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适温离子交换掺铒铌酸锂薄膜的制备研究
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作者 何雨轩 吴江威 +1 位作者 陈玉萍 陈险峰 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期441-448,共8页
本文通过制备KNO_(3)和Er(NO_(3))_(3)熔融混合物,将其与铌酸锂薄膜在高温管式炉中混合进行适温热扩散,并结合退火工艺,发明了一种直接在铌酸锂薄膜上掺杂Er^(3+)的方法。通过不断变换热扩散温度、掺杂试剂浓度比例和晶体切向等参数,用... 本文通过制备KNO_(3)和Er(NO_(3))_(3)熔融混合物,将其与铌酸锂薄膜在高温管式炉中混合进行适温热扩散,并结合退火工艺,发明了一种直接在铌酸锂薄膜上掺杂Er^(3+)的方法。通过不断变换热扩散温度、掺杂试剂浓度比例和晶体切向等参数,用控制变量法探究了不同参数对适温离子交换法掺杂Er^(3+)效果的影响,在热扩散和退火温度360℃及KNO_(3)和Er(NO_(3))_(3)质量比25∶1的参数设置下获得了表面形貌较佳的Z切掺铒铌酸锂薄膜。通过飞行时间二次离子质谱仪并利用已知掺杂浓度的薄膜进行定标,检测了所获得的掺铒铌酸锂薄膜中的Er^(3+)浓度情况,对所采用适温离子交换法的有效性进行了验证。这一方法大幅简化了铌酸锂薄膜掺杂的工艺,同时节约了成本,有助于后续在铌酸锂薄膜平台上实现分区掺杂的工作,为未来定制化铌酸锂光子集成平台的搭建提供参考。 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 Er^(3+) 适温离子交换 二次离子质谱仪
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高效铌酸锂薄膜波导模斑转换器设计
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作者 丁国建 王晓晖 +4 位作者 冯琦 于萍 贾海强 陈弘 汪洋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第9期273-281,共9页
铌酸锂薄膜光子集成技术在高速光电子领域不断凸显,被广泛用于各种片上功能实现,如电光调制、光频梳、滤波器、非线性光学频率转换器、非线性量子光源、激光器等。在铌酸锂薄膜光子集成技术发展过程中,目前面临的一个重要的技术瓶颈就... 铌酸锂薄膜光子集成技术在高速光电子领域不断凸显,被广泛用于各种片上功能实现,如电光调制、光频梳、滤波器、非线性光学频率转换器、非线性量子光源、激光器等。在铌酸锂薄膜光子集成技术发展过程中,目前面临的一个重要的技术瓶颈就是铌酸锂薄膜纳米波导与单模光纤的高效耦合。针对这一问题,设计了一种基于SiO_(2)、SiON锥形结构以及双层铌酸锂锥形结构的模斑转换器,实现铌酸锂薄膜纳米波导与单模光纤之间模式和能量的高效传递与转换。采用三维有限差分光束传播法对器件结构进行了模拟仿真,并优化了结构参数,可实现与铌酸锂薄膜波导与单模光纤的高效耦合,耦合效率在82.2%~89.0%之间,同时,得到了±1.8μm光纤耦合对准容差,可为下一步制备出高效耦合的铌酸锂薄膜光子器件提供参考。 展开更多
关键词 集成光学 模斑转换器 三维有限差分光束传播法 铌酸锂薄膜 耦合效率 单模光纤
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铌酸锂薄膜高速电光开关的设计与制备
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作者 唐杰 王子彦 +7 位作者 钱坤 何晓舟 潘时龙 王琛全 顾晓文 钱广 孔月婵 陈堂胜 《光电子技术》 CAS 2023年第1期7-10,16,共5页
基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作... 基于硅基铌酸锂薄膜(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了高速电光开关芯片,并实现了芯片的光纤耦合、管壳封装和性能测试。测试结果表明,该高速电光开关器件的开关速度达到13.4 ns,消光比达到31.8 dB。研究工作对未来研制光学延时芯片和波束形成网络芯片具有重要的支撑意义。 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 电光开关 光学波束形成
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基于铌酸锂薄膜波导的电光调谐光栅辅助定向耦合器研究 被引量:1
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作者 李俊慧 姚昊 +1 位作者 邓佳瑶 陈开鑫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期189-198,共10页
提出并实验研究了一种基于铌酸锂薄膜光波导的电光调谐的光栅辅助定向耦合器。该耦合器由单模与双模脊形波导及制作于双模波导侧壁的长周期光栅构成。长周期光栅的引入补偿了单模与双模波导中基模的相位失配,可在共振波长实现两波导中... 提出并实验研究了一种基于铌酸锂薄膜光波导的电光调谐的光栅辅助定向耦合器。该耦合器由单模与双模脊形波导及制作于双模波导侧壁的长周期光栅构成。长周期光栅的引入补偿了单模与双模波导中基模的相位失配,可在共振波长实现两波导中基模的高效耦合。进一步地,在双模脊形波导两侧制作调谐电极实现了高速、低驱动电压的电光调谐功能。优化了器件的制作工艺,并采用单次干法刻蚀将耦合器的光栅与波导同步制作于X切铌酸锂薄膜上。测试结果表明所制作的器件在1595.3 nm波长处实现了14.8 dB的隔离度,其电光调谐效率为0.38 nm/V(1595.3 nm~1599.0 nm),热光调谐效率为0.14 nm/℃(25℃~50℃)。该器件可用于实现可调谐滤波、滤模、电光调制及高灵敏度温度传感等功能。 展开更多
关键词 光栅辅助的定向耦合器 长周期波导光栅 铌酸锂薄膜 电光调谐 热光调谐
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铌酸锂薄膜波导上二次谐波产生中的色散分析
5
作者 董海阳 赵志超 +1 位作者 孙楠楠 赵翠莲 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期300-305,共6页
基于绝缘体上铌酸锂平台,设计了周期极化的铌酸锂薄膜波导结构,利用铌酸锂良好的非线性性质并结合灵活的相位匹配方案,分析了结构色散对极化周期的影响。此外,借助波导模式有效折射率随温度变化的不同,通过改变材料温度,有效扩展了频率... 基于绝缘体上铌酸锂平台,设计了周期极化的铌酸锂薄膜波导结构,利用铌酸锂良好的非线性性质并结合灵活的相位匹配方案,分析了结构色散对极化周期的影响。此外,借助波导模式有效折射率随温度变化的不同,通过改变材料温度,有效扩展了频率转换的带宽,实现了1.5~1.6μm范围内的倍频,最终获得562%的归一化转换效率,为芯片光子学参量转换的进一步研究提供了理论基础。 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 频率转换 色散 相位匹配 温度
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亚波长铌酸锂薄膜导模共振结构设计及二次谐波转化效率优化
6
作者 曹春雨 瞿敏妮 谢微 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期127-136,共10页
基于亚波长铌酸锂薄膜刻蚀导模共振超表面结构,理论模拟了超表面结构的光学响应特性,探讨了刻蚀微纳结构的周期、填充因子和刻蚀深度等参量对透射光谱的影响,同时研究了不同偏振态和入射角度的光源对光谱线宽的作用;利用非对称的光栅结... 基于亚波长铌酸锂薄膜刻蚀导模共振超表面结构,理论模拟了超表面结构的光学响应特性,探讨了刻蚀微纳结构的周期、填充因子和刻蚀深度等参量对透射光谱的影响,同时研究了不同偏振态和入射角度的光源对光谱线宽的作用;利用非对称的光栅结构设计,使连续谱中的束缚态(bound states in the continuum,BIC)衰退为高Q值(>10000)的准BIC模式;利用束缚态的局域场增强效应,将亚波长铌酸锂薄膜的二次谐波转化效率提升了5个数量级.模拟结果表明,当入射基频波的峰值功率密度在约1 GW/cm2量级时,可实现紫外波段二次谐波高效转化,即单次穿过亚波长铌酸锂薄膜后,出射的紫外波段二次谐波转化效率高达10–3量级.这为提升微纳结构、光学表界面体系的非线性响应特性提供了思路和设计方案. 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 光学超表面 导模共振 二次谐波
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单晶铌酸锂薄膜的转移制备技术研究 被引量:1
7
作者 帅垚 李宏亮 +2 位作者 吴传贵 王韬 张万里 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期7-12,共6页
以苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)作为键合层,采用离子注入剥离技术制备了Y36切型的单晶铌酸锂薄膜材料。经过对BCB键合层的前烘时间和退火曲线进行系统的研究,克服了由于铌酸锂和BCB之间热膨胀系数不匹配所导致的铌酸锂薄膜开裂问题... 以苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)作为键合层,采用离子注入剥离技术制备了Y36切型的单晶铌酸锂薄膜材料。经过对BCB键合层的前烘时间和退火曲线进行系统的研究,克服了由于铌酸锂和BCB之间热膨胀系数不匹配所导致的铌酸锂薄膜开裂问题,获得了高质量的Y36切型单晶铌酸锂薄膜材料。此外,通过在晶圆键合之前预先制备图形化的金属层,获得了带有下电极功能层的单晶铌酸锂薄膜,可应用于薄膜体声波谐振器等具有金属-绝缘层-金属结构的器件。 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 晶圆键合 离子注入剥离技术 BCB
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纳秒赝火花脉冲电子束烧蚀法制备铌酸锂薄膜 被引量:1
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作者 江兴流 韩丽君 陈思富 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S1期203-205,共3页
利用多极板赝火花放电室(MPC)产生的纳秒脉冲电子束,在室温条件下沉积了钥酸俚薄膜,所沉积的膜在氯化钠(NaCl)、溴化钾(KBr)、镍(Ni)衬底上沿(006)平面择优取向。文中分析了膜厚与膜的质量之间的相关性。
关键词 脉冲电子束 赝火花 铌酸锂薄膜 激光烧蚀法 性能测试 衍射图样 国家自然科学基金 放电室 化学组分 氯化钠
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铌酸锂薄膜调制器的研究进展 被引量:6
9
作者 刘海锋 郭宏杰 +1 位作者 谭满清 李智勇 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期1-13,共13页
铌酸锂薄膜调制器具有体积小、带宽高、半波电压低的优点,在光纤通讯和光纤传感领域具有重要应用价值,是近年来的研究热点。本文梳理了铌酸锂薄膜调制器的波导结构、耦合结构、电极结构的研究进展,总结了LN薄膜波导的制备工艺,并深入分... 铌酸锂薄膜调制器具有体积小、带宽高、半波电压低的优点,在光纤通讯和光纤传感领域具有重要应用价值,是近年来的研究热点。本文梳理了铌酸锂薄膜调制器的波导结构、耦合结构、电极结构的研究进展,总结了LN薄膜波导的制备工艺,并深入分析了不同结构调制器的性能。基于SOI和LNOI结构,薄膜调制器实现了V_(π)L<2 V∙cm,双锥形耦合方案实现了耦合损耗<0.5 dB/facet,行波电极结构实现了调制带宽>100 GHz。铌酸锂薄膜调制器的性能在大多数方面优于目前商用铌酸锂调制器,随着波导工艺进一步提升,将成为铌酸锂调制器的热门方案。最后对铌酸锂薄膜调制器的发展趋势和应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 LNOI 电光调制器
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绝缘体上铌酸锂薄膜片上光子学器件的研究进展 被引量:6
10
作者 李庚霖 贾曰辰 陈峰‡ 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第15期243-258,共16页
铌酸锂晶体具有卓越的电光和非线性光学性质,一直以来都被认为是最有前景的集成光子学基质材料之一.也正是由于铌酸锂晶体多方面优良的光学性能,近年来新兴的铌酸锂薄膜技术在集成光子学的研究中受到了极大的关注.借助于先进的微纳加工... 铌酸锂晶体具有卓越的电光和非线性光学性质,一直以来都被认为是最有前景的集成光子学基质材料之一.也正是由于铌酸锂晶体多方面优良的光学性能,近年来新兴的铌酸锂薄膜技术在集成光子学的研究中受到了极大的关注.借助于先进的微纳加工技术,许多高性能的铌酸锂集成光子学器件已经得以实现.本文总结了几种微纳加工技术在基于铌酸锂薄膜的片上光子学器件制备中的应用,介绍了铌酸锂薄膜片上光子学器件的最新进展,并展望了其在集成光子学研究中的潜在应用. 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 微纳加工 非线性光学 集成光子学器件
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低半波电压铌酸锂薄膜电光调制器仿真与分析
11
作者 王生水 魏朝阳 +2 位作者 姜晨 高睿 万欣 《上海理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期452-459,共8页
针对铌酸锂薄膜Mach-Zehnder电光调制器存在半波电压较大的问题,采用有限元法对方向耦合器耦合模理论进行分析,并对电光调制器的关键结构参数进行优化设计。结果表明:两干涉臂光功率差与波导耦合长度呈正弦函数分布,最小波导耦合长度随... 针对铌酸锂薄膜Mach-Zehnder电光调制器存在半波电压较大的问题,采用有限元法对方向耦合器耦合模理论进行分析,并对电光调制器的关键结构参数进行优化设计。结果表明:两干涉臂光功率差与波导耦合长度呈正弦函数分布,最小波导耦合长度随耦合间距的增大而增大。在调制臂长度为2 cm,光波长为1550 nm时,仿真计算的半波电压值Vπ为0.9 V,半波电压长度积为1.8 V·cm,消光比达到26 dB。通过调制臂截面分析,得到静电场分量Ex,电位移矢量Dx,以及光模分布,并计算出电光重叠积分因子Γ为0.586。基于上述仿真结果,与以往现有的电光调制器的半波电压(1.4~10.2 V)相比,经优化后的电光调制器的半波电压更低,进而使器件的功耗更低,有利于大规模光电集成。 展开更多
关键词 半波电压 铌酸锂薄膜 电光调制器 有限元法 方向耦合器 光波导
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铌酸锂薄膜微腔激光器研究进展(特邀) 被引量:2
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作者 罗强 薄方 +2 位作者 孔勇发 张国权 许京军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第11期43-55,共13页
绝缘体上铌酸锂薄膜凭借铌酸锂晶体优异的光学性能和薄膜器件的易加工和可集成特性,被视为理想的集成光学平台。除了波导、调制器等传输、控制器件方面的研究之外,最近铌酸锂薄膜激光器的研究也取得了显著的进展。文中将对最近迅速发展... 绝缘体上铌酸锂薄膜凭借铌酸锂晶体优异的光学性能和薄膜器件的易加工和可集成特性,被视为理想的集成光学平台。除了波导、调制器等传输、控制器件方面的研究之外,最近铌酸锂薄膜激光器的研究也取得了显著的进展。文中将对最近迅速发展的铌酸锂薄膜微腔激光器的研究现状进行综述。首先,介绍铌酸锂晶体和铌酸锂薄膜稀土离子掺杂的主要技术方案,以及近期有关于稀土离子掺杂铌酸锂薄膜微纳光学器件制备方面的探索;其次,总结近年来掺铒铌酸锂薄膜微盘腔、微环腔激光器方面的研究进展;然后,阐述微腔激光器体系几种常见的实现单模激光器方法的工作机理,介绍研究者们利用"游标效应"调制模式损耗等方式实现掺铒铌酸锂薄膜单模激光器的研究进展;最后,基于目前报导的铌酸锂薄膜激光器研究成果,对目前研究存在的局限性以及未来的研究方向进行了探讨。 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 微腔激光器 集成光学
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铌酸锂薄膜调制器的协同仿真与优化设计
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作者 杨登才 陈雨康 +4 位作者 王云新 向美华 陈智宇 刘萍萍 兰天 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期565-572,共8页
电光调制器的半波电压和带宽主要取决于其电极结构,基于绝缘体上铌酸锂(lithium niobate on insulator, LNOI)结构调制器波导与基底折射率差为传统工艺的10倍左右,能够大幅提高光场和电场的重叠度,降低调制器的半波电压,提升调制带宽.... 电光调制器的半波电压和带宽主要取决于其电极结构,基于绝缘体上铌酸锂(lithium niobate on insulator, LNOI)结构调制器波导与基底折射率差为传统工艺的10倍左右,能够大幅提高光场和电场的重叠度,降低调制器的半波电压,提升调制带宽.当前迫切需要针对这一新型调制结构的电极进行优化设计.应用COMSOL Multiphysic和HFSS软件对LNOI结构的强度调制器进行协同仿真和优化设计.主要讨论了电极宽度、电极厚度、电极间距和上下包层厚度对调制器特性参数的影响,得到了调制器的电光重叠积分、微波折射率、微波衰减系数和电极特性阻抗等参数.在此基础上,通过约束算法优化设计这些性能参数达到提高带宽和降低半波电压的目的.结果表明,在电极长度为1 cm的情况下,半波电压约为2.17 V,3 dB带宽大于70 GHz.该研究工作对基于LNOI结构的电光调制器的电极设计具有重要的指导意义. 展开更多
关键词 协同仿真 薄膜 行波电极 相速匹配 重叠积分 电极结构参数
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高掺锌/镁铌酸锂薄膜的光电性质
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作者 肖靖 常双聚 +2 位作者 赵莉 朱亚彬 陈云琳 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第9期1648-1654,共7页
室温下采用射频磁控溅射(RFMS)技术在玻璃与硅基板上分别沉积了纯铌酸锂LN薄膜、高掺锌(6%,摩尔分数,下同)LN∶ZnO薄膜和高掺镁(5%)LN∶MgO薄膜,并在575℃条件下退火进一步提高薄膜的结晶度。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、... 室温下采用射频磁控溅射(RFMS)技术在玻璃与硅基板上分别沉积了纯铌酸锂LN薄膜、高掺锌(6%,摩尔分数,下同)LN∶ZnO薄膜和高掺镁(5%)LN∶MgO薄膜,并在575℃条件下退火进一步提高薄膜的结晶度。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见吸收(UV-Vis)和椭偏仪等测试研究了三种铌酸锂薄膜的形貌、结构和光学性质。XRD分析表明掺杂铌酸锂薄膜和纯铌酸锂薄膜具有相同的生长取向,AFM、XRD、UV-Vis测试结果表明,掺杂将增大铌酸锂薄膜的晶粒尺寸,光学带隙的红移现象与晶粒尺寸相关,且掺Mg的影响大于掺Zn。此外利用霍尔效应测试仪研究了LN、LN∶ZnO和LN∶MgO薄膜的电学性质,测试结果表明三种薄膜均为n型半导体,其中LN∶MgO薄膜电导率的变化趋势不同于LN∶ZnO和LN薄膜,且发现温度在18~50℃范围内,随着温度的升高,LN∶MgO薄膜的电导率变化微小,而LN∶ZnO和LN薄膜的电导率逐渐增大。 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 锌掺杂 镁掺杂 光学带隙 霍尔效应 电学性质
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基于铌酸锂薄膜的5G谐振器和滤波器 被引量:2
15
作者 刘玉帅 刘康福 吴涛 《微纳电子与智能制造》 2020年第4期136-151,共16页
随着第五代(5G)通信技术在世界上的快速商业化,市场对5G频段的射频(RF)滤波器需求急剧增长。基于压电薄膜的声学谐振器作为实现高性能射频滤波元件的有效解决方案之一,具有高性能、低成本、器件尺寸小的优点,因此备受关注。给出了常见... 随着第五代(5G)通信技术在世界上的快速商业化,市场对5G频段的射频(RF)滤波器需求急剧增长。基于压电薄膜的声学谐振器作为实现高性能射频滤波元件的有效解决方案之一,具有高性能、低成本、器件尺寸小的优点,因此备受关注。给出了常见压电材料的材料性质,并分析了氮化铝(AlN)和铌酸锂(LiNbO_(3))薄膜在声学滤波技术中备受关注的原因;简要介绍了不同声学谐振器结构的原理、结构和关键参数,以及构成滤波器的拓扑;介绍了2种有望应用于5G频段的基于铌酸锂薄膜谐振器/滤波器的相关技术,着重突出了横向激发体声波谐振器(XBAR)的原理、设计及其在5G Sub-6GHz乃至毫米波频段滤波器中的应用。 展开更多
关键词 (LiNbO_(3))薄膜 5G 非对称模态 XBAR 滤波器 射频
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基于铌酸锂薄膜的三波导偏振分束及模式转换器
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作者 姜瑞昭 徐银 倪屹 《科学技术创新》 2022年第6期180-183,共4页
铌酸锂单晶薄膜(LNOI)对集成光学的发展有着重要意义,而高效的偏振分束与模式转换器件的设计是集成光学需要解决的一个基本问题。本文在充分考虑铌酸锂薄膜的研究现状及加工工艺的基础上,提出了一种基于铌酸锂薄膜的三波导偏振分束及模... 铌酸锂单晶薄膜(LNOI)对集成光学的发展有着重要意义,而高效的偏振分束与模式转换器件的设计是集成光学需要解决的一个基本问题。本文在充分考虑铌酸锂薄膜的研究现状及加工工艺的基础上,提出了一种基于铌酸锂薄膜的三波导偏振分束及模式转换器,该器件可将输入的TM0和TE0模式进行高效分离并将TE0模式转换为TE1模式。通过严格的设计与仿真优化,在片上同时实现了高效偏振分离及模式转换的功能。此外,通过增加交叉输出波导的宽度,所述器件方案可进一步扩展至其他高阶TE模的输出,具备良好的器件功能可扩展性。 展开更多
关键词 单晶薄膜 偏振分束及模式转换器 片上光子集成
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晶圆级薄膜铌酸锂波导制备工艺与性能表征
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作者 叶志霖 李世凤 +5 位作者 崔国新 尹志军 王学斌 赵刚 胡小鹏 祝世宁 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期426-433,共8页
随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制... 随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制备工艺进行了深入研究,在4英寸的薄膜铌酸锂晶圆上,基于深紫外光刻和电感耦合等离子体刻蚀技术,成功制备出了传输损耗低于0.15 dB/cm的波导,同时刻蚀深度误差控制在10%以内,极大地提高了波导结构的精确度。此外,本研究还提出了一种基于微环谐振腔的晶圆上波导损耗的表征方案,能更精确地评估波导性能。通过测试,发现所制备的波导合格率超过85%,显示出良好的可重复性和可靠性。本文中发展的晶圆级薄膜铌酸锂加工工艺,对推进铌酸锂波导的大规模制备和应用具有重要意义。 展开更多
关键词 薄膜 晶圆级加工 波导损耗测量 深紫外光刻 ICP刻蚀 集成光子技术
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低损耗薄膜铌酸锂光集成器件的研究进展
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作者 林锦添 高仁宏 +3 位作者 管江林 黎春桃 姚妮 程亚 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期372-394,共23页
近年来得益于薄膜铌酸锂晶圆离子切片技术和低损耗微纳刻蚀工艺的飞速发展,薄膜铌酸锂光集成结构提供了光场紧束缚、快速电光调谐、高效频率转换和声光转换的空前能力,各种高性能的薄膜铌酸锂光集成器件不断涌现,且朝着大规模光集成芯... 近年来得益于薄膜铌酸锂晶圆离子切片技术和低损耗微纳刻蚀工艺的飞速发展,薄膜铌酸锂光集成结构提供了光场紧束缚、快速电光调谐、高效频率转换和声光转换的空前能力,各种高性能的薄膜铌酸锂光集成器件不断涌现,且朝着大规模光集成芯片的方向迅猛发展,为高速信息处理、精密测量、量子信息、人工智能等重要应用提供了全新的发展动力。本文主要围绕铌酸锂晶体发展历史、薄膜铌酸锂离子切片技术发展历程、极低损耗微纳刻蚀技术演化进程,以及高性能的薄膜铌酸锂光集成器件进展进行总结,并展望了未来的发展趋势。 展开更多
关键词 薄膜 微纳加工 光集成器件 非线性光学 电光调制器 光频梳
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薄膜铌酸锂集成非线性光学:走向全光信息时代的新路径
19
作者 郑远林 陈险峰 《物理》 CAS 北大核心 2024年第1期22-32,共11页
光芯片的强大信息处理能力令人期待,而集成光子学是光芯片的基础。铌酸锂号称“光学硅”,是一种综合性能优异的多功能晶体材料。新兴的薄膜铌酸锂解决了传统铌酸锂基光学集成的重大难题,为现有集成光子学器件发展提供了新的爆发点,也为... 光芯片的强大信息处理能力令人期待,而集成光子学是光芯片的基础。铌酸锂号称“光学硅”,是一种综合性能优异的多功能晶体材料。新兴的薄膜铌酸锂解决了传统铌酸锂基光学集成的重大难题,为现有集成光子学器件发展提供了新的爆发点,也为非线性光学的研究和应用提供了良好的平台,有望实现高效的片上全光信息处理。文章将介绍薄膜铌酸锂平台上非线性光学相关的最新重要突破和进展,并简述集成非线性光学如何助推未来光子学革命。 展开更多
关键词 薄膜 微纳光子学 非线性光学 光波导
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基于铌酸锂薄膜的低损耗切趾光栅耦合器
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作者 刘亚康 佘玄 +5 位作者 刘红硕 黄飞 陈侃 毕然 王磊 舒晓武 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第19期204-211,共8页
基于铌酸锂薄膜提出了一种新型的低损耗切趾光栅设计方案,在线性改变填充因子的同时根据布拉格条件对每个光栅周期进行调控。此方案不仅提高了向上衍射效率,还增加了向上衍射模斑和单模光纤模斑的重叠积分,极大地提高了耦合效率。1550 n... 基于铌酸锂薄膜提出了一种新型的低损耗切趾光栅设计方案,在线性改变填充因子的同时根据布拉格条件对每个光栅周期进行调控。此方案不仅提高了向上衍射效率,还增加了向上衍射模斑和单模光纤模斑的重叠积分,极大地提高了耦合效率。1550 nm处对于TE模式耦合效率达到81.3%(0.90 dB),是目前已报道的基于无反射层铌酸锂薄膜的光栅耦合器设计方案中耦合效率最高的。考虑到实际工艺下波导存在刻蚀倾角,基于合理推广的布拉格条件同样对光栅周期进行调控,优化了带刻蚀倾角的切趾耦合光栅,耦合效率高达60.0%(2.22 dB)。 展开更多
关键词 铌酸锂薄膜 低损耗 切趾光栅 布拉格条件 刻蚀倾角
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