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电气产品通孔回流焊工艺研究
1
作者 鲍军云 王高垒 +1 位作者 彭学军 李磊 《电气技术》 2024年第4期66-71,76,共7页
随着电气产品向密集化、小型化方向快速发展,表面贴装技术已成为印制电路板(PCB)组装的主流技术,因此通孔回流焊工艺的应用越来越广泛。本文重点从锡膏选型、钢网开孔工艺优化、元器件性能、PCB焊盘设计优化等角度展开研究,并通过实际... 随着电气产品向密集化、小型化方向快速发展,表面贴装技术已成为印制电路板(PCB)组装的主流技术,因此通孔回流焊工艺的应用越来越广泛。本文重点从锡膏选型、钢网开孔工艺优化、元器件性能、PCB焊盘设计优化等角度展开研究,并通过实际生产验证了通孔回流焊工艺能够拓展高密度、细间距产品的生产窗口,并解决了锡珠、空洞等焊接问题。该工艺能从多方面替代传统波峰焊工艺,可提升元器件的焊接质量,使焊接可靠性大大提高,为有效推进表贴化工艺、降低生产成本、提高生产效率提供支撑。 展开更多
关键词 通孔回流焊工艺 焊接质量 生产效率 表面贴装 元器件
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新型整平剂对电镀铜填通孔的影响及机制探究
2
作者 许昕莹 肖树城 +2 位作者 张路路 丁胜涛 肖宁 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第5期92-100,共9页
针对目前国内电子电镀专用化学品瓶颈问题,合成了一种由含氮杂环与含氧碳链组成的新型整平剂分子SC-21。通过哈林槽实验、循环伏安法(CV)、计时电位法(CP&CPCR)和电化学交流阻抗谱(EIS)对比,研究了常见整平剂健那绿(JGB)、聚乙烯亚... 针对目前国内电子电镀专用化学品瓶颈问题,合成了一种由含氮杂环与含氧碳链组成的新型整平剂分子SC-21。通过哈林槽实验、循环伏安法(CV)、计时电位法(CP&CPCR)和电化学交流阻抗谱(EIS)对比,研究了常见整平剂健那绿(JGB)、聚乙烯亚胺烷基盐(PN)与新型整平剂SC-21在电镀铜填充通孔过程中的作用差异。结果表明:以一定浓度SC-21为整平剂时可出现“蝴蝶填充”现象,进而实现对深径比2∶1通孔的无空洞填充;与JGB和PN相比,此浓度下的SC-21在较宽的电流密度范围内具有动态吸附行为,可产生“负微分电阻效应”,使得通孔内呈现与“蝴蝶填充”形状相匹配的沉铜速率梯度,最终实现对通孔的无空洞填充。 展开更多
关键词 通孔填充 整平剂 蝴蝶技术 变电流计时电位法 负微分电阻效应
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厚印制板通孔回流焊接工艺
3
作者 冯明祥 蒋庆磊 余春雨 《电子工艺技术》 2024年第2期48-50,共3页
针对厚印制板通孔回流焊接工艺的技术难点,开展厚印制板通孔回流焊接工艺试验,研究了焊膏在回流焊接过程中的形态变化、焊膏涂覆方法对焊接空洞产生的作用以及焊膏涂覆方法对焊料垂直填充率的影响。试验结果表明焊膏在通孔回流焊过程经... 针对厚印制板通孔回流焊接工艺的技术难点,开展厚印制板通孔回流焊接工艺试验,研究了焊膏在回流焊接过程中的形态变化、焊膏涂覆方法对焊接空洞产生的作用以及焊膏涂覆方法对焊料垂直填充率的影响。试验结果表明焊膏在通孔回流焊过程经历坍塌、稳定、熔化和回缩阶段,焊膏涂覆方法会影响引脚孔内气体的逸出,焊膏避让过孔可有效提升焊料垂直填充率。 展开更多
关键词 通孔回流焊 垂直填充率 焊膏涂覆
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通孔灌浆连接预制混凝土加装电梯结构设计方法研究
4
作者 马泽峰 王平山 李承铭 《结构工程师》 2024年第2期192-201,共10页
采用通孔灌浆连接的预制混凝土加装电梯结构可广泛适用于既有多层住宅加装电梯工程。介绍了此结构的体系构成、施工过程及结构关键尺寸,包括典型电梯井道尺寸、剪力墙最小厚度及连廊悬挑长度等;探讨了预制结构的多种拆分方案及起吊设备... 采用通孔灌浆连接的预制混凝土加装电梯结构可广泛适用于既有多层住宅加装电梯工程。介绍了此结构的体系构成、施工过程及结构关键尺寸,包括典型电梯井道尺寸、剪力墙最小厚度及连廊悬挑长度等;探讨了预制结构的多种拆分方案及起吊设备选型;复核了结构具体构造的设计依据。通过结构模型的性能指标、大震动力非线性分析等,详细论述了结构的整体受力性能。对悬挑连廊偏心影响、通孔内竖向通长钢筋设计、底层电梯井筒正截面性能化设计及底层井筒灌浆拼接面水平施工缝抗剪强度等结构设计的重、难点问题进行了专项论证。经与钢框架加装电梯结构的经济性对比可知,结构具备安全性、经济性及耐久性,符合绿色建筑的建造要求。随着规模化产品的推出,既有住宅加装电梯工程将逐步实现替代升级。 展开更多
关键词 装配式钢筋混凝土结构 加装电梯 通孔灌浆连接 悬挑连廊
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民用航空产品通孔元器件去金工艺参数研究与应用
5
作者 杨志芹 钱叶华 陈钰 《机电工程技术》 2024年第4期278-281,共4页
镀金元器件直接焊接易产生金脆,当合金层中金的含量大于3%时,明显表现为其焊点机械强度大大减小,结合部性能变脆和焊点连接不可靠,存在一定的质量隐患。基于上述问题,随着国产化镀金元器件越来越多,去金问题变得更紧迫,结合民用航空产... 镀金元器件直接焊接易产生金脆,当合金层中金的含量大于3%时,明显表现为其焊点机械强度大大减小,结合部性能变脆和焊点连接不可靠,存在一定的质量隐患。基于上述问题,随着国产化镀金元器件越来越多,去金问题变得更紧迫,结合民用航空产品的可靠性要求,提出了主要针对民用航空产品通孔元器件去金工艺参数研究方法,以去金时间、温度为动态因子在工艺参数允许范围内多组参数组合后进行元器件去金操作,同时为保证去金面积大于待焊表面95%的要求设计了专用工装,然后对去金元器件采用元素分析法和IMC分析法对不同工艺参数进行了验证与检测,得出了最优的去金工艺参数。通过典型常用元器件应用推广,结果表明得到的去金参数可控、可行、有效支撑电装工艺体系,为提升航空产品质量和性能提供了理论依据。 展开更多
关键词 民用航空产品 通孔元器件 去金工艺 工艺参数
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波纹管通孔柱轴压性能和滞回性能数值模拟
6
作者 杨博 张亚飞 +2 位作者 卢旦 杨英武 梁诗雪 《建筑科学与工程学报》 CAS 北大核心 2023年第5期99-107,共9页
为了降低装配式混凝土柱之间装配的施工难度并节约施工成本,提出了一种波纹管通孔钢筋直接连接技术。利用有限元计算软件ABAQUS模拟分析了波纹管通孔柱在单调加载和静力推覆加载工况下的力学性能,研究了波纹管通孔穿插纵筋连接技术对装... 为了降低装配式混凝土柱之间装配的施工难度并节约施工成本,提出了一种波纹管通孔钢筋直接连接技术。利用有限元计算软件ABAQUS模拟分析了波纹管通孔柱在单调加载和静力推覆加载工况下的力学性能,研究了波纹管通孔穿插纵筋连接技术对装配柱受压承载能力和滞回性能的影响。结果表明:与现浇混凝土柱相比,波纹管通孔柱的轴压承载力提高了约13%;当轴压比取0.2和0.6时,波纹管通孔柱的延性系数分别提高了31%和28%,累积滞回耗能分别提高了3%和9%;随着轴压比增大,波纹管通孔柱的延性出现降低,累积滞回耗能增大,且延性和累积滞回耗能都高于现浇混凝土柱;从装配柱混凝土的应力云图、损伤曲线、滞后曲线、骨架曲线、刚度退化曲线等指标分析可以发现,波纹管对核心混凝土和柱纵筋具有较大约束作用,可以延迟构件的塑性变形;提出的波纹管穿插纵筋连接技术可以实现预制混凝土柱之间的有效连接,且该连接方式装配柱的抗震性能要优于现浇混凝土柱。 展开更多
关键词 波纹管通孔柱 轴压性能 滞回性能 数值分析
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二系横向减振器常通孔径与城际列车平稳性匹配性研究
7
作者 张海英 潘全喜 宫岛 《铁道机车车辆》 北大核心 2023年第4期107-112,共6页
二系横向减振器对车辆的平稳性影响较大,城际列车与二系横向减振器常通孔的合理匹配能够提高车辆的动力学性能。基于多体动力学软件UM和车辆系统动力学理论、车辆动力学拓扑关系,完成城际列车动力学模型的建立,对减振器的结构和工作原... 二系横向减振器对车辆的平稳性影响较大,城际列车与二系横向减振器常通孔的合理匹配能够提高车辆的动力学性能。基于多体动力学软件UM和车辆系统动力学理论、车辆动力学拓扑关系,完成城际列车动力学模型的建立,对减振器的结构和工作原理进行介绍,通过减振器台架试验绘制不同的常通孔尺寸下的减振器阻尼特性曲线;在不同的速度工况和常通孔尺寸下,基于车体振动水平及车辆运行平稳性评价,完成城际列车与二系横向减振器常通孔径的匹配,并进行安全性指标校核。研究表明,在所关注常通孔径范围内,随着孔径的增大,车体振动加速度呈现先减小后增大的趋势,平稳性指标也先减小后增大;在不同的常通孔径情况下,随着运行速度的增大,横向Sperling指标始终都在增大,且增幅较明显,垂向Sperling指标值并非单调上升,选择常通孔径为1.1 mm时,车辆的平稳性与二系横向减振器匹配最佳,且安全性指标均在安全限界内。 展开更多
关键词 城际列车 二系横向减振器 常通孔 台架试验
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基于主动激励的硅通孔内部缺陷分类识别
8
作者 聂磊 刘江林 +2 位作者 于晨睿 骆仁星 张鸣 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第12期1521-1528,共8页
硅通孔(TSV)三维封装因其独特的工艺而备受关注,然而内部缺陷的检测一直是限制其进一步发展的难题。主动红外热成像技术是一种新型无损检测方法,具有无接触、高效率等优点,为实现对TSV内部典型缺陷的识别与分类,提出了一种基于激光加热... 硅通孔(TSV)三维封装因其独特的工艺而备受关注,然而内部缺陷的检测一直是限制其进一步发展的难题。主动红外热成像技术是一种新型无损检测方法,具有无接触、高效率等优点,为实现对TSV内部典型缺陷的识别与分类,提出了一种基于激光加热主动激励的TSV内部缺陷分类识别方法。以激光为辐射热源,充分激发TSV内部缺陷,通过理论与仿真分析,掌握不同内部缺陷在主动激励下的外部温度分布表现规律;建立卷积神经网络模型,通过对外部温度分布结果的训练,实现内部缺陷的分类识别。通过试验证明,该方法对典型TSV内部缺陷具有良好的识别能力,识别准确率可达97.12%。利用主动红外热成像检测方法实现了对TSV内部缺陷的有效检测,为三维封装缺陷检测提供了一种快速有效的方法。 展开更多
关键词 硅通孔 内部缺陷 主动激励 分类识别
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基于像差补偿的近红外显微干涉硅通孔测量 被引量：1
9
作者 吴春霞 马剑秋 +2 位作者 高志山 郭珍艳 袁群 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期301-312,共12页
为了实现深宽比大于6∶1的硅通孔的形貌测量,提出了一种基于像差补偿的近红外显微干涉检测方法。该方法采用近红外宽带光作为光源,能够穿透硅通孔,检测系统中内置变形镜自适应像差补偿模块,主动补偿硅通孔引入的调制像差。在检测硅通孔... 为了实现深宽比大于6∶1的硅通孔的形貌测量,提出了一种基于像差补偿的近红外显微干涉检测方法。该方法采用近红外宽带光作为光源,能够穿透硅通孔,检测系统中内置变形镜自适应像差补偿模块,主动补偿硅通孔引入的调制像差。在检测硅通孔三维形貌时,依据COMSOL Multiphysics有限元仿真软件得到的三维硅通孔高深宽比结构对探测光的调制像差规律,指导设置需变形镜补偿的像差种类和量值,用基于频域的评价函数指标阈值,判定硅通孔底部图像的聚焦状态,获得待测硅通孔清晰的底部图像,本质上提升探测光的重聚焦能力。在此基础上,使用垂直扫描干涉法得到待测硅通孔的深度与其三维形貌分布。实验测量了直径为10μm、深度为65μm、深宽比为6.5∶1和直径为10μm、深度为103μm、深宽比为10.3∶1的硅通孔深孔,并与高精度SEM的测量结果对比,深度测量的相对误差为1%。与白光显微干涉测量结果对比表明,本文所提出的方法可以获得清晰的高深宽比硅通孔的底部图像,有效增强底部的宽谱干涉信号和对比度,能够准确测量更高深宽比硅通孔的三维形貌。 展开更多
关键词 无损测量 光学显微干涉 自适应像差补偿 COMSOL仿真 硅通孔形貌
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加速剂对铝基覆铜板通孔电镀铜的影响 被引量：1
10
作者 曾祥健 袁振杰 +7 位作者 谭杰 黄俪欣 郑沛峰 杨晶 潘湛昌 胡光辉 何念 曾庆明 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第13期68-74,共7页
在由70 g/L硫酸铜、200 g/L浓硫酸、60 mg/L盐酸、200 mg/L聚乙二醇(PEG6000)和1 mg/L健那绿B(JGB)组成的基础镀液中分别添加聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、3-巯基-1-丙磺酸钠(MPS)和N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠(DPS)作为加速剂。通... 在由70 g/L硫酸铜、200 g/L浓硫酸、60 mg/L盐酸、200 mg/L聚乙二醇(PEG6000)和1 mg/L健那绿B(JGB)组成的基础镀液中分别添加聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、3-巯基-1-丙磺酸钠(MPS)和N,N-二甲基二硫代甲酰胺丙烷磺酸钠(DPS)作为加速剂。通过计时电位曲线测试和热冲击试验,研究了不同加速剂对通孔电镀铜的影响。结果表明,镀液中添加2.5 mg/L SPS或9 mg/L DPS作为加速剂时,镀液的深镀能力显著提高,所得Cu镀层的抗热冲击性能合格。 展开更多
关键词 铝基覆铜板 通孔 电镀铜 计时电位法 加速剂 深镀能力 抗热冲击性能
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200μm芯板激光通孔电镀填孔能力研究
11
作者 尹国臣 李俊 吴道俊 《印制电路信息》 2023年第S01期229-237,共9页
随着消费类电子产品板朝轻、薄、小方向发展,200μm芯板激光通孔的设计开始出现在埋芯片的HDI板中。本项目经过常规参数验证、空洞形成机理分析及通过电流密度、泵频率、脉冲周期的影响因素设计实验得到最优参数组合,能保证200μm芯板... 随着消费类电子产品板朝轻、薄、小方向发展,200μm芯板激光通孔的设计开始出现在埋芯片的HDI板中。本项目经过常规参数验证、空洞形成机理分析及通过电流密度、泵频率、脉冲周期的影响因素设计实验得到最优参数组合,能保证200μm芯板激光通孔90±10μm孔径填孔后孔内基本无空洞且填孔凹陷小于10μm,70μm孔径空洞率小于20%,80μm孔径空洞率小于10%,且空洞宽度小于15μm。小批量测试得到unit填孔不良率为0.00%,50次热油、20次回流焊的可靠性测试结果满足品质要求。 展开更多
关键词 激光通孔 电镀填通孔 空洞 埋芯片
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高电流密度通孔电镀铜用抑制剂的研究 被引量：1
12
作者 夏威 廖小茹 +5 位作者 洪捷凯 廖代辉 谭柏照 孙宇曦 曾庆明 罗继业 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第11期43-49,共7页
针对印制线路板(PCB)通孔高电流密度电镀的需求,通过循环伏安分析、霍尔槽试验和通孔电镀实验研究了不同分子量的聚乙二醇(包括PEG6000和PEG20000)、环氧乙烷(EO)与环氧丙烷(PO)共聚物(包括PE6400和17R4)及聚环氧乙烷-聚环氧丙烷单丁醚(... 针对印制线路板(PCB)通孔高电流密度电镀的需求,通过循环伏安分析、霍尔槽试验和通孔电镀实验研究了不同分子量的聚乙二醇(包括PEG6000和PEG20000)、环氧乙烷(EO)与环氧丙烷(PO)共聚物(包括PE6400和17R4)及聚环氧乙烷-聚环氧丙烷单丁醚(50HB-400)5种抑制剂对通孔导通电镀铜的影响。循环伏安分析表明,抑制剂对Cu电沉积的抑制能力受其分子结构和分子量的共同影响。抑制剂分子中PO结构含量越高,其抑制能力越强;分子结构相同时,抑制剂的分子量越大,其抑制强度越大。5种抑制剂都能够实现在1~10 A/dm2的电流密度范围内获得细致光亮的Cu镀层。采用100 mg/L 50HB-400作为抑制剂与2 mL/L加速剂聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)及5 mL/L整平剂L-500搭配使用时,能够在6 A/dm2的大电流密度下对深径比≤5∶1的通孔实现高均匀性电镀。 展开更多
关键词 印制线路板 通孔 电镀铜 抑制剂 均镀能力
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混合介质层类同轴硅通孔等效电路模型的建立与验证
13
作者 王晗 蔡子孺 +2 位作者 吴兆虎 王泽达 丁英涛 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期640-648,共9页
混合介质层类同轴硅通孔(coaxially-shielded through-silicon-via with mixed dielectric layer,MD CSTSV)结构由于其电学性能优良、制备工艺简单和成本低廉的特点,在高密度射频封装领域中具有极大的应用前景.本文基于多导体传输线理... 混合介质层类同轴硅通孔(coaxially-shielded through-silicon-via with mixed dielectric layer,MD CSTSV)结构由于其电学性能优良、制备工艺简单和成本低廉的特点,在高密度射频封装领域中具有极大的应用前景.本文基于多导体传输线理论和引入比例因子λ的环形介质层的复电容的计算公式,提取了该结构的单位长度RLGC电学参数,并建立了相应的等效电路模型.在0.1~40 GHz的频率范围内,利用MD CSTSV的等效电路模型仿真计算得到的S参数结果与基于HFSS全波仿真得到的S参数结果之间匹配良好,最大误差不超过7%.相关结果表明,所提取的MD CSTSV的单位长度RLGC电学参数以及相应的等效电路模型较为准确且可以很好地模拟其信号传输性能. 展开更多
关键词 硅通孔 类同轴 混合介质层 传输线理论
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PCB通孔高电流密度电镀铜用加速剂的研究
14
作者 杨晶 曾祥键 +2 位作者 陈春 潘湛昌 胡光辉 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第17期50-55,共6页
在由75 g/L硫酸铜、200 g/L浓硫酸和65 mg/L盐酸组成的基础镀液中添加1 mg/L聚乙二醇(PEG10000)作为抑制剂,1 mg/L2-巯基-5-甲基-1,3,4-噻二唑(MMTD)作为整平剂,以及1mg/L聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠(SH110)、3-... 在由75 g/L硫酸铜、200 g/L浓硫酸和65 mg/L盐酸组成的基础镀液中添加1 mg/L聚乙二醇(PEG10000)作为抑制剂,1 mg/L2-巯基-5-甲基-1,3,4-噻二唑(MMTD)作为整平剂,以及1mg/L聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)、噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠(SH110)、3-(苯并噻唑-2-巯基)丙烷磺酸钠(ZPS)、异硫脲丙基硫酸钠(UPS)、聚二硫二乙烷磺酸钠(SES)或聚二硫二己烷磺酸钠(SHS)作为加速剂。先通过计时电位法初步筛选得到合适的加速剂,再通过印制电路板(PCB)通孔电镀实验确定最佳加速剂。结果表明,采用1 mg/L UPS作为加速剂时,镀液在3 A/dm^(2)电流密度下的深镀能力达86.9%,所得铜镀层表面致密平整,抗热冲击性能良好。 展开更多
关键词 印制电路板 通孔 电镀铜 加速剂 计时电位法
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通孔对金属连线温度分布的影响
15
作者 裴颂伟 黄河 +1 位作者 何旭曙 鲍苏苏 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期385-388,共4页
详细讨论了考虑通孔自热的金属连线温度分布模型,并通过该模型,计算了不同通孔直径和高度情况下,单一及并行金属连线的温度分布。计算结果表明,通孔直径和通孔高度及并行金属连线间的热耦合对金属连线温度分布有重大的影响。
关键词 集成电路 通孔 金属连线 温度分布模型 通孔自热 通孔直径 通孔高度
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利用命题逻辑最大可满足性的冗余通孔最优插入方法
16
作者 杨成 杨骏 张亚东 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第7期1132-1138,共7页
在纳米尺度的集成电路设计中,冗余通孔插入是减轻通孔失效造成良率降低问题的常用技术.文中将最优冗余通孔插入问题规约到命题逻辑最大逻辑可满足性(maximum satisfiability,Max SAT)问题,并利用完备求解器求取最优解.Max SAT问题是一... 在纳米尺度的集成电路设计中,冗余通孔插入是减轻通孔失效造成良率降低问题的常用技术.文中将最优冗余通孔插入问题规约到命题逻辑最大逻辑可满足性(maximum satisfiability,Max SAT)问题,并利用完备求解器求取最优解.Max SAT问题是一个NP困难问题,采用2种方法来降低求解难度;一是预选取方法,将提前确定的不与其他通孔产生冲突的冗余通孔作为部分解来降低问题的规模;二是分治法,根据连通分量将原问题划分成多个子问题分别求解,降低求解的复杂度.同时,从理论上证明这2种方法能够保证解的最优性.在2019年国际物理设计研讨会(ISPD)举办的详细布线比赛基准测试集上进行实验的结果表明,所提出的插入方法带来的时间开销不到详细布线时间的5%,算法的最优性保证了最大化解决插入冲突后的插入率,在所有可插入通孔中,冗余通孔的插入率为67%~87%. 展开更多
关键词 冗余通孔插入 命题逻辑最大可满足性问题 版图后优化 可制造性设计
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高速印刷电路板间完整通孔的全波特性分析
17
作者 马德贵 任志军 孙玉发 《河南科技大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第1期45-48,共4页
首先将完整通孔分解成内部结构和外部结构,再将外部结构分解成短路问题和天线问题,内部结构分解成多个单层垂直通孔。分别对各分解部分进行全波分析,并根据各部分连接端口处的电流连续性条件将所有分解结构连接起来,实现对完整通孔的全... 首先将完整通孔分解成内部结构和外部结构,再将外部结构分解成短路问题和天线问题,内部结构分解成多个单层垂直通孔。分别对各分解部分进行全波分析,并根据各部分连接端口处的电流连续性条件将所有分解结构连接起来,实现对完整通孔的全波特性分析。给出了三种不同通孔结构的散射参数与损耗,并分析了损耗产生的原因。 展开更多
关键词 印刷电路板 通孔 全波特性 双面通孔 垂直通孔
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硅通孔技术可靠性技术概述
18
作者 刘倩 邱忠文 李胜玉 《环境技术》 2023年第6期128-132,共5页
为了响应集成电路行业更高速、更高集成度的要求,硅通孔技术(ThroughSiliconVia,TSV)成为了半导体封装核心技术之一,解决芯片垂直方向上的电气和物理互连,减小器件集成尺寸,实现封装小型化。本文介绍了硅通孔技术的可靠性,包括热应力可... 为了响应集成电路行业更高速、更高集成度的要求,硅通孔技术(ThroughSiliconVia,TSV)成为了半导体封装核心技术之一,解决芯片垂直方向上的电气和物理互连,减小器件集成尺寸,实现封装小型化。本文介绍了硅通孔技术的可靠性,包括热应力可靠性和工艺技术可靠性两方面。过大热应力可能会导致通孔侧壁粗糙,并影响内部载流子迁移率,从而使器件功能失效。可以通过采用热硅通孔、浅层沟槽隔离技术、合理调整通孔结构和深宽比来减小热应力。TSV工艺可靠性主要体现在通孔侧壁光滑程度和通孔导电材料填充效果,可通过循环氧化、在电镀液中加入抑制剂和加速剂以及熔融法进行改善。 展开更多
关键词 硅通孔技术 可靠性 热应力 扇贝纹
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基于神经网络的硅通孔电热瞬态优化方法
19
作者 刘正 杨银堂 单光宝 《微电子学与计算机》 2023年第11期104-111,共8页
针对三维集成微系统中高密度集成导致的热效应和复杂的多物理场耦合问题,提出了一种基于神经网络辅助人工蜂群的硅通孔电热瞬态优化方法,用于高效准确地分析三维微系统中硅通孔阵列的瞬态电热问题.利用有限元分析软件进行了电热耦合协... 针对三维集成微系统中高密度集成导致的热效应和复杂的多物理场耦合问题,提出了一种基于神经网络辅助人工蜂群的硅通孔电热瞬态优化方法,用于高效准确地分析三维微系统中硅通孔阵列的瞬态电热问题.利用有限元分析软件进行了电热耦合协同仿真,分析了设计参数(硅通孔半径、氧化物厚度、硅通孔间距)对硅通孔阵列中铜柱温度、微凸点温度等性能的影响.利用神经网络建立了设计参数与性能参数之间的映射关系.提出了一种具有性能约束的协同优化策略,并采用蜂群优化算法对设计参数进行优化.根据优化后的设计参数,有限元模拟结果与预测性能基本一致,结构的最高温度误差为2.6%.结论不仅证明了优化策略的可行性,且与传统有限元方法相比,该优化设计方法极大地缩短了仿真时间,简化了多场耦合中复杂数学分析. 展开更多
关键词 硅通孔 电热耦合 神经网络 蜂群优化 三维微系统
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消除硅通孔侧壁刻蚀损伤的方法
20
作者 康建波 商庆杰 王利芹 《电子工艺技术》 2023年第4期10-12,43,共4页
硅通孔刻蚀是TSV技术的重要工序步骤,采用标准博世(Bosch)工艺刻蚀硅通孔(宽为150μm),发现硅通孔侧壁出现多处刻蚀损伤。通过优化Bosch工艺参数增加沉积保护,消除了硅通孔侧壁刻蚀损伤问题,通孔开口差值,即通孔下开口宽度与通孔上开口... 硅通孔刻蚀是TSV技术的重要工序步骤,采用标准博世(Bosch)工艺刻蚀硅通孔(宽为150μm),发现硅通孔侧壁出现多处刻蚀损伤。通过优化Bosch工艺参数增加沉积保护,消除了硅通孔侧壁刻蚀损伤问题,通孔开口差值,即通孔下开口宽度与通孔上开口宽度的差,从原来的22μm减小到13μm。利用优化后的工艺配方对硅通孔和硅腔(宽为1 500μm)同时进行刻蚀时,发现硅腔刻蚀后会产生硅针,不能应用到实际生产。经过多轮次Bosch工艺参数调整,把Bosch工艺沉积步骤的偏置功率设置为10 W,同时解决了硅通孔侧壁刻蚀损伤和硅腔刻蚀出现硅针问题,最终成功应用到MEMS环形器系列产品当中。 展开更多
关键词 硅通孔刻蚀 TSV技术 Bosch工艺 刻蚀损伤 硅腔
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