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Ni过渡层对Co/Cu/Co三明治膜微结构及巨磁电阻性能的影响
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作者 李铁 沈鸿烈 +2 位作者 沈勤我 李冠雄 邹世昌 《电子显微学报》 CAS CSCD 1999年第1期29-34,共6页
本文利用原子力显微镜对具有不同厚度Ni过渡层的Co5.0nm/Cu3.5nm/Co5.0nm三明治在各个制备阶段样品的表面形貌进行了系统的研究,并结合X射线衍射的结果,发现Ni过渡层可以使Co/Cu/Co三明治的界面... 本文利用原子力显微镜对具有不同厚度Ni过渡层的Co5.0nm/Cu3.5nm/Co5.0nm三明治在各个制备阶段样品的表面形貌进行了系统的研究,并结合X射线衍射的结果,发现Ni过渡层可以使Co/Cu/Co三明治的界面平整,并形成强的(111)织构,从而导致材料的巨磁电阻值增大和矫顽力减少。 展开更多
关键词 微结构 巨磁电阻 AFM 过渡层 钴/铜/钴 层状模
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Si过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻效应的影响 被引量:1
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作者 李冠雄 沈鸿烈 +2 位作者 沈勤我 李铁 邹世昌 《中国科学(E辑)》 CSCD 2000年第1期15-21,共7页
用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜 .研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响 ,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到 0 .9nm时表现出明显的各向异性 ,而过渡层厚度小于0 .9nm时... 用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜 .研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响 ,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到 0 .9nm时表现出明显的各向异性 ,而过渡层厚度小于0 .9nm时基本上呈各向同性 .巨磁电阻的各向异性行为可由三明治膜的平面内磁各向异性解释 .在Si过渡层和金属Co层的界面处相互扩散形成具有 ( 3 0 1)择优取向的Co2 Si诱导了三明治膜的这种各向异性 ,还研究了三明治膜晶体结构与Si过渡层厚度的关系 . 展开更多
关键词 过渡层 巨磁电阻 三明治膜 钴/铜/钴
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Magnetization switching modes in nanopillar spin valve under the external field
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作者 HUANG HouBing MA XingQiao +3 位作者 YUE Tao XIAO ZhiHua SHI SanQiang CHEN LongQing 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2011年第7期1227-1234,共8页
The current-induced magnetic switching is studied in Co/Cu/Co nanopillar with an in-plane magnetization traversed under the perpendicular-to-plane external field.Magnetization switching is found to take place when the... The current-induced magnetic switching is studied in Co/Cu/Co nanopillar with an in-plane magnetization traversed under the perpendicular-to-plane external field.Magnetization switching is found to take place when the current density exceeds a threshold.By analyzing precessional trajectories,evolutions of domain walls and magnetization switching times under the perpendicular magnetic field,there are two different magnetization switching modes:nucleation and domain wall motion reversal;uniform magnetization reversal.The first mode occurs at lower current density,which is realized by the formation of the reversal nucleus and domain wall motion;while the second mode occurs through complete magnetization reversal at higher current density.Furthermore,the switching time reduces as the spin-polarized current density increases,which can also be grouped into two reversal modes. 展开更多
关键词 current-induced nanopiUar spin transfer torque magnetization switching domain wall motion reversal uniform mag-netization reversal
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