线阵半导体激光器的激光输出特性,设计了一种微台阶反射镜阵列对其进行光束变换,并分别采用几何光线追迹法和高斯光束的ABCD定律,模拟计算了光束变换情况。计算结果表明,本文设计的光束变换系统。可将10mm宽的线阵半... 本文通过分析高功率线阵半导体激光器的激光输出特性,设计了一种微台阶反射镜阵列对其进行光束变换,并分别采用几何光线追迹法和高斯光束的ABCD定律,模拟计算了光束变换情况。计算结果表明,本文设计的光束变换系统。可将10mm宽的线阵半导体激光器的输出激光耦合进一根芯径为800μm,数值孔径NA≥0.37的光纤中。 展开更多
关键词 高功率 线阵半导体激光器 光纤耦合 光束变换
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小发散角高功率半导体激光器研究 被引量：9
13
作者 王晓燕 赵润 沈牧 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第3期302-304,335,共4页
在量子阱半导体激光器中,量子尺寸引起的衍射效应使半导体激光器的光束质量很差。分别限制结构的垂直结平面发散角在40°左右,使得光束整形系统比较复杂,限制了半导体激光器的直接应用。为解决这一问题,提出了降低垂直结平面发散角... 在量子阱半导体激光器中,量子尺寸引起的衍射效应使半导体激光器的光束质量很差。分别限制结构的垂直结平面发散角在40°左右,使得光束整形系统比较复杂,限制了半导体激光器的直接应用。为解决这一问题,提出了降低垂直结平面发散角的要求。回顾了小发散角半导体激光器的技术发展及应用,对具有小发散角的模式扩展波导结构进行了理论模拟和实验验证,获得了优化的结构。采用MOCVD外延技术生长了外延片,制作了高峰值功率脉冲激光器,获得了快轴发散角小于25,°峰值功率大于80W的半导体激光器,在激光引信应用中获得良好效果。 展开更多
关键词 半导体激光器 发散角 模式扩展 高功率
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高功率905nm InGaAs隧道结串联叠层半导体激光器 被引量：4
14
作者 李辉 曲轶 +2 位作者 张剑家 辛德胜 刘国军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2517-2520,共4页
设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200μm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度1... 设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200μm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度100ns,重复频率10kHz,30A工作电流下输出功率达到80 W,峰值发射波长为905.6nm,器件的阈值电流为0.8A,水平和垂直方向的发散角分别为7.8°和25°。 展开更多
关键词 高功率 应变量子阱 隧道结 半导体激光器
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连续半导体激光器单条阵列老化筛选系统 被引量：3
15
作者 任永学 邓海丽 +1 位作者 程义涛 王晓燕 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第7期469-471,476,共4页
介绍了用于连续高功率半导体激光器单条阵列的老化筛选系统,通过对积分球采集激光功率进行理论分析,确定了积分球内壳的参数。采用水冷积分球,实现了激光功率探测部分的冷却,同时解决了激光功率采集以及球壳内部散热的问题。利用光电探... 介绍了用于连续高功率半导体激光器单条阵列的老化筛选系统,通过对积分球采集激光功率进行理论分析,确定了积分球内壳的参数。采用水冷积分球,实现了激光功率探测部分的冷却,同时解决了激光功率采集以及球壳内部散热的问题。利用光电探测器、数据采集卡等硬件实现了激光功率信号的光电转换以及模数转换,基于LabVIEW环境开发了激光功率采集软件,实现了对高功率激光的实时采集、记录。最终建立了采集稳定性好、准确度高的老化筛选系统。 展开更多
关键词 连续高功率半导体激光器 老化筛选 水冷积分球 模数(A/D)转换 实验室虚拟仪器工作平台(LabVIEW)
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基于Innography平台的高功率半导体激光器专利分析 被引量：5
16
作者 郝屹 王戴尊 戴磊 《现代情报》 CSSCI 北大核心 2015年第10期128-133,139,共7页
本文利用Innography专利检索与分析平台,对高功率半导体激光器专利进行检索,并对检索结果进行核心专利分析、可视化分析及引证分析等,得出了全球高功率半导体激光器专利技术的发展研究概况,供该领域研究人员借鉴和参考。
关键词 Innography 专利检索 专利分析 专利情报 高功率半导体激光器
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高功率半导体激光器在金属材料加工中的应用 被引量：11
17
作者 李学敏 苏国强 +1 位作者 翟光美 刘青明 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2016年第2期140-143,共4页
高功率半导体激光器及其阵列具有体积小、质量轻、能耗低、光斑易调节、光电转换效率较高的优点,广泛应用于金属材料焊接、金属表面相变硬化和金属材料表面熔覆。利用高功率半导体激光器可以连续性焊接不同型号的合金钢,获得大面积深度... 高功率半导体激光器及其阵列具有体积小、质量轻、能耗低、光斑易调节、光电转换效率较高的优点,广泛应用于金属材料焊接、金属表面相变硬化和金属材料表面熔覆。利用高功率半导体激光器可以连续性焊接不同型号的合金钢,获得大面积深度均匀的相变硬化层,也能够精确控制熔覆层结构及其几何形状。 展开更多
关键词 高功率半导体激光器 焊接 淬火 激光熔覆 材料表面硬化 金属材料加工
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高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤 被引量：2
18
作者 曹玉莲 王乐 +4 位作者 潘玉寨 廖新胜 程东明 刘云 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期477-480,共4页
在使用综合参数测试仪测试 80 8nm发射的半导体量子阱激光器的过程中 ,出现了一种由电浪涌所导致的灾变性损伤。通过测试的功率曲线和伏安特性曲线 ,断定激光器出现了灾变性的损伤 ,同时测试的发射光谱不再是激射光谱 ,而是由自发辐射... 在使用综合参数测试仪测试 80 8nm发射的半导体量子阱激光器的过程中 ,出现了一种由电浪涌所导致的灾变性损伤。通过测试的功率曲线和伏安特性曲线 ,断定激光器出现了灾变性的损伤 ,同时测试的发射光谱不再是激射光谱 ,而是由自发辐射所产生的荧光光谱。由扫描电镜 (SEM )观察到了激光器的腔面膜出现了熔化 ,证实激光器的确发生了灾变性损伤。作为对比 ,我们引用了另一种在测试中发现的快速退化现象 ,对两种退化出现的原因进行了理论上的分析 ,了解到激光器的退化主要还是由器件本身的材料、结构以及后期的工艺过程所决定的 ,在测试器件过程中电浪涌只不过会加速或产生突然灾变性退化。通过测试我们建立了一种比较简单的检验一个激光器质量可靠性的方法 。 展开更多
关键词 高功率半导体 量子阱激光器 测试 电浪涌 灾变性损伤 激光二极管
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940nm高功率列阵半导体激光器 被引量：2
19
作者 曲轶 石家纬 +3 位作者 薄报学 高欣 张宝顺 张兴德 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期276-278,共3页
利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs,100Hz)输出功率达到27W(室温),峰值波长为939～941nm,并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。
关键词 分子束外延 输出功率 列阵半导体激光器 高功率
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连续波工作大功率半导体激光器阵列的温度分布 被引量：1
20
作者 辛国锋 瞿荣辉 +3 位作者 陈晨 陈高庭 封惠忠 方祖捷 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期9-11,共3页
用Ansys软件模拟了大功率半导体激光器阵列的稳态温度分布,并对自行研制的半导体激光器阵列的温度变化进行了测试,结果表明理论计算与实验结果基本吻合。该模拟结果对大功率半导体激光器阵列的封装设计具有现实的指导意义。
关键词 半导体激光器阵列 连续波 温度分布 大功率
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