开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性 被引量：4

1

作者 裴素华 薛成山 赵善麒 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期268-271,共4页

对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管，可明显改善器件... 对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管，可明显改善器件的通态伏安特性。 展开更多

关键词 晶闸管 开管 镓扩散 快速晶闸管 通态特性

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温度对3种IGBT结构通态特性的影响 被引量：3

2

作者 冯松 高勇 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2016年第6期97-100,共4页

从温度对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)通态特性影响出发,建立了3种1200 V穿通型-IGBT(PT-IGBT),非穿通型-IGBT(NPT-IGBT)和场阻止-IGBT(FS-IGBT)结构模型,分析了通态模型中通态电流和压降的组成成分,仿真了3种IGBT结构的通态温度特性,分析... 从温度对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)通态特性影响出发,建立了3种1200 V穿通型-IGBT(PT-IGBT),非穿通型-IGBT(NPT-IGBT)和场阻止-IGBT(FS-IGBT)结构模型,分析了通态模型中通态电流和压降的组成成分,仿真了3种IGBT结构的通态温度特性,分析了温度对3种IGBT结构通态特性的影响,得出了PT-IGBT的通态压降具有负温度系数,NPT-IGBT和FS-IGBT的通态压降在不同电流下的两种温度系数及温度对FS-IGBT的通态压降影响最小等结论。 展开更多

关键词 电力电子器件 绝缘栅双极型晶体管 通态特性

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SiGeC异质结功率二极管通态特性研究

3

作者 马丽 高勇 +1 位作者 刘静 王彩琳 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期455-459,共5页

研究了一种大功率低功耗p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低。当... 研究了一种大功率低功耗p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低。当电流密度为10 A/cm2时,Si p-i-n二极管的压降为0.655 V,而SiGeC异质结二极管的压降只有0.525 V,大大降低了器件的通态功耗。在相同正向电流密度的条件下,SiGeC异质结二极管在n-区存储的载流子比Si二极管的减少了1个数量级以上,这导致前者的关断时间远小于后者。 展开更多

关键词 硅锗碳/硅异质结功率二极管 正向通态特性 大功率 低功耗

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快速晶闸管通态特性的改善 被引量：1

4

作者 刘国辉 田石 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期188-192,共5页

从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响晶闸管通态压降的主要因素中,着重分析了提高晶闸管j3结的注入比降低通态压降的机理。为获得比较理想的杂... 从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响晶闸管通态压降的主要因素中,着重分析了提高晶闸管j3结的注入比降低通态压降的机理。为获得比较理想的杂质浓度分布,增大j3结两侧杂质浓度的比值,在快速晶闸管的制造中,p型扩散工艺采用了固态源闭管式镓铝双质掺杂技术。研究结果表明:采用该技术制造的快速晶闸管,通态基本特性参数具有较好的一致性,通态压降明显降低,通态特性明显改善,关断时间与通态压降的关系也得到了合理的协调,提高了器件的综合电气性能。 展开更多

关键词 快速晶闸管 通态特性 镓铝双质掺杂 杂质浓度分布 注入比

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双向晶闸管通态电压特性曲线分析 被引量：1

5

作者 李树良 赵善麒 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期28-30,共3页

根据实验数据给出了双向晶闸管(TRIAC)的通态电压特性曲线。通过对特性曲线的分析,认为用铬-镍-银阻挡层烧结新工艺可大大改善双向晶闸管的双向通态特性。

关键词 双向晶闸管 通态特性 电压特性曲线

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PiN二极管通态模拟函数的研究

6

作者 矫健 揣荣岩 +1 位作者 高占成 潘福泉 《变频技术应用》 2012年第1期49-53,共5页

叙述了研究功率半导体器件通态特性的重要性，在分析国际三大著名通态伏安特性公式的基础上，说明了通态模拟函数的理论依据及运用matlab程序的制作方法，阐述了采用通态模拟函数的现实意义。

关键词 PIN二极管 通态特性 模拟函数 matlab方法

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PiN二极管通态模拟函数的研究 被引量：1

7

作者 高占成 矫健 潘福泉 《电源技术应用》 2013年第3期45-50,共6页

叙述了研究功率半导体器件通态特性的重要性，在分析国际三大著名通态伏安特性公式的基础上，说明了通态模拟函数的理论依据及运用maflab程序的制作方法，阐述了采用通态模拟函数的现实意义。

关键词 PIN二极管 通态特性 模拟函数 matlab方法

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薄发射区晶闸管结构及特性的研究 被引量：2

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作者 余岳辉 徐静平 +1 位作者 陈涛 彭昭廉 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1993年第5期11-14,共4页

在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_T的关系式.分析计算表明,对一确定的宽度W_B和厚度W_P,在某一Q_E下有V_T极小值点存在;当W_P小于等于0.1μ... 在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_T的关系式.分析计算表明,对一确定的宽度W_B和厚度W_P,在某一Q_E下有V_T极小值点存在;当W_P小于等于0.1μm时,随着Q_E的减小,V_T单调下降并趋于一几乎不变的值;当Q_E大于某一值时,V_T与W_P无关,而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加.实验结果还表明,用LPCVD原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品,与普通晶闸管相比,有较好的速度特性. 展开更多

关键词 薄发射区 晶闸管 通态特性

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碳化硅MOSFET器件特性的研究 被引量：3

9

作者 钟志远 秦海鸿 +2 位作者 朱梓悦 袁源 余忠磊 《电气自动化》 2015年第3期44-45,67,共3页

由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET。为了准确地掌握碳化硅MOSFET在实际应用中的工作特性,利用双脉冲测试电路对器件特性进行了研究,重点对通态特... 由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET。为了准确地掌握碳化硅MOSFET在实际应用中的工作特性,利用双脉冲测试电路对器件特性进行了研究,重点对通态特性和开关特性进行了分析、总结,实验结果可对基于碳化硅MOSFET的变换器优化设计提供指导。 展开更多

关键词 碳化硅 双脉冲测试 MOSFET 开关特性 通态特性

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集成门极换流晶闸管器件特性研究 被引量：6

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作者 吴煜东 陈芳林 +1 位作者 雷云 蒋谊 《大功率变流技术》 2012年第6期1-4,共4页

简要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)器件的结构,描述了IGCT的阻断状态、开通过程、导通状态及关断过程4个阶段的特点,并针对该4个阶段介绍了器件的重要参数及应用注意事项。

关键词 IGCT 阻断状态 开通过程 通态特性 关断过程

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风电变流器IGBT模块工作结温估算研究 被引量：7

11

作者 姚芳 胡洋 +2 位作者 唐圣学 曹博 李志刚 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第8期26-33,共8页

针对风电变流器中的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)工作结温估算精度低、难度大的问题,分析了IGBT模块的伏安特性和温敏特性,进而建立了一种基于饱和压降的结温估算物理模型;通过IGBT模块的伏安特性和温敏特性试验,获取了IGBT模块在不同集电... 针对风电变流器中的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)工作结温估算精度低、难度大的问题,分析了IGBT模块的伏安特性和温敏特性,进而建立了一种基于饱和压降的结温估算物理模型;通过IGBT模块的伏安特性和温敏特性试验,获取了IGBT模块在不同集电极电流下的饱和压降温敏特性曲线,进而基于饱和压降提出了一种结温估算数学模型。研究结果表明,物理模型相比数学模型精度较高,但需获取器件各物理参数准确值,建模过程较复杂;数学模型无需了解器件物理机理,但精度相对较低。实际风电工况中可根据精度需要选择物理模型或数学模型,这为IGBT模块和风电机组的状态监测和安全评估提供了一种新思路。 展开更多

关键词 IGBT模块 工作结温估算 饱和压降 通态伏安特性 温敏特性

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基于TCAD的门极换流晶闸管的研究

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作者 苏陶 刘玉欣 何晓雄 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期285-286,302,共3页

文章基于ISE公司的半导体仿真软件TCAD系列软件对GCT进行了模拟,通过建立的GCT模型,研究了透明阳极结构和栅极数目对通态特性的影响。模拟结果表明,透明阳极中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素,杂质总量越多,通态压降越低。研... 文章基于ISE公司的半导体仿真软件TCAD系列软件对GCT进行了模拟,通过建立的GCT模型,研究了透明阳极结构和栅极数目对通态特性的影响。模拟结果表明,透明阳极中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素,杂质总量越多,通态压降越低。研究成果对GCT器件的设计和制造具有重要的参考价值。 展开更多

关键词 门极换流晶闸管(GCT) 透明阳极 通态特性 栅极数目 电力半导体器件

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