金硅面垒型半导体探测器在氢气环境下失效现象的实验研究 被引量：2

1

作者 涂俊 黄宪果 +2 位作者 穆龙 苏容波 吴中义 《辐射防护通讯》 2012年第1期18-20,共3页

当金硅面垒型半导体探测器在氢气环境下使用的时候,α能峰会向低能方向飘移,直至淹没在电子学噪声中。本文通过实验介绍了金硅面垒探测器在氢气环境下的这种失效现象,总结了失效现象的规律;提出了金硅面垒探测器在氢气环境受影响的机理... 当金硅面垒型半导体探测器在氢气环境下使用的时候,α能峰会向低能方向飘移,直至淹没在电子学噪声中。本文通过实验介绍了金硅面垒探测器在氢气环境下的这种失效现象,总结了失效现象的规律;提出了金硅面垒探测器在氢气环境受影响的机理,并进行了实验验证。 展开更多

关键词 金硅面垒型半导体探测器 α测量 氢气

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金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大装置 被引量：1

2

作者 张阳 金华 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1462-1466,共5页

讨论了金硅面垒型探测器及电荷灵敏放大器的工作原理,并针对金硅面垒型半导体探测器设计了专用电荷灵敏放大装置。采用晶体管2N3903为核心电荷灵敏放大器,设计由AD812三级放大电路及MAX913甄别电路组成的信号放大整形电路。设计双金硅... 讨论了金硅面垒型探测器及电荷灵敏放大器的工作原理,并针对金硅面垒型半导体探测器设计了专用电荷灵敏放大装置。采用晶体管2N3903为核心电荷灵敏放大器,设计由AD812三级放大电路及MAX913甄别电路组成的信号放大整形电路。设计双金硅面探测器结构及专门的电磁屏蔽措施提高装置的灵敏度及抗电磁干扰能力。该专用电荷灵敏放大装置工作稳定可靠,并具有宽响应带宽、高灵敏度及强抗干扰能力。 展开更多

关键词 金硅面垒型半导体探测器 电荷灵敏放大器 电磁屏蔽 双探测器结构

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离子注入型与金硅面垒型半导体探测器温度特性比较 被引量：2

3

作者 崔晓辉 谷铁男 +3 位作者 张燕 袁宝吉 刘明健 闫学昆 《辐射防护通讯》 2011年第2期26-28,共3页

半导体探测器性能受温度影响较大,影响着辐射探测系统的稳定性和测量精度。本文设计了一个温度测试电路,通过温度测试实验分别得出了离子注入型和金硅面垒型半导体探测器的温度特性曲线。测试结果表明,离子注入型半导体探测器的温度特... 半导体探测器性能受温度影响较大,影响着辐射探测系统的稳定性和测量精度。本文设计了一个温度测试电路,通过温度测试实验分别得出了离子注入型和金硅面垒型半导体探测器的温度特性曲线。测试结果表明,离子注入型半导体探测器的温度特性明显优于金硅面垒型半导体探测器。本文的结果可为半导体探测器的使用、筛选提供参考。 展开更多

关键词 半导体探测器 温度特性 离子注入型 金硅面垒型

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金硅面垒半导体探测器温度特性测量与补偿 被引量：4

4

作者 张志龙 傅翠明 郝庆国 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期261-264,279,共5页

金硅面垒半导体探测器多用于α粒子的探测,由它组成的α、β谱仪对环境温度的变化比较敏感,表现为α谱峰位的漂移,为了了解温度对金硅面垒半导体探测器的影响,对其进行了测试研究,以便提高系统的测量精度。

关键词 金硅面垒半导体探测器 温度特性 补偿

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铝硅面垒型半导体探测器作为标定手段的论证

5

作者 李俊兴 《菏泽师专学报》 1998年第4期25-29,共5页

对用铝硅面垒型半导体探测器作为标定手段进行了充分的论证。该探测器可以用来测试软X射线,较之于全吸收充氙电离室,它有体积小、使用方便等优点;比金硅面垒型半导体探测器的透射率又大得多,文章对各种物理机制引出的诸修正项和各种参... 对用铝硅面垒型半导体探测器作为标定手段进行了充分的论证。该探测器可以用来测试软X射线,较之于全吸收充氙电离室,它有体积小、使用方便等优点;比金硅面垒型半导体探测器的透射率又大得多,文章对各种物理机制引出的诸修正项和各种参量测量的误差,做了认真的考虑、分析和计算(含估算)。结果表明,总精度小于10％。 展开更多

关键词 软X射线 标定 半导体探测器 铝硅面垒型

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^6LiF夹心谱仪探头用金硅面垒探测器性能测定 被引量：5

6

作者 蒋勇 李俊杰 +1 位作者 郑春 肖建国 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期94-97,共4页

金硅面垒探测器是6LiF夹心谱仪探头的关键组成部分,其参数直接影响整个夹心谱仪的性能。通过实验测定了各金硅面垒探测器在不同偏压下的漏电电流、空气对α粒子的影响、金硅面垒的死层厚度、偏压对峰位和分辨率的影响,以及在180V偏压下... 金硅面垒探测器是6LiF夹心谱仪探头的关键组成部分,其参数直接影响整个夹心谱仪的性能。通过实验测定了各金硅面垒探测器在不同偏压下的漏电电流、空气对α粒子的影响、金硅面垒的死层厚度、偏压对峰位和分辨率的影响,以及在180V偏压下各金硅面垒探测器的最大能量峰位。根据测量结果,选出了两组性能基本相同的金硅面垒探测器,将其组装成性能优良的6LiF夹心谱仪效应探头和本底探头。 展开更多

关键词 ^6LiF夹心谱仪 金硅面垒探测器 能量分辨率 死层

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金硅面垒探测器的修复与保养 被引量：1

7

作者 杨明太 高戈 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期785-787,共3页

介绍了金硅面垒探测器因放射性的污染或粉尘、油渍等污物的沾附,致使其性能变坏而无法正常使用时,通过清洗和一定的处置使其性能恢复的方法。同时,还叙述了金硅面垒探测器的维护保养方法和使用注意事项。

关键词 金硅面垒探测器 性能修复 保养方法 放射性污染

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高分辨网栅型Au-Si表面势垒探测器的制备和性能

8

作者 丁洪林 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期269-272,共4页

制备了对紫外光灵敏且有较高能量分辨的网栅型Au-Si表面势垒探测器,其有效面积为12.56cm^2,金网栅电极厚195×10^(-10)m。对^(241)Am 5.486 MeV α粒子在室温和低真空条件下能量分辨是55-80 keV。探讨了制备工艺并测试了性能。

关键词 网栅型 探测器 面垒探测器 金-硅

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H_n^+(n≤7)团簇在Au-Si面垒探测器死层中的能损

9

作者 杨朝文 师勉恭 +3 位作者 唐阿友 朱洲森 杨百方 缪竞威 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期106-110,共5页

利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器灵敏区前的死层作为靶物质，研究了Ｈ＋ｎ（ｎ≤７，２５０ｋｅＶ／ｐ～４５０ｋｅＶ／ｐ）团簇在其中的能损，得到能损比Ｒｎ＞１，且随团簇大小ｎ和平均每核子能量增加而增大。

关键词 团簇 能损 金-硅面垒 探测器死层

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被污染Au-Si表面势垒探测器性能的恢复方法

10

作者 丁洪林 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期95-96,共2页

金硅面垒半导体探测器是带电粒子能谱测量和α,β放射性强度测量的重要探测元件。这种探测器具有近似理想的伏安特性、噪声低、入射窗薄、线性好、脉冲上升时间短,能量分辨好等优点;另外又能做成各种几何形状如园形、矩形、环形、条带... 金硅面垒半导体探测器是带电粒子能谱测量和α,β放射性强度测量的重要探测元件。这种探测器具有近似理想的伏安特性、噪声低、入射窗薄、线性好、脉冲上升时间短,能量分辨好等优点;另外又能做成各种几何形状如园形、矩形、环形、条带阵列以及探测器耗尽厚度可根据工作需要直接制备出厚为几微米到几毫米的全耗尽探测器; 展开更多

关键词 表面势 金硅 面垒 探测器 半导体

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通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究 被引量：1

11

作者 王铁山 王志国 高东风 《核电子学与探测技术》 CSCD 北大核心 2000年第1期17-21,共5页

重点研讨通过改变探测器偏压，进而改变探测器的ＰＮ 结（有效探测灵敏区）厚度，实现对带电粒子的种类和能量鉴别的实验方法及其实际应用。实验测量了３ＭｅＶ质子和６．０５ＭｅＶ α粒子在金硅面垒探测器Ｓｉ（Ａｕ）中的能损与探测... 重点研讨通过改变探测器偏压，进而改变探测器的ＰＮ 结（有效探测灵敏区）厚度，实现对带电粒子的种类和能量鉴别的实验方法及其实际应用。实验测量了３ＭｅＶ质子和６．０５ＭｅＶ α粒子在金硅面垒探测器Ｓｉ（Ａｕ）中的能损与探测器偏压关系曲线。同时利用刻度过的探测器鉴别氘离子束轰击氘钛（ＴｉＤＸ）靶发射的带电粒子能谱。在很强的本底情况下通过调节探测器偏压（灵敏区厚度）实现了对能量相近的不同带电粒子的有效鉴别和测量。 展开更多

关键词 金硅面垒探测器 带电粒子鉴别 D-D反应 D-T反应

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用于氡气测量装置的探测器总成的设计与实现

12

作者 耿波 张国华 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期568-571,共4页

介绍了一种基于静电扩散法的氡气测量装置的探测器总成,它采用由硅胶干燥器、双层滤膜、高压静电收集衰变室和微型气泵构成的采样气路收集氡,利用金硅面垒探测器,电荷灵敏放大器对衰变室内氡的子体进行探测,并配有峰值保持电路。

关键词 氡浓度 金硅面垒探测器 电荷灵敏 峰值展宽电路

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较大面积厚灵敏层金硅面垒探测器及其应用

13

作者 王柱生 李存藩 赵荣璞 《核物理动态》 CSCD 1991年第2期45-47,共3页

本文介绍了135mm^2(5mm 厚)-700mm^2(3mm 厚)较大面积厚灵敏层金硅面垒探测器的制造工艺,性能及在核物理实验中的应用。

关键词 探测器 金硅面垒 大面积

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基于嵌入式模块的α表面污染测量仪的研制 被引量：4

14

作者 高嵩 成毅 +4 位作者 庹先国 穆克亮 李向阳 陈明秀 冷慧敏 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期466-471,共6页

介绍了一种高性能的嵌入式386SXCPU模块和基于此模块研制的便携式α表面污染测量仪的系统结构,详细说明了仪器软、硬件各部分的设计思路和实现的技术。通过标准源Pu的对比测量试验,对仪器的239探测效率进行了具体评价,并给出其它主要性... 介绍了一种高性能的嵌入式386SXCPU模块和基于此模块研制的便携式α表面污染测量仪的系统结构,详细说明了仪器软、硬件各部分的设计思路和实现的技术。通过标准源Pu的对比测量试验,对仪器的239探测效率进行了具体评价,并给出其它主要性能指标。该测量仪操作简单,测量结果准确,经现场试用,满足了用户的基本生产需求。 展开更多

关键词 嵌入式模块 Α射线 金硅面垒型半导体探测器 表面污染测量仪 探测效率

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REM-Ⅱ型氡析出率仪的研制 被引量：10

15

作者 张文涛 李爱武 +1 位作者 张志龙 苟全录 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期149-151,共3页

介绍了一种可携式介质表面氡析出率仪 ,该仪器用静电收集探测室对氡衰变的 2 18Po所释放的 α粒子脉冲计数进行测量。用 φ5 0 mm金硅面垒探测器 ,计数容量 999999,测量范围 10 -5～ 10 2 Bq/ m2·s。仪器有两种工作方式以适应高低... 介绍了一种可携式介质表面氡析出率仪 ,该仪器用静电收集探测室对氡衰变的 2 18Po所释放的 α粒子脉冲计数进行测量。用 φ5 0 mm金硅面垒探测器 ,计数容量 999999,测量范围 10 -5～ 10 2 Bq/ m2·s。仪器有两种工作方式以适应高低不同析出率范围的选择测量 ,可改变参数设置 ,计数自动显示 。 展开更多

关键词 静电收集 金硅面垒探测器 析出率 REM-Ⅱ型氡析出率仪

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RHZM-Ⅰ型氡及其子体连续监测仪 被引量：5

16

作者 张文涛 李爱武 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期816-818,共3页

介绍了一种新型的氡及其子体连续监测仪,它采用特殊设计的静电高压收集衰变室(圆柱体筒)、专用泵取样气路系统以及入口过滤和探测装置、纯氡探测装置。含有两个探测器(测量氡子体的(?)20mm的硅探测器和测量氡浓度的(?)30mm金硅面垒探测... 介绍了一种新型的氡及其子体连续监测仪,它采用特殊设计的静电高压收集衰变室(圆柱体筒)、专用泵取样气路系统以及入口过滤和探测装置、纯氡探测装置。含有两个探测器(测量氡子体的(?)20mm的硅探测器和测量氡浓度的(?)30mm金硅面垒探测器)。计数容量99999999;测量范围:氡浓度0-10MBq/m3,氡子体浓度0-1MBq/m3,氡子体α潜能浓度0-0.01J/m3。具有体积小、灵敏度高、响应时间快、操作方便、自动显示、数据存储、串口传输与打印、超阈报警等特点。能实时显示计数,并在设置的时间间隔内,仪器以两种方式给出氡浓度、氡子体浓度或总α潜能浓度。 展开更多

关键词 硅探测器 金硅面垒探测器 静电高压收集衰变室 氡浓度 氡子体浓度 总α潜能

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一种电荷灵敏前置放大器的设计与实现

17

作者 王佳帅 秦晋 +2 位作者 许鹏 卜洪涛 王道平 《火箭军工程大学学报》 2024年第3期74-80,共7页

针对传统金硅面垒α谱仪所使用的电荷灵敏前置放大器存在电路结构复杂、损坏后维修周期长的问题,基于低噪声场效应管和集成运算放大器,使用电路仿真软件,设计了针对金硅面垒半导体探测器的电荷灵敏前置放大器,简化了电路结构。对该前置... 针对传统金硅面垒α谱仪所使用的电荷灵敏前置放大器存在电路结构复杂、损坏后维修周期长的问题,基于低噪声场效应管和集成运算放大器,使用电路仿真软件,设计了针对金硅面垒半导体探测器的电荷灵敏前置放大器,简化了电路结构。对该前置放大器参数进行了理论计算和实验测试。结果表明:自制的电荷灵敏前置放大器的电荷变换增益为5×10^(12)V/C,能量变换增益为222 mV/MeV,上升时间为200 ns;将其应用于金硅面垒α谱仪之中,能够测量239Pu板状源的α能谱。 展开更多

关键词 电荷灵敏前置放大器 金硅面垒探测器 电路仿真 α能谱

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α粒子擦拭物检测仪探测系统的改进 被引量：1

18

作者 谢群芳 方方 +2 位作者 成毅 李兵 谢勇 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期969-971,共3页

针对现有α探测系统存在的不足之处,提出了改进方案,改进了探测器的定位结构,提出了样本的悬空定位方式,可实现对样本的全方位探测。并且在Pro/E环境下建立实体模型,设计出布局紧凑、加工方便的系统结构。通过试验表明在改进的结构下,... 针对现有α探测系统存在的不足之处,提出了改进方案,改进了探测器的定位结构,提出了样本的悬空定位方式,可实现对样本的全方位探测。并且在Pro/E环境下建立实体模型,设计出布局紧凑、加工方便的系统结构。通过试验表明在改进的结构下,有效提高了系统的探测效率。 展开更多

关键词 Α粒子 探测系统 金硅面垒探测器 结构改进

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硅PIN辐射探测器

19

作者 赵一英 《科技成果管理与研究》 2021年第3期I0001-I0001,共1页

硅PIN探测器,主要应用于对带电粒子和高能射线的探测及能谱分析,现已取代金硅面垒型探测器,是市场的主流产品。中国工程物理研究院电子工程所和材料研究所在国家重点研发计划“高分辨耐辐照硅探测器的研发与产业化应用”项目的支持下,... 硅PIN探测器,主要应用于对带电粒子和高能射线的探测及能谱分析,现已取代金硅面垒型探测器,是市场的主流产品。中国工程物理研究院电子工程所和材料研究所在国家重点研发计划“高分辨耐辐照硅探测器的研发与产业化应用”项目的支持下,成功地研制了耐高压和高能量分辨两款硅PIN探测器(图1),各项性能指标与进口产品接近,在低本底aβ计数器、aβ气溶胶监测仪、表面污染仪、测氢仪等仪器设备上使用效果很好(图2),一致性和可靠性方面可替代进口产品。 展开更多

关键词 面垒型探测器 国家重点研发计划 高能射线 气溶胶监测 材料研究所 硅探测器 PIN探测器 带电粒子

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基于离散小波变换的低水平α能谱光滑与评价 被引量：4

20

作者 石睿 庹先国 +4 位作者 张金钊 李平川 王旭 刘明哲 成毅 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期7-11,共5页

低水平α能谱测量中,由于α射线的统计涨落和探测器电子学电路的噪声,所得α能谱有严重的谱线噪声。为给精确的α能谱解谱工作做预处理,我们用基于金硅面垒探测器的便携式α能谱仪,在不同真空度下测量239Pu的α能谱,将离散小波变换法应... 低水平α能谱测量中,由于α射线的统计涨落和探测器电子学电路的噪声,所得α能谱有严重的谱线噪声。为给精确的α能谱解谱工作做预处理,我们用基于金硅面垒探测器的便携式α能谱仪,在不同真空度下测量239Pu的α能谱,将离散小波变换法应用于α能谱去噪光滑处理,并提出光滑效果评价的新方法。结果表明,与传统多项式最小二乘法相比较,对低水平、高噪声的α能谱去噪,离散小波变换法效果更优。 展开更多

关键词 低水平α能谱 金硅面垒探测器 离散小波变换 光滑效果评价

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