题名 基于先进封装的铜柱凸块技术
被引量：3
1
作者
王学军 张彩云
机构
中国电子科技集团公司第二研究所
出处
《电子工艺技术》
2017年第2期99-101,共3页
文摘
铜柱凸块技术用于实现集成电路封装的芯片基板互联,具有优越的电性能、热性能和可靠性,并可满足Ro HS要求。随着电子产品对小型化和轻量化的要求越来越高,铜柱凸块将逐渐取代锡铅凸块技术,实现更高密度的芯片互连,成为先进封装的主流技术。
关键词
先进封装 铜柱凸块 焊料凸 块
Keywords
advanced electric-packaging copper pillar bumping solder ball bumping
分类号
TN605
[电子电信—电路与系统]
题名 铜柱凸块生产关键工艺技术研究
被引量：4
2
作者
薛兴涛 孟津 何智清
机构
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期925-929,共5页
文摘
讨论了铜柱凸块生产工艺中籽晶层厚度和电镀电流密度等关键制程因素对铜柱凸块共面性、晶圆应力、凸块剖面结构和电镀效率等方面的影响。研究结果表明增加电镀籽晶层厚度可以提高凸块共面性;在相同电镀电流密度下,籽晶层越厚,晶圆应力越大;相同的籽晶层厚度下,随着电镀电流密度增加,晶圆应力增加,但增加速率逐渐变慢;低电流密度下铜柱凸块顶部形成盘碟形状的剖面结构,而高电流密度容易使铜柱顶部形成圆拱剖面结构;采用阶梯电镀速率电镀方法与均一慢电镀速率电镀出的铜柱凸块共面性一致,而采用阶梯电镀法既能够提高电镀效率又可以得到较好的铜柱顶部盘碟形剖面结构。
关键词
铜柱凸块 电镀 籽晶层 共面性 凸 块 剖面应力
Keywords
copper pillar bump electro-plating seed layer coplanarity bump profile stress
分类号
TN405.96
[电子电信—微电子学与固体电子学]
题名 高均匀性的铜柱凸块电镀(英文)
被引量：2
3
作者
谭柏照 梁剑伦 赖子亮 罗继业
机构
广东工业大学轻工化工学院 季华实验室
出处
《电化学》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第7期94-103,共10页
基金
the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 22178071) Guangzhou Basic and Applied Basic Research Foundation (Grant No. 202102021029) for financially supporting this research。
文摘
随着电子产品的小型化、多功能化和高性能化的发展,促使着2D集成封装向2.5D或3D集成封装发展。铜柱凸块电镀是晶圆级三维封装的关键基础技术之一。本文研究了铜柱凸块的电镀均匀性与添加剂浓度、镀液对流、电流密度和电镀设备之间的影响规律。研究结果表明,添加剂浓度、镀液对流以及电流密度对单个铜柱凸块的平整度影响较大,而对铜柱凸块高度的均一性影响较小。相反,电镀设备对铜柱凸块的高度均一性的影响较大,而对铜柱凸块的平整度影响较小。在三种有机添加剂中,整平剂对铜柱凸块的平整度影响最大,随着镀液中整平剂浓度的增加,铜柱凸块顶部形状由凸起、变为平整、再转变为凹陷。电镀液的单向对流会导致所沉积铜柱凸块形貌发生倾斜。高的电流密度会导致凸顶的铜柱凸块形貌。精密设计的电镀设备可以提高晶圆上电流密度分布的均匀性,继而大幅提高电镀铜柱凸块的共面性。本文的研究结果可为铜柱凸块的电镀优化提供指导。
关键词
铜柱凸块 电化学沉积 均匀性 添加剂 整平剂
Keywords
copper pillar bump electrochemical deposition uniformity additive leveler
分类号
TQ1
[化学工程]
