低阻硅TSV与铜填充TSV热力学特性对比分析 被引量：2

1

作者 邓小英 于思齐 +1 位作者 王士伟 谢奕 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期1109-1113,共5页

对低阻硅TSV以及铜填充TSV的热力学性能通过有限元仿真的方法进行对比分析.低阻硅TSV在绝缘层上方以及低阻硅柱上方的铝层区域中凸起最为显著,且高度分别为82 nm和76 nm;铜填充TSV的凸起位置主要集中在通孔中心铜柱的上方,最大值为150 ... 对低阻硅TSV以及铜填充TSV的热力学性能通过有限元仿真的方法进行对比分析.低阻硅TSV在绝缘层上方以及低阻硅柱上方的铝层区域中凸起最为显著,且高度分别为82 nm和76 nm;铜填充TSV的凸起位置主要集中在通孔中心铜柱的上方,最大值为150 nm.应力方面,低阻硅TSV在绝缘层两侧的应力最大,且最大值为1005 MPa;铜填充TSV在中心铜柱外侧应力最大,且最大值为1227 MPa.另外,两种结构TSV的界面应力都在靠近TSV两端时最大.低阻硅TSV界面应力没有超过400 MPa,而铜填充TSV在靠近其两端时界面应力已经超过800 MPa.综上所述,相比于铜填充TSV,低阻硅TSV具有更高的热力学可靠性. 展开更多

关键词 低阻硅TSV 铜填充TSV 凸起 应力 热力学性能

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采用铜填充微通路的方法减少焊料空洞

2

《电子工艺技术》 2003年第5期229-229,共1页

关键词 微通路 焊料空洞 铜填充 焊点

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基于先进封装的硅通孔镀铜工艺仿真分析

3

作者 魏红军 陈苏伟 王洪建 《山西冶金》 CAS 2023年第7期105-108,共4页

在硅通孔镀铜填充中,形成的空洞或缝隙都会导致芯片出现严重的质量问题。通过仿真分析促进剂和抑制剂对硅通孔镀铜填充过程的影响,在没有添加剂加入,或者单独加入加速剂或抑制剂都无法实现硅通孔镀铜完全填充,而通过加速剂和抑制剂的合... 在硅通孔镀铜填充中,形成的空洞或缝隙都会导致芯片出现严重的质量问题。通过仿真分析促进剂和抑制剂对硅通孔镀铜填充过程的影响,在没有添加剂加入,或者单独加入加速剂或抑制剂都无法实现硅通孔镀铜完全填充,而通过加速剂和抑制剂的合理配比,可以实现硅通孔无缺陷完全填充,为工艺验证和设备研发提供理论支持。 展开更多

关键词 先进封装 电镀 铜填充 铜添加剂

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钛合金/铜-镍/不锈钢焊接接头的组织与性能

4

作者 常敬欢 余刚 +3 位作者 曹睿 闫英杰 隋然 席筱蓓 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期48-55,I0005,I0006,共10页

采用铜-镍复合填充金属进行了钛合金和不锈钢的冷金属过渡焊接,借助扫描电子显微镜、X射线衍射仪研究铜-镍复合填充金属对钛合金/不锈钢焊接接头微观组织和力学性能的影响.结果表明,添加铜-镍复合填充金属后得到了无焊接缺陷的钛合金/... 采用铜-镍复合填充金属进行了钛合金和不锈钢的冷金属过渡焊接,借助扫描电子显微镜、X射线衍射仪研究铜-镍复合填充金属对钛合金/不锈钢焊接接头微观组织和力学性能的影响.结果表明,添加铜-镍复合填充金属后得到了无焊接缺陷的钛合金/不锈钢焊接接头.接头中形成了硬度相对Ti-Fe,Ti-Cu金属间化合物较低的Ti-Ni金属间化合物,改善了钛合金/不锈钢焊接接头的拉伸性能.当焊接电流为182 A时,钛合金/不锈钢接头的拉剪强度最大为348 MPa.钛合金/不锈钢接头由不锈钢-焊缝金属界面、不锈钢-纯镍-钛合金界面、钛合金-焊缝金属界面和焊缝金属组成,接头中形成了Ti-Cu,Ti-Ni,Al-Cu-Ti和Al-Ni-Ti-Fe-Cu金属间化合物.随着焊接电流的增大,钛合金侧界面反应层的显微硬度逐渐增大,且反应层的宽度也逐渐变宽.创新点:研究铜-镍复合填充金属对Ti-6Al-4V(TC4)钛合金/304不锈钢焊接接头的微观组织、化合物组成以及力学性能的影响. 展开更多

关键词 冷金属过渡焊 钛合金/不锈钢焊接接头 铜-镍复合填充金属 拉剪强度

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3-巯基-1-丙烷磺酸钠复配添加剂对铜电沉积的作用及机理 被引量：7

5

作者 辜敏 钟琴 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期11-14,6,共4页

3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)、聚乙二醇(PEG)、Cl-(MPS-PEG-Cl)添加剂组合硫酸盐镀液常用于超大集成电路铜的超等角填充。采用极化曲线和电化学交流阻抗谱(EIS)研究了酸性硫酸铜镀液中MPS与PEG和Cl-于一定浓度组合下对Cu电沉积的影响。极... 3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)、聚乙二醇(PEG)、Cl-(MPS-PEG-Cl)添加剂组合硫酸盐镀液常用于超大集成电路铜的超等角填充。采用极化曲线和电化学交流阻抗谱(EIS)研究了酸性硫酸铜镀液中MPS与PEG和Cl-于一定浓度组合下对Cu电沉积的影响。极化曲线和EIS结果一致表明,MPS与PEG和Cl-之间都存在协同作用,MPS-PEG阻化而MPS-Cl和MPS-PEG-Cl促进Cu的电沉积;低电位下,MPS和Cl-,Cu+/Cu2+形成的中间产物吸附于电极表面;MPS阻化Cu的电沉积,但与Cl-一起有协同作用,在超等角填充中起促进作用,大于阻化作用,这种促进作用源于MPS和Cl-的配位反应。 展开更多

关键词 MPS PEG Cl^- 铜填充 电沉积

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基于多种添加剂的TSV镀铜工艺研究 被引量：7

6

作者 魏红军 师开鹏 《电子工艺技术》 2014年第4期239-241,共3页

穿透硅通孔技术(TSV)是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案,是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中,电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台,建立了考虑加速剂和抑制... 穿透硅通孔技术(TSV)是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案,是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中,电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台,建立了考虑加速剂和抑制剂作用的硅通孔电镀铜仿真模型,仿真研究得到了基于硫酸铜工艺的最优电镀药水配方,并实验验证了该配方的准确性。 展开更多

关键词 TSV 电镀 铜填充 3D封装

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TSV制程关键工艺设备技术及发展 被引量：9

7

作者 魏红军 段晋胜 《电子工业专用设备》 2014年第5期7-10,18,共5页

论述了TSV技术发展面临的设备问题,并重点介绍了深硅刻蚀、CVD/PVD沉积、电镀铜填充、晶圆减薄、晶圆键合等几种制约我国TSV技术发展的关键设备。

关键词 硅通孔 关键设备 铜填充

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三维集成中的TSV技术 被引量：7

8

作者 张宁 《集成电路应用》 2017年第11期17-22,共6页

近几年,硅通孔(through-silicon vias,TSV)技术发展迅速,拥有着低功耗、小外形、高性能和高堆叠密度等优势的它得到工业界的广泛认可,具有延续摩尔定律发展的潜力。本文中作者介绍了TSV的工艺流程和关键技术,对蚀刻、分离、金属填充,以... 近几年,硅通孔(through-silicon vias,TSV)技术发展迅速,拥有着低功耗、小外形、高性能和高堆叠密度等优势的它得到工业界的广泛认可,具有延续摩尔定律发展的潜力。本文中作者介绍了TSV的工艺流程和关键技术,对蚀刻、分离、金属填充,以及铜暴露等重要工艺流程进行了详细描述。 展开更多

关键词 集成电路制造 硅通孔 刻蚀 铜填充 铜暴露

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TSV电镀铜添加剂及作用机理研究进展

9

作者 马盛林 王燕 +4 位作者 陈路明 杨防祖 王岩 王其强 肖雄 《中国科学：化学》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1891-1905,共15页

后摩尔时代,TSV三维互连成为高端电子器件制造的关键技术之一.TSV电镀铜填充是主流金属化的方法面向晶圆级TSV互连工艺集成应用.本文总结了电镀铜添加剂的国内外研究与发展现状,主要包括加速剂、抑制剂以及季铵盐整平剂、含氮聚合物整... 后摩尔时代,TSV三维互连成为高端电子器件制造的关键技术之一.TSV电镀铜填充是主流金属化的方法面向晶圆级TSV互连工艺集成应用.本文总结了电镀铜添加剂的国内外研究与发展现状,主要包括加速剂、抑制剂以及季铵盐整平剂、含氮聚合物整平剂、含氮杂环整平剂、无机分子整平剂的分子结构,添加剂与Cl−协同作用关系,主要添加剂分子之间协同作用关系,TSV电镀铜填充机理模型等,并凝练提出了TSV电镀铜添加剂及作用机理研究面临的关键问题,以期为TSV添加剂以及作用机理的研究带来一定启发. 展开更多

关键词 TSV 电镀铜 添加剂 作用机理 TSV电镀铜填充机理

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Vacuum Brazing of TiAl Based Alloy with 40Cr Steel

10

作者 周昀 薛小怀 +1 位作者 吴鲁海 楼松年 《Journal of Shanghai Jiaotong university(Science)》 EI 2004年第2期55-57,共3页

The vacuum brazing of TiAl based alloy with 40Cr steel was investigated using Ag-Cu-Ti filler metal. The experimental results show that the Ag, Cu, Ti atoms in the filler metal and the base metal inter-diffuse toward ... The vacuum brazing of TiAl based alloy with 40Cr steel was investigated using Ag-Cu-Ti filler metal. The experimental results show that the Ag, Cu, Ti atoms in the filler metal and the base metal inter-diffuse toward each other during brazing and react at the interface to form an inter-metallic AlCu 2Ti compound which joins two parts to produce a brazing joint with higher strength. 展开更多

关键词 铝钛合金 铬钢 银-铜-钛填充金属 化学成份分析 X射线衍射分析

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新型防电磁塑料

11

作者 王芳 韩笑 《塑料开发》 2000年第4期1443-1446,共4页

评介一种粗纤维、高含量的铜金属填充塑料新技术、以及制得的ＰＡ６、ＰＣ、ＰＣ－ＡＢＳ的电磁屏蔽性能和应用前景。

关键词 复合材料 电磁屏蔽 防电磁包装 铜纤维填充塑料

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纳米压痕法确定TSV-Cu的应力-应变关系 被引量：4

12

作者 秦飞 项敏 武伟 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期722-726,共5页

为得到硅通孔电镀填充铜(TSV-Cu)的力学性能,对TSV-Cu进行了Berkovich纳米压痕实验.基于Oliver-Pharr算法和连续刚度法确定TSV-Cu的弹性模量和硬度分别为155.47 GPa和2.47 GPa;采用有限元数值模拟对纳米压痕加载过程进行反演分析,通过... 为得到硅通孔电镀填充铜(TSV-Cu)的力学性能,对TSV-Cu进行了Berkovich纳米压痕实验.基于Oliver-Pharr算法和连续刚度法确定TSV-Cu的弹性模量和硬度分别为155.47 GPa和2.47 GPa;采用有限元数值模拟对纳米压痕加载过程进行反演分析,通过对比最大模拟载荷与最大实验载荷,确定TSV-Cu的特征应力和特征应变;由量纲函数确定的应变强化指数为0.4892;将上述实验结果代入幂强化模型中,确定TSV-Cu的屈服强度为47.91 MPa.最终确定了TSV-Cu的幂函数型弹塑性应力-应变关系. 展开更多

关键词 硅通孔电镀填充铜 纳米压痕 弹性模量 屈服强度 应变强化指数

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