期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
钛酸锶基陶瓷材料中微量物相鉴定
1
作者 刘粤惠 陈旭明 +1 位作者 连维国 李扬 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期9-11,共3页
对具有优良介电性能的高频热补偿多层陶瓷电容器材料 (Sr,Ca)TiO3 系统进行了研究 ;X射线粉末衍射法研究表明当瓷料中钛酸锶烧块 (简称ST)与钛酸钙烧块 (简称CT)摩尔比为nST∶nCT ≈70∶30时 ,主晶相为具有钙钛矿型结构的 (Sr,Ca)TiO3 ... 对具有优良介电性能的高频热补偿多层陶瓷电容器材料 (Sr,Ca)TiO3 系统进行了研究 ;X射线粉末衍射法研究表明当瓷料中钛酸锶烧块 (简称ST)与钛酸钙烧块 (简称CT)摩尔比为nST∶nCT ≈70∶30时 ,主晶相为具有钙钛矿型结构的 (Sr,Ca)TiO3 固溶体 ;微量次晶相为具有钨青铜结构的新化合物铌酸钛钡Ba6Ti2Nb8O30。 展开更多
关键词 钛酸锶基陶瓷材料 微量物相鉴定 钛酸锶钙 铌酸钛钡 晶体结构 X射线衍射分析 电容器
下载PDF
(sr,ca)TiO_3陶瓷材料的结构与介电性能 被引量：5
2
作者 刘粤惠 陈旭明 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期325-330,共6页
研究(Sr,Ca)TiO_3系统陶瓷材料的组成、结构与介电性能关系.当ST/CT比值约为7:3时,主晶相(Sr_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3形成完全互溶钙钛矿型固溶体,具有立方顺电相结构;系统中微量钨青铜型新化合物铌酸钛钡BTN对主晶相(Sr_(0.7)Ca_(0.3))Ti... 研究(Sr,Ca)TiO_3系统陶瓷材料的组成、结构与介电性能关系.当ST/CT比值约为7:3时,主晶相(Sr_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3形成完全互溶钙钛矿型固溶体,具有立方顺电相结构;系统中微量钨青铜型新化合物铌酸钛钡BTN对主晶相(Sr_(0.7)Ca_(0.3))TiO_3的介电性能起进一步的改善作用.获得具有理想介电性能(ε(20℃1MHZ)>250,αc(-55～+125℃)=-1150ppm/℃,tgδ(20℃1MHZ)<5×10-4,ρv(20℃100VDC)>1013Ω·cm)、不含Pb、Bi的Q组MLC瓷料. 展开更多
关键词 钛酸锶钙 铌酸钛钡 结构 介电性能
下载PDF
复相陶瓷(0.5BaO0.5SrO)[(1-y)TiO_(2y)Nb_2O_5]的介电性能研究(英文) 被引量：10
3
作者 周宗辉 杜丕一 +2 位作者 翁文剑 韩高荣 沈鸽 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1054-1059,共6页
通过对组成进行一定的过量控制,利用传统陶瓷工艺,成功制备了具有钙钛矿相钛酸锶钡固溶体和钨青铜相铌酸锶钡固溶体两相稳定共存的(0.5BaO0.5SrO)[(1-y)TiO2yNb2O5](BSTN)复相陶瓷。用RiguakuD/max-2400型X射线衍射仪和KEITHLEY3330阻... 通过对组成进行一定的过量控制,利用传统陶瓷工艺,成功制备了具有钙钛矿相钛酸锶钡固溶体和钨青铜相铌酸锶钡固溶体两相稳定共存的(0.5BaO0.5SrO)[(1-y)TiO2yNb2O5](BSTN)复相陶瓷。用RiguakuD/max-2400型X射线衍射仪和KEITHLEY3330阻抗分析仪对所得样品的相结构状态及介电性能进行了测试。结果表明:y值在0.1～0.7之间的BSTN复相陶瓷为钙钛矿相和钨青铜相两相稳定共存的复合相;在该范围以外,则为单一相的钛酸锶钡与Nb或铌酸锶钡与Ti的固溶体。复相陶瓷的介电性能取决于钙钛矿相和钨青铜相的相对含量及其固溶度,当组成y约为0.7时,介电常数达到最大值;随测试频率的提高,介电常数和损耗降低。复相陶瓷中钨青铜相的铁电/顺电相转变温度与钨青铜相中固溶TiO2量相关,随固溶量增加,转变温度降低。同时,受复相陶瓷中钙钛矿相的影响,随钙钛矿相相对含量的增加,转变温度升高;钨青铜相的最低铁电/顺电相转变温度出现在约110℃,比Sr0.5Ba0.5Nb2O6下降约240℃。 展开更多
关键词 钙钛矿 钨青铜 钛铌酸锶钡 复相陶瓷 介电性能
下载PDF
硅衬底Ba_(1-x)Sr_xNb_yTi_(1-y)O_3薄膜光敏特性的研究 被引量：2
4
作者 宋清 黄美浅 李观启 《应用光学》 CAS CSCD 2005年第5期45-49,共5页
利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45nm的钛铌酸锶钡(Ba1-xSrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1-xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器。测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电流,调制光下... 利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45nm的钛铌酸锶钡(Ba1-xSrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1-xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器。测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电流,调制光下的频率特性。实验结果表明:在钛酸钡中掺入锶(Sr)和铌(Nb)后,禁带内引入了杂质能级,钛铌酸锶钡禁带宽度变为2.7eV,且可见光区域存在连续的吸收峰。该薄膜在近紫外及可见光范围内具有良好的光敏特性,其灵敏度和光电导增益较高,并且具有较好的线性光照特性。光照强度较低时,电阻器的光照特性属于单分子复合过程;光照强度较高时,电阻器的光照特性属于双分子复合过程。通过对该薄膜电阻器频率特性的测量得出:在光照度为200lx时,薄膜中光生载流子的寿命为27ms。 展开更多
关键词 钛铌酸锶钡薄膜 光敏特性 吸收光谱 频率特性 薄膜电阻器 硅衬底 铌酸锶钡 SiO2 光照特性 禁带宽度
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部